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[发明专利]磁场传感元件-CN200780003398.2有效
发明人： T·维特科斯基 -专利权人： IEE国际电子工程股份公司
申请日： 2007-01-25 - 公布日： 2009-02-25 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：一种磁场传感元件，包括一对电极(12)；将所述电极分隔开的电介质聚合物层(16)；在所述绝缘层中形成所述电极之间电流流动路径的磁性纳米颗粒(18)网络。所述磁性纳米颗粒网络包括至少一个磁隧道结，所述至少一个磁隧道结包括具有不同矫顽磁性的两个相邻纳米颗粒。
磁场传感元件

[发明专利]一种磁性隧道结接触电极及其形成方法-CN201610443364.6有效
发明人：张云森;肖荣福;郭一民 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2016-06-20 - 公布日： 2020-05-26 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种磁性隧道结接触电极及其形成方法，接触电极包括钌接触膜层和种子层的双层结构；形成步骤是：S1.提供包括底电极、第一电介质层、MTJ结构单元、钽顶电极和第二电介质层的衬底；步骤S2.衬底上形成接触电极膜层和硬掩模膜层；S3.图形化转移接触电极图案到硬掩模膜层；S4.刻蚀硬掩模膜层；S5.刻蚀接触电极膜层；S6.生长第三电介质层将接触电极填满；S7.将接触电极表面磨平直到硬掩模膜层全部磨掉；S8.在接触电极上形成顶电极连接孔刻蚀阻止层和第四电介质层
一种磁性隧道接触电极及其形成方法

[发明专利]一种磁性隧道结顶电极连接孔的形成方法-CN201610407810.8有效
发明人：张云森;肖荣福 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2016-06-12 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种磁性隧道结顶电极连接孔的形成方法，步骤如下：S1.提供包括底电极、第一电介质层、MTJ结构单元，钽顶电极的衬底；步骤S2.采用氮化硅填充衬底剩余部分；S3.磨平氮化硅直到钽顶电极；S4.沉积氧化硅膜层、顶电极连接孔刻蚀阻挡层和第二电介质层；S5.图形化转移顶电极连接孔图案到第二电介质层；S6.刻蚀所述第二电介质层，并去掉在图形化转移过程中残留的有机物，使图案转移到所述刻蚀阻挡层；S7.
一种磁性隧道电极连接形成方法

[发明专利]一种基于宇称-时间对称的全光开关-CN202110603813.X在审
发明人：刘芳华 -专利权人：湖北科技学院
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： G02F3/02 文献下载
摘要：包括石墨烯单层，石墨烯单层的两侧分别具有非周期光子晶体一和非周期光子晶体二，非周期光子晶体一由石墨烯单层至入射侧依次设置有第二电介质层、第一电介质层、第一电介质层、第二电介质层、第一电介质层、第二电介质层、第二电介质层、第一电介质层，非周期光子晶体二由石墨烯单层至出射侧依次设置有第四电介质层、第三电介质层、第三电介质层、第四电介质层、第三电介质层、第四电介质层、第四电介质层、第三电介质层，第一电介质层和第三电介质层折射率共轭相等，第二电介质层和第四电介质层折射率共轭相等。
一种基于时间对称开关

[实用新型]一种基于宇称-时间对称的全光开关-CN202121200007.X有效
发明人：刘芳华 -专利权人：湖北科技学院
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： G02F3/02 文献下载
摘要：包括石墨烯单层，石墨烯单层的两侧分别具有非周期光子晶体一和非周期光子晶体二，非周期光子晶体一由石墨烯单层至入射侧依次设置有第二电介质层、第一电介质层、第一电介质层、第二电介质层、第一电介质层、第二电介质层、第二电介质层、第一电介质层，非周期光子晶体二由石墨烯单层至出射侧依次设置有第四电介质层、第三电介质层、第三电介质层、第四电介质层、第三电介质层、第四电介质层、第四电介质层、第三电介质层，第一电介质层和第三电介质层折射率共轭相等，第二电介质层和第四电介质层折射率共轭相等。
一种基于时间对称开关

[发明专利]利用石英玻璃生产余热进行发电和供暖的装置和方法-CN201310094435.2无效
发明人：张于峰;赵保明;邓娜;于晓慧;董胜明;贺中禄;张彦;张世顺 -专利权人：山西易通环能科技集团有限公司;天津大学
申请日： 2013-03-23 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： F01K27/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用石英玻璃生产余热进行发电和供暖的装置和方法，是在采暖期，玻璃隧道窑排放的高温烟气一部分进入换热器，将部分热量传递给冷却水，升温后进入厂区建筑地板下的盘管中，为厂区建筑供暖；另一部分高温烟气进入低温发电机组的蒸发器中，将热量传递给发电介质，进入发电机组的膨胀机膨胀作功，拖带发电机发电，作功后的低压发电介质进入冷凝器冷凝放热，升温的冷却水送至冷却塔冷却后循环使用；在非采暖期，玻璃隧道窑排放的高温烟气全部进入低温发电机组
利用石英玻璃生产余热进行发电供暖装置方法

[实用新型]利用石英玻璃生产余热进行发电和供暖的装置-CN201320134569.8有效
发明人：张于峰;赵保明;邓娜;于晓慧;董胜明;贺中禄;张彦;张世顺 -专利权人：山西易通环能科技集团有限公司;天津大学
申请日： 2013-03-23 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： F01K27/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种利用石英玻璃生产余热进行发电和供暖的装置，是在采暖期，玻璃隧道窑排放的高温烟气一部分进入换热器，将部分热量传递给冷却水，升温后进入厂区建筑地板下的盘管中，为厂区建筑供暖；另一部分高温烟气进入低温发电机组的蒸发器中，将热量传递给发电介质，进入发电机组的膨胀机膨胀作功，拖带发电机发电，作功后的低压发电介质进入冷凝器冷凝放热，升温的冷却水送至冷却塔冷却后循环使用；在非采暖期，玻璃隧道窑排放的高温烟气全部进入低温发电机组
利用石英玻璃生产余热进行发电供暖装置

[发明专利]太阳能电池和太阳能电池的制造方法-CN202080039318.4在审
发明人：斯坦格尔罗尔夫;孟思威;林志鹏;黄信仁;林棻 -专利权人：新加坡国立大学
申请日： 2020-03-27 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H01L31/06 文献下载
摘要：太阳能电池(100)还包括(i)沉积在与形成第一掺杂半导体层(110)相对的硅晶片(102)另一面上的隧道电介质层(112)，(ii)沉积在硅晶片(102)正面(104)上的正面第二掺杂半导体层(116第一掺杂半导体层(110)与正面第二掺杂半导体层(116)或背面第二掺杂半导体层(118)形成隧道结。隧道电介质层(112)与背面第二掺杂半导体层(118)或正面第二掺杂半导体层(116)形成钝化接触。
太阳能电池制造方法

[发明专利]一种应用于全光开关和光存储器的光学双稳态器件-CN201910056543.8有效
发明人：赵东 -专利权人：湖北科技学院
申请日： 2019-01-22 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： G02F3/02 文献下载
摘要：光学双稳态器件为八个电介质层一、八个电介质层二和十五个石墨烯层组成的多层结构，由上表面至下表面依次为电介质层一、石墨烯层、电介质层二、石墨烯层、电介质层一、石墨烯层、电介质层二、电介质层一、石墨烯层、电介质层二、电介质层一、石墨烯层、电介质层二、石墨烯层、电介质层二、石墨烯层、电介质层一、石墨烯层、电介质层二、石墨烯层、电介质层一、石墨烯层、电介质层二、石墨烯层、电介质层一、石墨烯层、电介质层二、石墨烯层、电介质层一
一种应用于开关存储器光学双稳态器件

[实用新型]一种应用于全光开关和光存储器的光学双稳态器件-CN201920111376.8有效
发明人：赵东 -专利权人：湖北科技学院
申请日： 2019-01-22 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： G02F3/02 文献下载
摘要：光学双稳态器件为八个电介质层一、八个电介质层二和十五个石墨烯层组成的多层结构，由上表面至下表面依次为电介质层一、石墨烯层、电介质层二、石墨烯层、电介质层一、石墨烯层、电介质层二、电介质层一、石墨烯层、电介质层二、电介质层一、石墨烯层、电介质层二、石墨烯层、电介质层二、石墨烯层、电介质层一、石墨烯层、电介质层二、石墨烯层、电介质层一、石墨烯层、电介质层二、石墨烯层、电介质层一、石墨烯层、电介质层二、石墨烯层、电介质层一
电介质层石墨烯层光学双稳态器件本实用新型光存储器全光开关全光通信系统光学双稳态多层结构上表面下表面应用

[发明专利]电响应合成材料和其制造方法以及采用该材料的传感器产品-CN200980133978.2有效
发明人：大卫·吕塞;大卫·布鲁尔;保罗·乔纳森·劳克林;亚当·格雷厄姆;西里尔·伊尔桑 -专利权人：佩拉泰克有限公司
申请日： 2009-08-27 - 公布日： 2011-07-27 - 主分类号： H01C10/10 文献下载
摘要：该方法包括步骤接收可流动聚合物液体；引入电导体针状粒子(1501，1502)，以促进通过量子隧道效应的电传导；和相对应所述针状粒子，加入大小一样尺寸的电介质粒子(1505，1506)，以使得多个所述电介质粒子被分散在毗邻的针状粒子间
响应合成材料制造方法以及采用传感器产品

[发明专利]一种可调双通道光子滤波器-CN202110996072.6在审
发明人：赵东 -专利权人：湖北科技学院
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： G02B1/00 文献下载
摘要：包括五个第一电介质层和三个第二电介质层，第一电介质层和第二电介质层由入射方向至出射方向排列顺序为：第一电介质层、第二电介质层、第一电介质层、第一电介质层、第一电介质层、第二电介质层、第一电介质层、第二电介质层；第一电介质层和第二电介质层为两种折射率不同的均匀电介质；第一电介质层和第二电介质层的厚度分别为各自折射率对应的1/4光学波长；相邻第一电介质层的分界处或第一电介质层与第二电介质层的分界处分别嵌入有一石墨烯单层
一种可调双通道光子滤波器

[实用新型]一种可调双通道光子滤波器-CN202122054134.X有效
发明人：赵东 -专利权人：湖北科技学院
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： G02B1/00 文献下载
摘要：包括五个第一电介质层和三个第二电介质层，第一电介质层和第二电介质层由入射方向至出射方向排列顺序为：第一电介质层、第二电介质层、第一电介质层、第一电介质层、第一电介质层、第二电介质层、第一电介质层、第二电介质层；第一电介质层和第二电介质层为两种折射率不同的均匀电介质；第一电介质层和第二电介质层的厚度分别为各自折射率对应的1/4光学波长；相邻第一电介质层的分界处或第一电介质层与第二电介质层的分界处分别嵌入有一石墨烯单层
一种可调双通道光子滤波器

[发明专利]半导体结构-CN202010805569.0在审
发明人：林佳桦;张耀文;吴启明;蔡正原;逸群·陈;蔡子中 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-08-12 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：所述半导体结构包含金属化结构、多个导电垫及电介质层。所述多个导电垫在所述金属化结构上方。所述电介质层在所述金属化结构上且覆盖所述导电垫。所述电介质层包含第一电介质膜、第二电介质膜及第三电介质膜。所述第一电介质膜在所述导电垫上。所述第二电介质膜在所述第一电介质膜上。所述第三电介质膜在所述第二电介质膜上。所述第一电介质膜的折射率小于所述第二电介质膜的折射率，且所述第二电介质膜的所述折射率小于所述第三电介质膜的折射率。
半导体结构

[发明专利]固体电解电容器及其制造方法-CN201210089312.5有效
发明人：光山知宏;加藤俊幸 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2012-03-29 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01G9/15 文献下载
摘要：固体电解电容器的电介质层具有：与阳极相接的第一电介质层；和覆盖第一电介质层并且与上述电解质层相接的第二电介质层，第一电介质层包括由非晶态成分构成的阳极1的氧化物，第二电介质层由具有比第一电介质层的介电常数高的介电常数的电介质粒子构成，并且电介质粒子包括：与第一电介质层相接的第一电介质粒子和与第一电介质层不相接的第二电介质粒子，第一电介质粒子的平均粒径比第二电介质粒子的平均粒径小。
固体电解电容器及其制造方法