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- [发明专利]磁存储器-CN202310733754.7在审
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范晓飞;郭宗夏;刘宏喜;曹凯华;王戈飞
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致真存储(北京)科技有限公司
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2023-06-20
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2023-09-15
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H10B61/00
- 本发明涉及一种磁存储器,包括:MTJ器件,包括第一电极、MTJ层与AFM层,MTJ层设置于第一电极与AFM层之间;第二电极,设置于AFM层背向MTJ层的一侧;加热器,设置于第二电极背向AFM层的一侧,用于对上述磁存储器,将加热器放置在第二电极背向AFM层的一侧,以对AFM层进行加热,能够有效地使AFM层完全退磁,退磁后AFM层的磁化方向由底电极通入写入电流后,产生的SOT效应规定,进而翻转AFM层与自由层间的交换偏置AFM层的退磁采用单独的加热器的产热,无需通过增加写入电流的焦耳效应进行AFM层的退磁,因此有效降低了存储芯片的写入功耗。
- 磁存储器
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