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[发明专利]半导体元器件-CN200810169287.5有效
发明人： D·埃泽尔特;S·伊勒克;W·施米德 -专利权人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
申请日： 2003-09-05 - 公布日： 2009-02-25 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体元器件。为了避免或者补偿元器件中的热应力，该半导体元器件具有一个发光的半导体层或者一个发光的半导体元件、两个接触点和一个水平结构化的载体基片。热应力由于温度变换并且因为半导体和载体基片不同的膨胀系数在加工和运行过程中产生。使载体基片结构化从而热应力充分地被避免或者被补偿，使得元器件不产生故障。
半导体元器件

[实用新型]半导体元器件-CN201721753171.7有效
发明人：曾繁川;苏健泉;戴威亮 -专利权人：广州飞虹友益电子科技有限公司
申请日： 2017-12-13 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体元器件，包括载芯板、工作芯片、SBD芯片、栅极引脚及漏极引脚，工作芯片及SBD芯片均设于载芯板上，载芯板上设有源极引脚，工作芯片分别与栅极引脚、漏极引脚及源极引脚电性连接，SBD上述半导体元器件，SBD芯片及工作芯片均为氮化镓芯片，可耐高温，同时SBD芯片可防止工作芯片被击穿，无论在工作温度较高或工作电压过高时，都不会发生损坏，工作稳定性较高。
工作芯片芯片载芯板半导体元器件漏极引脚氮化镓芯片电性连接源极引脚栅极引脚阴极本实用新型工作稳定性电路电性工作电压阳极耐高温击穿

[发明专利]用于钝化半导体元器件的玻璃和熔融焊料-CN202110274962.6在审
发明人： L·J·巴泰尔特;A·特瑞芝诺;J·金;S·皮克勒-威廉;M·莱茨;M·霍哈尼亚 -专利权人：肖特股份有限公司
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： C03C8/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于钝化半导体元器件的玻璃和熔融焊料、该玻璃或熔融焊料用于钝化半导体元器件的用途、钝化的半导体元器件以及用于钝化半导体元器件的方法。
用于钝化半导体元器件玻璃熔融焊料

[发明专利]改善半导体元器件性能的方法-CN200910054803.4无效
发明人：居建华;刘兵武;神兆旭 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-07-14 - 公布日： 2011-01-26 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明中公开了一种改善半导体元器件性能的方法，该方法包括：预先指定半导体元器件制造工艺中的至少一个工艺过程；对所述预先指定的工艺过程进行降低热预算的操作，降低整个制造工艺中的热预算的总量，改善半导体元器件性能通过使用上述的改善半导体元器件性能的方法，可减小SCE和NWE对半导体元器件所产生的不利影响，改善半导体元器件的性能。
改善半导体元器件性能方法

[发明专利]一种半导体虚设元器件的高度控制方法-CN201911028693.4在审
发明人：程丙坤 -专利权人：东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2019-10-28 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体虚设元器件的高度控制方法，包括以下步骤：(1)在半导体虚设元器件的正面切割2～5条互相平行的槽且在半导体虚设元器件的背面切割2～5条互相平行的槽，正面和背面的槽数量差值为1，正面的槽和背面的槽互相平行，半导体虚设元器件正面的槽和半导体虚设元器件背面的槽在平面上的相邻投影间的距离相等且不重合；(2)在半导体虚设元器件的槽底面和槽侧面沉积形成应力释放层，所述应力释放层的材料为硼硅玻璃或硼磷硅玻璃；(3)本发明方法通过对槽的数量和切割位置的限定，极大的降低了半导体虚设元器件的高度，减少了半导体虚设元器件铺设在半导体元器件的过程中对正常元器件造成阴影。
一种半导体虚设元器件高度控制方法

[实用新型]一种半导体元器件供料输送线-CN202222482240.2有效
发明人：陈伟明;陈树钊;康茂;单忠频;黄仁发;黄昌浩;薛克瑞;温炜杰 -专利权人：广东歌得智能装备有限公司
申请日： 2022-09-19 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： B07C5/02 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体元件输送技术领域，具体涉及一种半导体元器件供料输送线，半导体元器件供料输送线通过设置元器件分发机构和多轨道供料机构，元器件分发机构可以分别与多个元器件输送轨道对接实现向每个送料工位输送半导体元件，便于多个半导体元件同时供料进行产品检测，产品检测效率高。
一种半导体元器件供料输送

[发明专利]N沟道半导体元器件的制造方法及N沟道半导体元器件-CN201811088522.6在审
发明人：金兴成;陈晓亮;陈天 -专利权人：无锡华润微电子有限公司
申请日： 2018-09-18 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及一种N沟道半导体元器件的制造方法，形成栅极结构之后，通过在P阱表面表面注入中性杂质，然后再进行P阱表面注入第一N型杂质，因此上述制造方法可以与目前CMOS生产工艺的主流注入工艺兼容，制造方法简单且容易实现并且根据上述制造方法在N沟道半导体元器件中掺杂中性杂质，不影响N沟道半导体元器件的器件结构，对该N沟道半导体元器件的电参数(例如开启电压和饱和电流)影响很小，但是却可以有效抑制N沟道半导体元器件的热载流子注入效应，保证了N沟道半导体元器件的性能，提高N沟道半导体元器件的使用寿命。
沟道半导体元器件制造方法

[发明专利]一种半导体元器件中键合引线的返修方法-CN202211405440.6在审
发明人：黄芳;唐伟;赖升 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体元器件中键合引线的返修方法，包括：将待返修的半导体元器件放置在键合设备承片台上；通过AOI光学自动检测设备自动扫描系统获取半导体元器件目标焊点位置处键合引线的直径；根据目标焊点位置处键合引线的直径和键合引线的金属材质创建键合引线返修工具；使用键合引线返修工具将半导体元器件目标焊点处的键合引线与焊盘分离；使用等离子风枪吹淋分离的键合引线，直至半导体元器件的封装外壳内部未残留有分离的键合引线为止；在目标焊点处重新对键合引线进行键合，完成半导体元器件中键合引线的返修，通过本发明能够对半导体元器件中键合引线进行返修，提高半导体元器件的成品率。
一种半导体元器件中键合引线返修方法

[实用新型]一种汽车用半导体用固定装置-CN201820634165.8有效
发明人：尼博爱 -专利权人：三致锐新（杭州）科技有限公司
申请日： 2018-04-29 - 公布日： 2018-10-30 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种汽车用半导体用固定装置，包括半导体元器件，所述半导体元器件顶部固定连接有金属插针，且金属插针外侧设置有连接金属槽，所述半导体元器件前后端固定连接有半导体固定块，且半导体固定块内侧设置有第一螺丝钉该汽车用半导体用固定装置可以通过金属插针和连接金属槽将半导体元器件与固定底座进行扣合连接，并且形成电性连接结构，这样使得该装置的半导体元器件的安装非常方便，且可以通过第一螺丝钉对半导体元器件进行固定，而且该装置还设置有限位固定块，可以对半导体元器件进行限位，避免其偏移，起到固定的作用。
半导体元器件半导体固定块固定装置金属插针螺丝钉汽车用固定底座连接金属电性连接结构本实用新型限位固定块扣合连接外侧设置固定的偏移限位

[发明专利]一种光伏组件内部半导体元器件连接结构-CN201911371037.4在审
发明人：郭志球;王娟;金叶义 -专利权人：晶科能源科技（海宁）有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01L31/05 文献下载
摘要：本发明提供了一种光伏组件内部半导体元器件连接结构，包括多个呈阵列的半导体元器件，和连接相邻半导体元器件的多根导电条，半导体元器件的一侧面贴附若干条正电极，另一侧面贴附若干条负电极，沿阵列的每一横排中，相邻半导体元器件在同一面内按照正电极、负电极交替排布，导电条由一半导体元器件的正电极/负电极平直延伸至相邻半导体元器件的负电极/正电极，每相邻两片半导体元器件之间的多根导电条呈平行设置，沿阵列横排的上下面，分段式的导电条呈交错布设。本发明极大简化目前的焊接方案，降低焊接复杂度，提高焊接良率，减少组件面积，有效减低组件成本，增加元器件模块的输出功率，提高模块的输出效率。
一种组件内部半导体元器件连接结构

[实用新型]一种光伏组件内部半导体元器件连接结构-CN201922394478.8有效
发明人：郭志球;王娟;金叶义 -专利权人：晶科能源科技（海宁）有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H01L31/05 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种光伏组件内部半导体元器件连接结构，包括多个呈阵列的半导体元器件，和连接相邻半导体元器件的多根导电条，半导体元器件的一侧面贴附若干条正电极，另一侧面贴附若干条负电极，沿阵列的每一横排中，相邻半导体元器件在同一面内按照正电极、负电极交替排布，导电条由一半导体元器件的正电极/负电极平直延伸至相邻半导体元器件的负电极/正电极，每相邻两片半导体元器件之间的多根导电条呈平行设置，沿阵列横排的上下面本实用新型极大简化目前的焊接方案，降低焊接复杂度，提高焊接良率，减少组件面积，有效减低组件成本，增加元器件模块的输出功率，提高模块的输出效率。
一种组件内部半导体元器件连接结构

[发明专利]一种薄壁结构高脆性半导体元器件内外表面强化方法-CN202310585001.6有效
发明人：柳琪;纪纲;张鹏飞;潘晓龙;张于胜 -专利权人：西安稀有金属材料研究院有限公司
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C23C4/134 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄壁结构高脆性半导体元器件内外表面强化方法，包括以下步骤：步骤一、将薄壁结构高脆性半导体元器件固定在宝塔型弹性紧固装置，得到待加工组件；步骤二、将步骤一中得到的待加工组件中的高脆性半导体元器件的内外壁沉积涂层，完成对薄壁结构高脆性半导体元器件的性能提升。本发明通过表面改性技术，在高脆性半导体元器件的内外壁沉积涂层，提升薄壁结构高脆性半导体元器件性能和拓展应用范围，通过对制备工艺和涂层均匀化的协同设计，成功在薄壁结构高脆性半导体元器件表面沉积均匀、致密的功能涂层
一种薄壁结构脆性半导体元器件内外表面强化方法

[实用新型]一种便于安装的半导体电子元器件-CN202221821824.1有效
发明人：姚同振 -专利权人：苏州功捐健康科技有限公司
申请日： 2022-07-14 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H05K1/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种便于安装的半导体电子元器件，包括半导体电子元器件、z形板和引脚，所述半导体电子元器件一端热熔连接有z形板，所述z形板顶部两端贯穿套设有内螺纹管，所述内螺纹管内部通过螺纹槽连接有内六角堵丝本实用新型可以将半导体电子元器件和z形板粘连在电路板上，且在z形板固定后可以将半导体电子元器件顶在电路板上，方便对半导体电子元器件进行安装、固定，且可以对半导体电子元器件进行一定程度的保护。
一种便于安装半导体电子元器件

[发明专利]清除半导体元器件上残胶的方法及其专用设备-CN200610022335.9无效
发明人：邹利华 -专利权人：成都华冠精密电子机械有限公司
申请日： 2006-11-27 - 公布日： 2007-05-16 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种清除半导体元器件上残胶的方法及其专用设备，主要涉及半导体制造业。本发明要解决的问题是提供一种节约水资源、操作简单、环保的清除半导体元器件上残胶的方法及其专用设备。本发明所采用的技术方案是：清除半导体元器件上残胶的方法包括先将半导体元器件上的残胶切除，然后再将经过切除后仍然残留在半导体元器件上的残胶刷除；本发明还提供了一种实施清除半导体元器件上残胶的方法的专用设备本发明主要用来清除半导体制造过程中元器件上的残胶。
清除半导体元器件上残胶方法及其专用设备

[发明专利]氮化物半导体元器件-CN200610163962.4有效
发明人：长滨慎一;妹尾雅之;中村修二 -专利权人：日亚化学工业株式会社
申请日： 1998-01-08 - 公布日： 2007-05-16 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光元器件等的氮化物半导体元器件，是在一层或二层以上的氮化物半导体层所组成的n导电侧半导体区域与一层或二层以上的氮化物半导体层所组成的p导电侧半导体区域之间形成活性层的氮化物半导体元器件，所述p导电侧或n导电侧半导体区域的至少一层氮代物半导体层是分别由氮化物半导体所组成并且组成互异的第1层与第2层积层而成的超格子层。根据上述结构，即可降低元器件所用电流、电压，实现效率高的元器件。
氮化物半导体元器件

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