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[发明专利]顶发射AMOLED顶电极光罩、顶发射AMOLED顶电极及顶发射AMOLED-CN201610828109.3有效
发明人：姜亮;李金川;吴聪原 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2016-09-18 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明提供一种顶发射AMOLED顶电极光罩、顶发射AMOLED顶电极及顶发射AMOLED。本发明的顶发射AMOLED顶电极光罩，包括具有数个开口区域的掩膜片，且每个开口区域中设有间隔平行排列的数个遮光条，采用该光罩制得的顶发射AMOLED顶电极包括间隔平行排列的数个条形导电膜层，由于数个条形导电膜层之间设有数个狭缝，且狭缝处的透光率高，因此，与传统的整块顶电极相比，本发明的顶发射AMOLED顶电极的透光率高，在增强整个顶电极的透光率的同时降低了整个顶电极的反射率，可有效改善视角色偏并提升器件效率。本发明的顶发射AMOLED，含有上述顶发射AMOLED顶电极，可有效改善视角色偏并提升器件效率。
发射 amoled 极光电极

[发明专利]一种量子点发光二极管及其制备方法-CN201911421038.5在审
发明人：马兴远;徐威;范嘉城 -专利权人： TCL集团股份有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法，所述量子点发光二极管包括：底电极、量子点发光层、顶电极及顶电极增透层，所述量子点发光层位于所述底电极与所述顶电极之间，所述顶电极增透层位于所述顶电极上方并与所述顶电极贴合设置；所述顶电极为金属电极，所述顶电极增透层的材料包括磷钼酸。本发明以具有良好导电性的金属电极为顶电极，并在顶电极上设置一具有高折射率的含磷钼酸的顶电极增透层构筑得到的QLED，其具有的金属电极/含磷钼酸的顶电极增透层的电极结构保证了电极的导电性的同时，提高了电极的透光率；另外，含磷钼酸的顶电极增透层的存在，还起到隔离的作用，则提高了QLED器件的整体稳定性。
一种量子发光二极管及其制备方法

[实用新型]压电超声换能器-CN201920304516.3有效
发明人：牟笑静;易拥洁;周鸿;李东晓 -专利权人：重庆大学
申请日： 2019-03-12 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： B06B1/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种压电超声换能器；该压电超声换能器含有从上到下依次设置的顶电极层﹑压电层﹑底电极层﹑基底层和固定板，顶电极层中含有N个相同的顶电极单元，其中一个顶电极单元为中央顶电极单元，其余N‑1个顶电极单元为周边顶电极单元，N‑1个周边顶电极单元均匀分布在中央顶电极单元周围；每个顶电极单元中含有内电极片和外电极片，外电极片环绕在内电极片周围；N个顶电极单元中的内电极片连接在一起，N个顶电极单元中的外电极片连接在一起；基底层中设有N个空腔，N个空腔分别位于N个顶电极单元的正下方；本实用新型发射超声波时能力强﹑接收超声波时灵敏度高，且制作简单，可大规模阵列集成化。
顶电极外电极片压电超声换能器本实用新型顶电极层内电极片超声波基底层空腔大规模阵列从上到下底电极层依次设置电极片固定板集成化灵敏度能力强压电层环绕发射制作

[发明专利]电极具有空隙层和凸起结构的体声波谐振器、滤波器及电子设备-CN201911027015.6有效
发明人：庞慰;徐洋;郝龙;杨清瑞;张孟伦 -专利权人：诺思（天津）微系统有限责任公司
申请日： 2019-10-26 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种体声波谐振器，包括：基底；声学镜；底电极；顶电极；和压电层，设置在底电极与顶电极之间，其中：顶电极、底电极、声学镜和压电层在所述谐振器的厚度方向上的重叠区域限定所述谐振器的有效区域；所述顶电极包括空隙层、第一顶电极和第二顶电极，在谐振器的厚度方向上所述空隙层形成在第一顶电极与第二顶电极之间，第一顶电极与压电层形成面接触；且所述第一顶电极在有效区域内在有效区域的边缘设置有凸起结构，所述凸起结构的顶面高出有效区域中第一顶电极的上表面
电极具有空隙凸起结构声波谐振器滤波器电子设备

[发明专利]堆叠式电容器、半导体存储器件及制备方法-CN202010604966.1在审
发明人：崔锺武;金成基;王桂磊;杨涛;李俊峰;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-06-29 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种电容器，包括：底电极；介电层，介电层形成在底电极上；顶电极组件，顶电极组件形成在介电层上，顶电极组件包括自介电层的一侧依次层叠形成的第一顶电极、第二顶电极以及第三顶电极；其中，第一顶电极为金属层，第二顶电极为掺杂碳、硼的硅锗层，第三顶电极为掺杂硼的硅锗层。本申请通过在第一顶电极、第三顶电极之间形成掺杂碳、硼的硅锗层，这样在第一顶电极上形成了掺杂碳、硼的硅锗层与掺杂硼的硅锗层的双重结构，大大减少了电阻增加，同时还减少了掺杂硼的硅锗层的残余应力,降低其对电容器的介电层产生的机械应力
堆叠电容器半导体存储器件制备方法

[发明专利]用于芯片封装的IC载板及其制备方法和芯片封装结构-CN202210478234.1在审
发明人：韦业祥;卫璟霖;何忠亮;徐光泽;沈正 -专利权人：深圳市鼎华芯泰科技有限公司
申请日： 2022-05-05 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：IC载板包括框架电路和承载板，框架电路包括复数个按矩阵布置的单元电路、第一树脂层和第二树脂层，单元电路包括复数个电极，电极包括顶电极和底电极，顶电极和第一树脂层布置在第二树脂层的顶面上；第一树脂层包括与顶电极对应的顶电极孔，顶电极布置在顶电极孔中；第二树脂层包括与底电极对应的底电极孔，底电极布置在底电极孔中；顶电极的顶面包括可焊金属层，顶电极的顶面的可焊金属层为耐碱蚀金属层；底电极的顶部固定在顶电极的底面上，承载板可剥离地粘贴在第二树脂层和底电极的底面上本发明的顶电极与底电极的制作过程可以用相同的对位基准点识别，层间对位精度高。
用于芯片封装 ic 及其制备方法结构

[发明专利]磁性存储装置、形成方法及形成磁性随机存取存储器的方法-CN201910919993.5在审
发明人：廖韦豪;田希文;吕志伟;戴品仁;李忠儒 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-26 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种磁性存储装置、形成方法及形成磁性随机存取存储器的方法，其中磁性存储装置包含底电极、设置于底电极上的磁性穿隧接面，以及设置于磁性穿隧接面上的顶电极，其中顶电极包含第一顶电极层和于第一顶电极层上的第二顶电极层，且第二顶电极层厚于第一顶电极层。
磁性存储装置形成方法随机存取存储器

[发明专利]压电超声换能器及其工作方法-CN201910182208.2在审
发明人：牟笑静;易拥洁;周鸿;李东晓 -专利权人：重庆大学
申请日： 2019-03-12 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： B06B1/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种压电超声换能器及其工作方法；该压电超声换能器含有从上到下依次设置的顶电极层﹑压电层﹑底电极层﹑基底层和固定板，顶电极层中含有1个中央顶电极单元和N‑1个周边顶电极单元，周边顶电极单元均匀分布在中央顶电极单元周围；每个顶电极单元中含有内电极片和外电极片，外电极片环绕在内电极片周围；N个顶电极单元中的内电极片连接在一起，N个顶电极单元中的外电极片连接在一起；基底层中设有N个空腔，N个空腔分别位于N个顶电极单元的正下方；压电超声换能器可工作在差分电极和单电极模式下，可发射和接收超声波；本发明发射超声波时能力强﹑接收超声波时灵敏度高，且制作简单，可大规模阵列集成化，工作方法多样﹑灵活。
顶电极压电超声换能器外电极片超声波顶电极层内电极片基底层空腔大规模阵列从上到下底电极层依次设置发射单电极电极片分电极固定板集成化灵敏度能力强压电层环绕灵活制作

[发明专利]一种用于实现阻态连续变化的阵列忆阻器-CN201910352427.0在审
发明人：何南;刘鑫伟;张繆城;童祎;贺林;连晓娟;万相 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2019-04-28 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明揭示了一种用于实现阻态连续变化的阵列忆阻器，阵列忆阻器自下而上依次包括：底电极、阻变层和顶电极，底电极、阻变层和顶电极构成层状结构，所述底电极由至少10条相互平行，尺寸、材料相同的底电极条构成，顶电极由至少10条相互平行，尺寸、材料相同的顶电极条构成，顶电极条与底电极条相互垂直，且二者之间间隔一定距离；阻变层位于顶电极条和底电极条交叉位置的空隙中，阻变层的厚度为顶电极条底部和底电极条顶部之间的距离；顶电极和阻变层之间设置有过渡金属碳化物在阻变层和顶电极之间加入过渡金属碳化物有助于忆阻器两端在加正向电压时规范和促进阻变层中导电细丝的生长，赋予器件阻值缓变的类脑特性。
顶电极底电极阻变层忆阻器过渡金属碳化物阻态平行层状结构导电细丝交叉位置正向电压脑特性缓变垂直生长赋予

[实用新型]电极顶出机构-CN201921987697.0有效
发明人：魏云飞;王晓春;赵亚军;曲东升;彭方方;王强;孙培;张博文 -专利权人：常州铭赛机器人科技股份有限公司
申请日： 2019-11-18 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： B30B15/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电极顶出机构，包括：基板；电极安装部，所述电极安装部位于所述基板的上方且安装有电极组件；顶杆安装部，所述顶杆安装部位于所述基板的上方且与所述电极安装部相对设置；顶杆，所述顶杆的一端与所述顶杆安装部相连，所述顶杆的另一端朝向所述电极组件所在方向延伸；驱动件，所述驱动件能够驱动所述电极组件与所述顶杆之间发生相对运动以使所述顶杆的另一端与所述电极组件止抵并驱动所述电极组件的电极活动。该电极顶出机构结构简单，操作方便。
极顶机构

[发明专利]一种电致发光元件、透明显示装置和电致发光元件的制作方法-CN201911271455.6在审
发明人：王红琴;孙佳;史横舟;马金锁;许金平;王允军 -专利权人：苏州星烁纳米科技有限公司
申请日： 2019-12-12 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种电致发光元件，包括底电极、第一功能层、电致发光层、第二功能层和顶电极，第一功能层设置于所述底电极上；电致发光层设置于所述第一功能层上；第二功能层设置于所述电致发光层上；顶电极设置于所述第二功能层上；其中，所述顶电极为透明导电电极，所述顶电极为金属纳米线网络状结构，从而使得电致发光元件能够实现顶出光，顶电极完全由金属纳米线构成，整个顶电极的面电阻非常小，并且顶电极制作简便，降低了电致发光元件的生产制造成本
一种电致发光元件透明显示装置制作方法

[实用新型]一种电子玻璃融化炉用电极推进装置-CN202223573266.4有效
发明人：郎元贵;贺龙廷 -专利权人：湖南特玻智造科技有限公司;湖南特种玻璃研究院有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： C03B5/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电子玻璃融化炉用电极推进装置，包括电极推动机构和电极固定机构，其中：电极推动机构包括机架和安装在该机架上的电动推杆和滑动顶架，所述电动推杆推动滑动顶架水平移动，所述滑动顶架上连接有顶推，该顶推作用于电极，将电极推进到指定位置；所述顶推包括底部顶推和水平顶推，底部顶推，所述滑动顶架上装有千斤顶，该千斤顶使底部顶推能够上移，将电极一端稍稍抬起，用于减少电极与熔化炉底面砖的接触摩擦力。因此本实用新型有效提高了电极推进的效率，避免了电极推进时间较长影响融化炉参数等问题，提高了产品的良品率，并能使生产环境的安全性得到提高。
一种电子玻璃融化用电推进装置

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201310367330.X在审
发明人：申铉光 -专利权人：美格纳半导体有限公司
申请日： 2013-08-21 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：所述半导体器件包括:在其中形成有沟槽的半导体衬底;置于沟槽下侧内部的底电极，底电极具有不平坦的上表面;在底电极上部和沟槽侧壁上形成的绝缘层;和置于沟槽内侧底电极上部的顶电极，所述顶电极是不平坦的顶电极，其中所述顶电极构造为使得顶电极朝中央部倾斜。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件的制作方法以及半导体器件-CN202210360758.0在审
发明人：于志猛;何世坤 -专利权人：中电海康集团有限公司
申请日： 2022-04-07 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本申请提供了一种半导体器件的制作方法以及半导体器件，该方法包括：首先，提供包括衬底、底电极层、存储材料层、第一介质层以及顶电极层的基底，其中，衬底、底电极层、存储材料层以及第一介质层依次层叠，第一介质层包括第一开口，第一开口使得部分的存储材料层裸露，顶电极层位于第一开口内；然后，沿着第一方向去除部分顶电极层，剩余的顶电极层形成多个间隔设置的预备顶电极；之后，沿着第二方向去除部分预备顶电极，使得每个预备顶电极形成多个间隔的顶电极，第二方向垂直于第一方向；最后，以顶电极作为掩膜，刻蚀存储材料层，使得部分的底电极层裸露。通过改变去除面积，实现较小的顶电极的制作，保证了半导体器件尺寸满足发展需求。
半导体器件制作方法以及

[发明专利]顶发射型量子点发光二极管及其制备方法-CN201810949121.9在审
发明人：苏亮;谢相伟;眭俊;黄航;田亚蒙 -专利权人： TCL集团股份有限公司
申请日： 2018-08-20 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明涉及光电器件技术领域，具体提供一种顶发射型量子点发光二极管及其制备方法。所述顶发射型量子点发光二极管，包括顶电极，所述顶电极包括具有导电和透光功能的第一亚顶电极，以及层叠叠设于所述第一亚顶电极表面具有电接触功能的第二亚顶电极；所述第一亚顶电极、第二亚顶电极的层叠顺序为顺着光射出的方向层叠本发明的顶发射型量子点发光二极管将顶电极分成两个亚层结构，使得顶电极的透光率达到75％以上，同时兼具良好的导电性能，因此获得的顶发射型量子点发光二极管特别适用于平板显示、照明领域。
发射量子发光二极管及其制备方法

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