专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]磁存储器-CN01802437.8有效
  • K·-M·H·伦斯森;J·J·M·鲁格罗克 - 皇家菲利浦电子有限公司
  • 2001-05-16 - 2003-01-01 - G11C11/16
  • 本发明的目的在于屏蔽磁存储器防止外部磁场的干扰。磁存储器(1)包括磁存储元件的阵列(2),每个磁存储元件(3)包括至少一层磁材料(4)。磁存储元件(3)的操作基于磁阻效应。存储(1)利用屏蔽层(4)被保护防止外部强磁场的干扰,屏蔽层(14)被分成覆盖存储元件(3)的区域(5)。因为由屏蔽层(4)的区域(5)产生的外部磁场的大的衰减,所以存储(1)不会被外部强磁场擦除。
  • 磁存储器
  • [发明专利]磁存储器-CN200610092409.6无效
  • 原谷进 - TDK株式会社
  • 2006-05-26 - 2007-06-20 - G11C11/15
  • 磁存储器(1)具有:在任意确定方向上延伸的导线(5)、与导线(5)邻近配置的磁阻效应元件(4)、以及与导线(5)中的磁阻效应元件(4)相对的侧上相邻配置的反元件侧轭(20B),并且该反元件侧轭(20B)因与此发明一致的缘故,在写入操作期间,此磁存储器能够使磁化属性均匀,并且用低电流执行写工作。
  • 磁存储器
  • [发明专利]磁存储器-CN201910112142.X在审
  • 金谷宏行 - 东芝存储器株式会社
  • 2019-02-13 - 2020-03-17 - G11C11/16
  • 本发明涉及磁存储器。实施方式的磁存储器具备:半导体基板;晶体管,其设置于半导体基板上,具有第1端子、第2端子以及第1端子与第2端子之间的栅电极;第1接触部,其连接于第1端子,并且设置于半导体基板上的第1绝缘层内;第2接触部
  • 磁存储器
  • [发明专利]磁存储器-CN202310733754.7在审
  • 范晓飞;郭宗夏;刘宏喜;曹凯华;王戈飞 - 致真存储(北京)科技有限公司
  • 2023-06-20 - 2023-09-15 - H10B61/00
  • 本发明涉及一种磁存储器,包括:MTJ器件,包括第一电极、MTJ层与AFM层,MTJ层设置于第一电极与AFM层之间;第二电极,设置于AFM层背向MTJ层的一侧;加热,设置于第二电极背向AFM层的一侧,用于对上述磁存储器,将加热放置在第二电极背向AFM层的一侧,以对AFM层进行加热,能够有效地使AFM层完全退磁,退磁后AFM层的磁化方向由底电极通入写入电流后,产生的SOT效应规定,进而翻转AFM层与自由层间的交换偏置AFM层的退磁采用单独的加热的产热,无需通过增加写入电流的焦耳效应进行AFM层的退磁,因此有效降低了存储芯片的写入功耗。
  • 磁存储器

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