“妹尾雅之”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果16个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]氮化物半导体元器件-CN200610163962.4有效
发明人：长滨慎一;妹尾雅之;中村修二 -专利权人：日亚化学工业株式会社
申请日： 1998-01-08 - 公布日： 2007-05-16 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光元器件等的氮化物半导体元器件，是在一层或二层以上的氮化物半导体层所组成的n导电侧半导体区域与一层或二层以上的氮化物半导体层所组成的p导电侧半导体区域之间形成活性层的氮化物半导体元器件，所述p导电侧或n导电侧半导体区域的至少一层氮代物半导体层是分别由氮化物半导体所组成并且组成互异的第1层与第2层积层而成的超格子层。根据上述结构，即可降低元器件所用电流、电压，实现效率高的元器件。
氮化物半导体元器件

[发明专利]氮化物半导体元器件-CN200610163959.2有效
发明人：长滨慎一;妹尾雅之;中村修二 -专利权人：日亚化学工业株式会社
申请日： 1998-01-08 - 公布日： 2007-05-16 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光元器件等的氮化物半导体元器件，是在一层或二层以上的氮化物半导体层所组成的n导电侧半导体区域与一层或二层以上的氮化物半导体层所组成的p导电侧半导体区域之间形成活性层的氮化物半导体元器件，所述p导电侧或n导电侧半导体区域的至少一层氮代物半导体层是分别由氮化物半导体所组成并且组成互异的第1层与第2层积层而成的超格子层。根据上述结构，即可降低元器件所用电流、电压，实现效率高的元器件。
氮化物半导体元器件

[发明专利]氮化镓系Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体器件-CN200610100207.1无效
发明人：中村修二;山田孝夫;妹尾雅之;山田元量;板东完治 -专利权人：日亚化学工业株式会社
申请日： 1994-04-28 - 公布日： 2007-01-17 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种氮化镓系III－V族化合物半导体器件，包括：具有第一和第二主表面的衬底；和形成在所述衬底的第一主表面之上、含有n型氮化镓系III－V族化合物半导体层和p型氮化镓系III－V族化合物半导体层的半导体叠层结构；其中，所述p型半导体层设置在所述n型半导体层上，且平面为矩形形状；所述p型半导体层的平面矩形的对角线上的角部、存在露出所述n型半导体层的n型半导体的露出部分；在所述n型半导体层的露出部分中设置有第一电极，以及在所述p型半导体层中设置有透光性的第二电极。
氮化化合物半导体器件

[发明专利]氮化镓系Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体器件的制造方法-CN200510128773.9无效
发明人：中村修二;山田孝夫;妹尾雅之;山田元量;板东完治 -专利权人：日亚化学工业株式会社
申请日： 1994-04-28 - 公布日： 2006-10-11 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种氮化镓系III－V族化合物半导体器件的制造方法，该半导体器件具有形成在具有第一和第二主表面的衬底的第一主表面之上、含有n型氮化镓系III－V族化合物半导体层和p型氮化镓系III－V族化合物半导体层的半导体叠层结构，其中，所述制造方法包括下列步骤：形成所述半导体叠层结构的步骤；第二电极材料形成步骤，用于在所述p型半导体层上形成包含从铬、镍、金、钛、铂构成的一组材料中选出的至少两种材料的电极材料；以及热处理退火步骤，通过对所述第二电极材料和所述半导体叠层结构进行热处理，降低第二电极的接触电阻。
氮化化合物半导体器件制造方法

[发明专利]氮化物半导体元器件-CN200610004485.7有效
发明人：长滨慎一;妹尾雅之;中村修二 -专利权人：日亚化学工业株式会社
申请日： 1998-01-08 - 公布日： 2006-09-13 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光元器件等的氮化物半导体元器件，是在一层或二层以上的氮化物半导体层所组成的n导电侧半导体区域与一层或二层以上的氮化物半导体层所组成的p导电侧半导体区域之间形成活性层的氮化物半导体元器件，所述p导电侧或n导电侧半导体区域的至少一层氮代物半导体层是分别由氮化物半导体所组成并且组成互异的第1层与第2层积层而成的超格子层。根据上述结构，即可降低元器件所用电流、电压，实现效率高的元器件。
氮化物半导体元器件

[发明专利]氮化物半导体元器件-CN200610004486.1有效
发明人：长滨慎一;妹尾雅之;中村修二 -专利权人：日亚化学工业株式会社
申请日： 1998-01-08 - 公布日： 2006-09-13 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光元器件等的氮化物半导体元器件，是在一层或二层以上的氮化物半导体层所组成的n导电侧半导体区域与一层或二层以上的氮化物半导体层所组成的p导电侧半导体区域之间形成活性层的氮化物半导体元器件，所述p导电侧或n导电侧半导体区域的至少一层氮代物半导体层是分别由氮化物半导体所组成并且组成互异的第1层与第2层积层而成的超格子层。根据上述结构，即可降低元器件所用电流、电压，实现效率高的元器件。
氮化物半导体元器件

[发明专利]氮化物半导体元器件-CN200610004484.2有效
发明人：长滨慎一;妹尾雅之;中村修二 -专利权人：日亚化学工业株式会社
申请日： 1998-01-08 - 公布日： 2006-09-13 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光元器件等的氮化物半导体元器件，是在一层或二层以上的氮化物半导体层所组成的n导电侧半导体区域与一层或二层以上的氮化物半导体层所组成的p导电侧半导体区域之间形成活性层的氮化物半导体元器件，所述p导电侧或n导电侧半导体区域的至少一层氮代物半导体层是分别由氮化物半导体所组成并且组成互异的第1层与第2层积层而成的超格子层。根据上述结构，即可降低元器件所用电流、电压，实现效率高的元器件。
氮化物半导体元器件

[发明专利]氮化镓系Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体器件-CN200510128772.4无效
发明人：中村修二;山田孝夫;妹尾雅之;山田元量;板东完治 -专利权人：日亚化学工业株式会社
申请日： 1994-04-28 - 公布日： 2006-07-26 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种氮化镓系III－V族化合物半导体器件，该半导体器件包括：具有第一和第二主表面的衬底；形成在所述衬底的第一主表面之上、含有n型氮化镓系III－V族化合物半导体层和p型氮化镓系III－V族化合物半导体层的半导体叠层结构；设置在从所述p型半导体层露出的那部分n型半导体层上的第一电极；设置在所述p型半导体层上、具有露出所述p型半导体层的一部分的窗口部分的第二电极，以及设置在所述窗口部分、与所述第二电极电连接的焊盘电极。
氮化化合物半导体器件

[发明专利]半导体激光器元件及其制造方法-CN02810240.1有效
发明人：古川佳彦;岛田诚;木内章喜;落合真尚;妹尾雅之 -专利权人：日亚化学工业株式会社
申请日： 2002-06-12 - 公布日： 2004-06-30 - 主分类号： H01S5/02 文献下载
摘要：本发明的半导体激光器元件，在基板上设置具有被n型层和p型夹着的活性层的半导体层，半导体层具有蚀刻形成的谐振器面和从谐振器面出射方向突出的突出部，其特征在于，从谐振器面到突出部的端面设置保护膜，从谐振器面出射的激光的垂直方向的光放射分布的放射半角比放射临界角大。
半导体激光器元件及其制造方法

[发明专利]氮化镓系Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体器件-CN03145868.8无效
发明人：中村修二;山田孝夫;妹尾雅之;山田元量;板东完治 -专利权人：日亚化学工业株式会社
申请日： 1994-04-28 - 公布日： 2004-03-24 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种氮化镓系III－V族化合物半导体器件，包括：具有第一和第二主表面的衬底；形成在所述衬底的第一主表面上、包括n型氮化镓系III－V族化合物半导体层和p型氮化镓系III－V族化合物半导体层的半导体叠层结构；在除去设置在所述n型半导体层上的p型层后露出的n型层上形成的第一电极；形成在所述p型半导体层上的透光性的第二电极，以及覆盖住一部分所述第二电极表面、一部分露出的端面和一部分露出的n型半导体层表面的绝缘的透明保护膜。
氮化化合物半导体器件

[发明专利]氮化镓系Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体器件-CN03145869.6无效
发明人：中村修二;山田孝夫;妹尾雅之;山田元量;板东完治 -专利权人：日亚化学工业株式会社
申请日： 1994-04-28 - 公布日： 2004-03-24 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种氮化镓系III－V族化合物半导体器件，其特征在于包括：具有第一和第二主表面的衬底；形成在所述衬底的第一主表面上、包括n型氮化镓系III－V族化合物半导体层和p型氮化镓系III－V族化合物半导体层的半导体叠层结构；在除去设置在所述n型半导体层上的p型层后露出的n型层上形成的第一电极；以及形成在所述p型半导体层上的第二电极；其中，所述第二电极具有从由铬、镍、金、钛、铂构成的一组中选出的至少二种材料的金属材料。
氮化化合物半导体器件

[发明专利]氮化镓系Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体器件的制造方法-CN03145870.X无效
发明人：中村修二;山田孝夫;妹尾雅之;山田元量;板东完治 -专利权人：日亚化学工业株式会社
申请日： 1994-04-28 - 公布日： 2004-03-24 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种氮化镓系III－V族化合物半导体器件的制造方法，所述半导体器件具有形成在具有第一和第二主表面的衬底的第一主表面上、形成第一电极的n型氮化镓系III－V族化合物半导体层和形成第二电极的p型氮化镓系III－V族化合物半导体层的半导体叠层结构，其特征在于：对所述第二电极在形成金属层之后进行热处理，以改善透光性和欧姆性能。
氮化化合物半导体器件制造方法

[发明专利]氮化镓系化合物半导体发光器件-CN03145867.X无效
发明人：中村修二;山田孝夫;妹尾雅之;山田元量;板东完治 -专利权人：日亚化学工业株式会社
申请日： 1994-04-28 - 公布日： 2004-03-17 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种氮化镓系化合物半导体发光器件，在绝缘衬底上至少依次层叠的n型氮化镓系化合物半导体层和p型氮化镓系化合物半导体层，所述p型氮化镓系化合物半导体层的侧面为发光观察面，其特征在于：在所述p型氮化镓系化合物半导体层的整个表面上形成有透光的第一电极，同时在所述第一电极上形成有贯通该第一电极的一部分的切口状窗口；在所述窗口上形成有与第一电极电连接的焊接用第二电极，以及所述第二电极与p型氮化镓系化合物半导体层粘结得比第一电极牢固。
氮化化合物半导体发光器件

[发明专利]氮化物半导体元器件-CN98803128.0有效
发明人：长滨慎一;妹尾雅之;中村修二 -专利权人：日亚化学工业株式会社
申请日： 1998-01-08 - 公布日： 2000-04-05 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光元器件等的氮化物半导体元器件,是在一层或二层以上的氮化物半导体层所组成的n导电侧半导体区域与一层或二层以上的氮化物半导体层所组成的p导电侧半导体区域之间形成活性层的氮化物半导体元器件,所述p导电侧或n导电侧半导体区域的至少一层氮代物半导体层是分别由氮化物半导体所组成并且组成互异的第1层与第2层积层而成的超格子层。根据上述结构,即可降低元器件所用电流、电压,实现效率高的元器件。
氮化物半导体元器件

[发明专利]氮化镓系Ⅲ-Ｖ族化合物半导体器件及其制造方法-CN94106935.4无效
发明人：中村修二;山田孝夫;妹尾雅之;山田元量;板东完治 -专利权人：日亚化学工业株式会社
申请日： 1994-04-28 - 公布日： 1999-11-10 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种氮化镓系Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体器件具有在基片上形成的氮化镓系Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体层、及接连该半导体层形成的欧姆电极。欧姆电极包含金属材料，经退火处理。
氮化化合物半导体器件及其制造方法

1
2
下一页»
尾页
共 16 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top