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[发明专利]无线通信设备及天线-CN201210119019.9无效
发明人：辻村彰宏;天野隆 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2008-04-25 - 公布日： 2012-09-05 - 主分类号： H01Q1/22 文献下载
摘要：一种无线通信设备，包括：外壳，该外壳包括由第一电介质材料制成的电介质部件，所述电介质部件涂敷有由第二电介质材料制成的涂覆层；无线通信电路，其被收纳在所述外壳中；天线元件，该天线元件电连接到所述无线通信电路，该天线元件由导电材料制成并且设置在所述电介质部件的表面上；以及粘结层，该粘结层设置在所述天线元件和所述电介质部件之间，以将该天线元件粘结到该电介质部件上，该粘结层由第三电介质材料制成。
无线通信设备天线

[实用新型]一种基于石墨烯阵列的啁啾光栅-CN202023277445.4有效
发明人：赵东 -专利权人：湖北科技学院
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：包括两个电介质层一，两个电介质层一之间夹有一非周期光栅，非周期光栅包括若干电介质层二，相邻电介质层二之间、电介质层一与电介质层二之间均夹有一单层石墨烯；由入射方向至出射方向，各电介质层二的厚度逐渐减小，相邻电介质层二之间的厚度差为固定常数。
一种基于石墨阵列啁啾光栅

[发明专利]配线板-CN202080010625.X有效
发明人：池田友宏;吉本洋之;山中拓 -专利权人：大金工业株式会社
申请日： 2020-01-30 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01P3/16 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供具有高频的传送效率高的电介质线路的配线板。一种配线板，其特征在于，其具备包含树脂(A)的电介质线路、以及覆盖该电介质线路的包含树脂(B)的电介质外装部，上述电介质外装部在6GHz、25℃下的相对介电常数低于上述电介质线路。
线板

[发明专利]电介质纳米砖阵列结构及其用作高反膜和高透膜的应用-CN201710942306.2有效
发明人：郑国兴;戴琦;李子乐;邓联贵;邓娟;刘勇;毛庆洲;何平安;李松 -专利权人：武汉大学
申请日： 2017-10-11 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： G02B1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种电介质纳米砖阵列结构及其用作高反膜和高透膜的应用，所述电介质纳米砖阵列结构，包括衬底和衬底上的电介质纳米砖阵列；其中，电介质纳米砖阵列由电介质纳米砖周期性排列构成；电介质纳米砖为正四棱柱形将该电介质纳米砖阵列结构用作高反膜时，优化电介质纳米砖阵列结构的结构参数，使得工作波长下s波和p波入射时均能产生Mie谐振；将该电介质纳米砖阵列结构用作高透膜时，优化电介质纳米砖阵列结构的结构参数，使得混合层的等效折射率介于混合层周围介质的折射率和衬底折射率之间本发明基于电介质纳米砖阵列结构的高反膜和高透膜在整个通信波段内均具有较高的工作效率。
电介质纳米阵列结构及其用作高反膜高透膜应用

[发明专利]具备屏蔽性提高的弯曲部的柔性电路板以及其制造方法-CN201980076659.6在审
发明人：金相弼;金炳悦;金益洙;郑熙锡 -专利权人：吉佳蓝科技股份有限公司
申请日： 2019-11-20 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本发明涉及具备柔性电路板的天线承载体，包括：第一电介质，形成为包括宽度方向和长度方向；第一信号线，在所述第一电介质的上面或者下面的宽度方向上位于一侧；第二信号线，与所述第一信号线在宽度方向上向另一侧隔开而位于所述第一电介质的上面或者下面；第二电介质，在所述第一电介质的上方的宽度方向上位于一侧，并在所述第二电介质的下方设置有所述第一信号线；第三电介质，与所述第二电介质在宽度方向上向另一侧隔开而位于所述第一电介质的下方，并在所述第三电介质的上方设置有所述第二信号线；第一接地，位于所述第二电介质的上方；以及第二接地，位于所述第三电介质的下方。
具备屏蔽提高弯曲柔性电路板及其制造方法

[发明专利]氮化物类半导体激光元件和光学装置-CN201110319247.6无效
发明人：村山佳树 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2011-10-14 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： H01S5/028 文献下载
摘要：端面涂膜具有与出射侧谐振器面接触形成的由氮化铝构成的第1电介质膜、形成于第1电介质膜的出射侧谐振器面相反侧的由氧氮化铝构成的第2电介质膜、形成于第2电介质膜的第1电介质膜相反侧的由氧化铝构成的第3电介质膜、形成于第3电介质膜的第2电介质膜相反侧的由氧氮化铝构成的第4电介质膜和形成于第4电介质膜的第3电介质膜相反侧的由氧化铝构成的第5电介质膜。
氮化物类半导体激光元件光学装置

[发明专利]半导体器件中的片上电容器及其形成方法-CN202080003474.5在审
发明人：薛磊;刘威;陈亮 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-11-13 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：在示例中，半导体器件包括：至少一个电介质层对，其包括第一电介质层和不同于第一电介质层的第二电介质层；与该至少一个电介质层对接触的层间电介质(ILD)层；以及一个或多个电容器，所述一个或多个电容器中的每个垂直延伸穿过ILD层并与至少一个电介质层对接触。
半导体器件中的电容器及其形成方法

[发明专利]具有回流金属间电介质层的功率半导体器件-CN202080044509.X在审
发明人： E·R·范布朗特;D·J·里施顿瓦尔纳;S·萨布里 -专利权人：克里公司
申请日： 2020-05-01 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：功率半导体器件包括包含至少一个回流电介质材料图案和至少一个不可回流电介质材料图案的多层金属间电介质图案。在其他实施例中，功率半导体器件包括回流金属间电介质图案，其使用诸如坝料之类的牺牲结构形成以在回流处理期间限制金属间电介质图案的可回流电介质材料的横向扩展。该金属间电介质图案可以具有改进的形状和性能。
具有回流金属电介质功率半导体器件

[发明专利]陶瓷电子部件和制造陶瓷电子部件的方法-CN201110056287.6有效
发明人：樱井俊雄;小更恒;岚友宏;畑中洁;宫内泰治 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2011-03-09 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： B32B15/04 文献下载
摘要：一种陶瓷电子部件，其包括第一电介质层、第二电介质层和边界反应层。所述第一电介质层为包含BaO、Nd2O3和TiO2的层，所述第二电介质层为包含与所述第一电介质层不同的材料的层，所述边界反应层为形成于所述第一电介质层和所述第二电介质层之间并包含Zn、Ti、Cu和Mg的至少一种的层
陶瓷电子部件制造方法

[发明专利]用于传输电磁波信号的波导-CN201980024862.9有效
发明人：裵玄民;宋河逸 -专利权人：韩国科学技术院
申请日： 2019-04-08 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01P3/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于传输电磁波信号的波导，该波导被配置为使得电介质与导体之间的边界条件以及电介质之间的边界条件两者都作为可施加到通过波导传输的信号的边界条件而存在，该波导包括：第一电介质部，其包括电介质；导体部，其覆盖第一电介质部的一部分；和第二电介质部，其围绕第一电介质部和导体部。
用于传输电磁波信号波导

[实用新型]半导体衬底结构及半导体封装-CN201520258369.2有效
发明人：陈天赐;陈光雄;王圣民;李育颖;蔡丽娟;李志成 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2015-04-27 - 公布日： 2015-11-18 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：所述半导体衬底结构包含导电结构及电介质结构。所述导电结构具有第一导电表面及第二导电表面。所述电介质结构具有第一电介质表面及第二电介质表面。所述第一导电表面不从所述第一电介质表面突出。所述第二导电表面从所述第二电介质表面凹进。所述电介质结构的材料是固化光敏树脂。
半导体衬底结构封装

[发明专利]电介质层、其形成方法和包括电介质层的等离子体显示板-CN200710148334.3无效
发明人：金银熙;崔祐硕;李镇宇 -专利权人：三星TECHWIN株式会社
申请日： 2007-08-31 - 公布日： 2008-07-23 - 主分类号： H01J17/02 文献下载
摘要：公开了一种等离子体显示板的电介质层、形成该电介质层的方法、以及包含该电介质层的等离子体显示板，该电介质层可以涂敷放电电极而不管该放电电极形状如何，并且可用低温工艺制造。由此，该电介质层包括有机材料，并且使用电沉积涂敷方法制造该电介质层。
电介质形成方法包括等离子体显示

[发明专利]电介质材料中的金属互连-CN200780007024.8无效
发明人：华金·托雷斯;樊尚·阿纳尔;洛朗乔治·戈塞;维姆·贝斯兰格 -专利权人： ST微电子（克偌林斯2）股份有限公司;皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2007-02-26 - 公布日： 2009-05-06 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：用于制造半导体装置的方法，所述半导体器件在第一电介质材料制成的电介质层中包括一互连，所述互连包含导电部分。在所述电介质层中形成沟槽。该方法还包括：去除构成所述沟槽侧壁的该电介质层的暴露部分，并在该沟槽的侧壁上淀积电介质内衬，该内衬由第二电介质材料制成。
电介质材料中的金属互连

[发明专利]光学记录介质-CN201010113857.6无效
发明人：太田辉之;渡边诚;福岛义仁 -专利权人：索尼公司
申请日： 2010-02-05 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： G11B7/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种光学记录介质，包括：基底；形成在基底上的信息记录层，信息信号通过照射光线来在信息记录层中记录以及从其中再现；其中，信息记录层包括反射层、形成在反射层上的电介质层和形成在电介质层上的记录层，电介质层包括第一电介质层和第二电介质层，并且位于反射层侧的第二电介质层的热导率大于位于记录层侧的第一电介质层的热导率。
光学记录介质

[发明专利]受限源极/漏极外延区域及其形成方法-CN201911023286.4在审
发明人：游政卫;郭紫微;杨宗熺;周立维;游明华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-10-25 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种方法包括形成延伸到半导体衬底中的隔离区域，使隔离区域凹陷，其中，隔离区域之间的半导体区域形成半导体鳍，在隔离区域和半导体鳍上形成第一电介质层，在第一电介质层上方形成第二电介质层，对第二电介质层和第一电介质层进行平坦化，以及使第一电介质层凹陷。第二电介质层的一部分突出高于第一电介质层的剩余部分以形成突出的电介质鳍。半导体鳍的一部分突出高于第一电介质层的剩余部分以形成突出的半导体鳍。外延半导体区域横向扩展以与突出的电介质鳍的侧壁接触。
受限外延区域及其形成方法