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[发明专利]一种制备磁性隧道结单元阵列的方法-CN201910291210.3在审
发明人：张云森;肖荣福;麻榆阳;陈峻;郭一民 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2019-04-11 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明一种制备磁性隧道结单元阵列的方法，包括：提供表面抛光的带金属通孔Vx的CMOS基底；在经过平坦化处理之后的基底上沉积底电极、磁性隧道结多层膜和顶电极，或，在经过平坦化处理之后的基底上沉积底电极、磁性隧道结多层膜、顶电极和牺牲掩模；图形化定义磁性隧道结多层膜图案，对顶电极、磁性隧道结多层膜和底电极进行刻蚀，然后沉积一层绝缘覆盖层在磁性隧道结存储单元的周围；沉积一层平坦化移除停止层在绝缘覆盖层周围；沉积磁性隧道结电介质，对其进行平坦化处理，并使移除停止在移除停止层之上；沉积顶电极接触电介质，图形化定义顶电极接触图案，并对其进行刻蚀和非Cu填充以形成顶电极接触；制作金属位线连接。
一种制备磁性隧道单元阵列方法

[发明专利]非易失性存储器件及其制造方法-CN201110168969.6无效
发明人：黄畴元 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2011-06-22 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L29/788 文献下载
摘要：本发明提供一种非易失性存储器件，包括：多个层叠图案，所述多个层叠图案具有顺序地层叠在衬底之上的隧道绝缘层、浮栅和电介质层；形成在层叠图案之间的衬底中的沟槽；将沟槽以及层叠图案之间的间隔间隙填充的隔离层；以及形成在电介质层之上的控制栅。
非易失性存储器及其制造方法

[发明专利]磁性存储器装置及其制造方法-CN202111449802.7在审
发明人：洪京一;李正敏;金英铉;朴正桓;申喜珠;吴世忠 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：提供了一种制造磁性存储器装置的方法，包括步骤：在衬底上形成包括底部电极、磁性隧道结图案和顶部电极的数据存储结构；形成保形地覆盖数据存储结构的侧表面和顶表面的第一封盖电介质层；以及在第一封盖电介质层上形成第二封盖电介质层通过其中第一源气体、第一反应气体和第一吹扫气体被供应的PECVD执行形成第一封盖电介质层的步骤。通过其中第二源气体、第二反应气体和第二吹扫气体被供应的PECVD执行形成第二封盖电介质层的步骤。
磁性存储器装置及其制造方法

[发明专利]消除磁性随机存取存储器器件结构中的电短路的干法蚀刻停止工艺-CN200780017865.7无效
发明人：罗伯特·迪蒂奇奥 -专利权人：泰格尔公司
申请日： 2007-03-16 - 公布日： 2009-06-03 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明总地涉及半导体制造并具体涉及制造磁性隧道结器件。具体地，本发明涉及利用隧道结中的电介质层作为蚀刻停止层以消除来自于图案化工艺的电短路的方法。
消除磁性随机存取存储器器件结构中的短路蚀刻停止工艺

[发明专利]一种基于隧道二极管的增益负折射率材料-CN201910164034.7在审
发明人：李冉;杨彦斌;叶德信 -专利权人：浙江大学;浙江大学自贡创新中心
申请日： 2019-03-05 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： H01Q15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于隧道二极管的增益负折射率材料。包括金属结构、隧道二极管和电介质基板，金属结构包括电谐振单元和磁谐振单元，电谐振单元为亚波长金属铜柱，铺设于电介质基板背面中间位置；磁谐振单元为方形开口谐振环，平铺于电介质基板正面，内环上边界中间位置即内环开口方向相对位置处开有缝隙，缝隙之间焊接有隧道二极管。
隧道二极管电介质基板磁谐振电谐振微波负折射率材料金属结构媒质单元媒质电磁波能量偶极子结构亚波长金属本构参数传统人工方向相对方形开口负折射率负阻器件内环开口系统研究上边界位置处谐振环亚波长单层内环平铺实部铜柱虚部焊接背面铺设引入调控

[发明专利]一种气体团簇离子束修剪被刻蚀后的磁性隧道结的方法-CN201611191829.X在审
发明人：张云森 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2016-12-21 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H01L43/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种气体团簇离子束修剪被刻蚀后的磁性隧道结的方法：步骤一：提供底电极基底，并在基底上沉积磁性隧道结多层膜和硬掩模膜层；步骤二：图形化定义磁性隧道结图案，刻蚀磁性隧道结；步骤三：气体团簇离子束对刻蚀之后的磁性隧道结侧壁进行修剪以除去侧壁损伤/沉积层；步骤四：沉积电介质，化学抛光磨平电介质直到硬掩模的顶部。由于气体团簇离子束的横向溅射行为，团簇或者原子能够到达被图案化的磁性隧道结的每个角落，能够有效的去除覆盖在侧壁的损伤和再次沉积层，同时，由于每个原子的能量非常低，团簇气体原子不会带来新的损伤，非常有利于磁性随机存储器磁学
磁性隧道结气体团簇离子束刻蚀修剪电介质沉积层侧壁基底团簇沉积损伤磁性随机存储器图形化定义侧壁损伤电学性能化学抛光气体原子硬掩模膜底电极多层膜图案化硬掩模溅射良率磨平去除图案覆盖

[发明专利]具有耦合的自由磁层的垂直自旋转移转矩存储器(STTM)器件-CN201480046356.7在审
发明人： C·C·郭;K·奥乌兹;M·L·多齐;B·S·多伊尔;S·苏里;R·S·周;D·L·肯克;R·戈利扎德莫亚拉德;A·乔杜里 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-09-02 - 公布日： 2016-04-06 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：例如，用于磁隧道结的材料层堆叠体包括固定磁层。在所述固定磁层之上设置电介质层。在所述电介质层之上设置第一自由磁层。第二自由磁层与所述第一自由磁层磁耦合。
具有耦合自由垂直自旋转移转矩存储器 sttm 器件

[发明专利]具有半金属的自旋转移扭矩存储器(STTM)设备以及写入和读取设备的方法-CN201180075623.X在审
发明人： C·C·郭;R·G·莫亚拉德;B·S·多伊尔;D·L·肯克;K·奥乌兹;R·S·周 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2011-12-19 - 公布日： 2014-08-20 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：例如，磁性隧道结包括自由磁性层、固定磁性层以及布置在自由磁性层和固定磁性层之间的电介质层。自由磁性层和固定磁性层之一或两者在与电介质层的界面处包括半金属材料。
具有金属自旋转移扭矩存储器 sttm 设备以及写入读取方法

[发明专利]以纳米颗粒作为电荷俘获层的杂化电介质非易失性存储器-CN201510618655.X在审
发明人：孙彩明;赵春;王嘉俊 -专利权人：纳米及先进材料研发院有限公司
申请日： 2015-09-24 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01L27/11517 文献下载
摘要：为了研究可印刷的纳米浮栅晶体管，提出了尺寸小于30nm的Si/SiO2核/壳纳米结构,其可作为UV固化的有机‑无机杂化栅电介质中的电荷俘获点。本发明的新颖性来自于通过溶胶‑凝胶法在低温下制备高质量的有机/无机杂化栅电介质层，和还在此电介质层中引入由高密度的硅纳米颗粒形成的单层结构。此纳米结构与电介质材料无明显界面缺陷，保持高品质的电介质层。通过对电介质层进行UV固化附加低温热固化的处理，从杂化电介质中成功移除了固定电荷俘获缺陷。仅与由Si/SiO2核/壳纳米结构形成的电荷俘获层相关的移动电荷清晰地展示了印制电子器件的电荷存储效应。每个硅纳米颗粒表面均匀的二氧化硅薄壳充当闪存器件的隧道层，简化了印制纳米浮栅存储器件的制备。
纳米颗粒作为电荷俘获电介质非易失性存储器

[发明专利]制造非易失性存储器件的方法-CN201010574382.0无效
发明人：李命植;金眞求 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2010-12-06 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种制造非易失性存储器件的方法，所述方法包括以下步骤：在半导体衬底之上形成隧道绝缘层；在所述隧道绝缘层之上形成包含第一浓度的第一杂质离子的电荷陷阱层；在所述电荷陷阱层之上形成包含第二浓度的第二杂质离子的补偿层；使所述补偿层内的第二杂质离子向所述电荷陷阱层扩散；去除所述补偿层；在所述电荷陷阱层的表面上形成电介质层；以及在所述电介质层上形成用于控制栅极的导电层。
制造非易失性存储器方法

[发明专利]磁电阻式随机存取存储器件结构及其制造方法-CN200480010000.4无效
发明人：格雷格里·格里恩柯维奇;马克·德赫雷拉;马克·A·德尔拉姆;克拉伦斯·J·特雷希 -专利权人：飞思卡尔半导体公司
申请日： 2004-04-16 - 公布日： 2006-05-17 - 主分类号： H01L29/82 文献下载
摘要：形成与第一晶体管(14)电接触的有效磁隧道结元器件(60)。形成与第二晶体管(14)电接触的至少一部分假磁隧道结元器件(58)。将第一电介质层(62)淀积在至少一部分假磁隧道结元器件和有效磁隧道结元器件上。对第一电介质层进行蚀刻，从而同时形成至少一部分假磁隧道结元器件(58)的第一通路(64)，和有效磁隧道结元器件(60)的第二通路(66)。淀积导电互连层(68)，以便使所述导电互连层从至少一部分假磁隧道结元器件(58)延伸到所述有效存储元件(64)。
磁电随机存取存储器结构及其制造方法

[发明专利]具有金属源极的隧道场效应晶体管-CN200910173953.7有效
发明人：科里什纳·库马尔·布瓦卡;许义明;卡洛斯·H·迪亚兹 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2009-09-24 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种具有金属源极的隧道场效应晶体管包括：沟道区；沟道区上方的栅电介质；和栅电介质上方的栅电极。第一源/漏区邻接栅电介质，其中第一源/漏区是半导体区且为第一导电类型。
具有金属隧道场效应晶体管

[发明专利]贯穿包括结构和制造方法的高效率晶体太阳能电池中的钝化电介质层的屏蔽电触点和掺杂-CN201610216873.5有效
发明人： D·克拉夫茨;O·舒尔茨-韦特曼 -专利权人：泰特拉桑有限公司
申请日： 2011-03-25 - 公布日： 2017-09-26 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：一种太阳能电池结构和形成方法，其结合钝化电介质层利用表面纹理来提供形成贯穿所述钝化电介质层且在导电层与下方的衬底之间的电触点的实用和可控制的技术，实现了高效率太阳能电池所需的具有低复合损耗的良好表面钝化和电触点有意地修改所述钝化电介质层以允许与所述衬底的直接接触或隧道势垒接触。公开了另外的P‑N结和掺杂梯度以进一步限制损耗并提高效率。
贯穿包括结构制造方法高效率晶体太阳能电池中的钝化电介质屏蔽触点掺杂

[发明专利]用于将自旋霍尔MTJ器件嵌入逻辑处理器中的方法和所得到的结构-CN201680081230.2有效
发明人： K·J·李;王奕 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2016-03-07 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H10N50/80 文献下载
摘要：在示例中，逻辑处理器包括逻辑区域，该逻辑区域包括设置在电介质层中的fin‑FET晶体管，电介质层设置在衬底上方。逻辑处理器还包括存储器阵列，该存储器阵列包括多个双晶体管单磁隧道结(MTJ)自旋霍尔电极(2T1MTJ SHE)位单元。2T1MTJ SHE位单元的晶体管是设置在电介质层中的fin‑FET晶体管。
用于自旋霍尔 mtj 器件嵌入逻辑处理器中的方法得到结构

[实用新型]一种NORFlash存储组以及NORFlash存储模块-CN201720367697.5有效
发明人：彭海兵 -专利权人：苏州诺存微电子有限公司
申请日： 2017-04-10 - 公布日： 2017-12-12 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：NOR Flash存储组包括衬底；位于衬底上的缓冲层；位于缓冲层上远离衬底一侧的至少两个存储单元；存储单元包括绝缘层；位于绝缘层上的位线、导电沟道和源线；位于绝缘层上且分别位于位线、导电沟道和源线两侧的隧道电介质层；位于绝缘层上且分别位于隧道电介质层远离位线、导电沟道和源线一侧的浮栅结构，浮栅结构的垂直投影位于绝缘层的垂直投影之内；位于绝缘层两侧且分别位于浮栅结构远离隧道电介质层一侧的阻断绝缘层以及分别位于阻断绝缘层远离浮栅结构一侧且包覆阻断绝缘层的控制栅结构
一种 norflash 存储以及模块