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- [发明专利]非易失性存储器-CN200680000373.2有效
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J·泽维;G·D·阿博特;R·桑德斯;G·赖因哈德特
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西格马特尔公司
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2006-10-20
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2008-01-09
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G06F12/02
- 公开了用于访问非易失性存储器的方法和系统。该方法包括：将第一数据流写入到非易失性存储器的第一区域的第一块，以及检测第一区域的第一块的充满状态。此外，该方法包括确定将从第一块复制的数据以及将确定的数据从第一区域的第一块复制到非易失性存储器的第一区域的第二块。该方法还包括将第二数据流写入到第一区域的第二块，以及将第三数据流写入到非易失性存储器的第二区域的第一块。此外，该方法包括检测第二区域的第一块的充满状态，确定将从第二区域的第一块复制的数据，以及将确定的数据从第二区域的第一块复制到非易失性存储器的第二区域的第二块。该方法还包括将第四数据流写入到非易失性存储器的第二区域的第二块。
- 非易失性存储器
- [发明专利]非易失性存储器-CN201910738613.8在审
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尹敬和;郭判硕;金灿镐;任琫淳
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三星电子株式会社
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2019-08-12
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2020-02-28
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G11C5/02
- 本公开提供了非易失性存储器。一种非易失性存储器包括垂直堆叠在第二半导体层上并包括第一存储器组、第二存储器组、第三存储器组和第四存储器组的第一半导体层。第二半导体层包括分别在第一存储器组、第二存储器组、第三存储器组和第四存储器组下面的第一区域、第二区域、第三区域和第四区域。第一区域包括通过特定字线连接到第二存储器组、第三存储器组和第四存储器组中的一个存储器组的存储器单元的一个驱动电路以及通过第一位线连接到第一存储器组的存储器单元的另一个驱动电路，其中特定字线和第一位线在相同的水平方向上延伸
- 非易失性存储器
- [发明专利]非易失性存储器-CN202211103219.5在审
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黑泽泰彦
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铠侠股份有限公司
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2022-09-09
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2023-09-22
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G11C16/04
- 根据实施方式，非易失性存储器的控制电路执行第1编程动作，在第1编程动作之后执行第2编程动作。第1编程动作是如下动作：将第2多个存储单元各自的阈值电压设定于多个第1区间中的与写入数据相应的第1区间，并且，将第3多个存储单元各自的阈值电压设定于多个第1区间中的第2区间。第2编程动作是如下动作：将第2多个存储单元各自的阈值电压设定于多个第3区间中的与写入数据相应的第3区间，并且，将第3多个存储单元各自的阈值电压设定于多个第3区间中的两个第4区间中的与温度信息相应的第4区间
- 非易失性存储器
- [发明专利]非易失性存储器-CN201410627378.4有效
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古惟铭
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力旺电子股份有限公司
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2014-11-10
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2018-11-09
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G11C16/26
- 一种非易失性存储器，包括：一存储器阵列，连接至m条字线、n条源极线与n条位线；一列解码器，连接至该m条字线，用以决定一选定列，且该选定列所连接的n个存储单元都对应地连接至该n条源极线以及该n条位线；一源极线解码器，用以将该n条源极线中的一第x条源极线连接至一源极线电压，且将其他源极线浮接；一行解码器，用以将该n条位线中的一第x条位线连接至一数据线，且将其他位线连接至一参考电压；以及一感测电路，具有该数据线连接于该行解码器，用以决定一选定存储单元的一存储状态。
- 非易失性存储器
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