专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种热插拔关断电路及服务器供电系统-CN201911117098.8有效
  • 李大利 - 苏州浪潮智能科技有限公司
  • 2019-11-15 - 2022-06-07 - H03K17/082
  • 本发明公开了一种热插拔关断电路,包括以下部件:MOSFET,MOSFET的漏极连接输入电压,源极连接输出电压;热插拔芯片,热插拔芯片包括栅极驱动引脚和电压斜率控制引脚栅极驱动引脚连接MOSFET的栅极,电压斜率控制引脚连接栅极驱动引脚;第一电容,第一电容第一端连接电压斜率控制引脚,第一电容第二端接地;其中,热插拔芯片配置为响应于栅极驱动引脚接收的电流信号大于阈值,断开电压斜率控制引脚栅极驱动引脚的连接本发明提出的热插拔关断电路和服务器供电系统通过断开电压斜率控制引脚栅极驱动引脚的连接,避免第一电容的影响,从而加快关断的速度。
  • 一种热插拔关断电服务器供电系统
  • [发明专利]液晶显示器、连接器以及测试所述液晶显示器的方法-CN200710180276.2有效
  • 南儇佑 - 三星电子株式会社
  • 2007-10-16 - 2008-06-25 - G02F1/133
  • 一种自己产生用于高压强度测试的高压的液晶显示器、用于测试该液晶显示器的连接器和测试该液晶显示器的方法,所述液晶显示器包括:具有无连接引脚、地引脚和从外部来源接收电源电压的输入引脚的内部连接器;以及连接到无连接引脚和地引脚的电源单元电源单元接收电源电压并输出栅极导通电压和栅极关断电压,根据在无连接引脚和地引脚之间是否存在电气连接来调整栅极导通电压和栅极关断电压的电平。栅极驱动单元接收栅极导通电压和栅极关断电压并输出栅极信号,并且具有多个像素的液晶面板接收栅极信号并响应于栅极信号显示图像。
  • 液晶显示器连接器以及测试方法
  • [发明专利]一种驱动电路、显示屏及电子设备-CN201210111944.7有效
  • 田清华;张钰枫 - 青岛海信电器股份有限公司
  • 2012-04-16 - 2012-08-01 - G09G3/36
  • 本发明公开了一种驱动电路、显示屏及电子设备,其中,驱动电路包括:M个栅极驱动器,与一显示屏连接,其中,M个栅极驱动器中每个栅极驱动器包括第一控制引脚,第二控制引脚,第三控制引脚,第四控制引脚;其中,第一控制引脚用于接收正向扫描控制信号,第二控制引脚用于接收反向扫描控制信号;第三控制引脚和第四控制引脚相连;第i个栅极驱动器的第四控制引脚和第i+1个栅极驱动器的第三控制引脚连接,第M个栅极驱动器的第四控制引脚和第M个栅极驱动器的第二控制引脚连接
  • 一种驱动电路显示屏电子设备
  • [实用新型]一种驱动电路、显示屏及电子设备-CN201220160326.7有效
  • 田清华;张钰枫 - 青岛海信电器股份有限公司
  • 2012-04-16 - 2012-11-07 - G09G3/36
  • 本实用新型公开了一种驱动电路、显示屏及电子设备,其中,驱动电路包括:M个栅极驱动器,与一显示屏连接,其中,M个栅极驱动器中每个栅极驱动器包括第一控制引脚,第二控制引脚,第三控制引脚,第四控制引脚;其中,第一控制引脚用于接收正向扫描控制信号,第二控制引脚用于接收反向扫描控制信号;第三控制引脚和第四控制引脚相连;第i个栅极驱动器的第四控制引脚和第i+1个栅极驱动器的第三控制引脚连接,第M个栅极驱动器的第四控制引脚和第M个栅极驱动器的第二控制引脚连接,M为大于等于2的整数,i为大于等于1且小于M的整数;N个源极驱动器,与显示屏连接,其中N为大于等于1的整数。
  • 一种驱动电路显示屏电子设备
  • [发明专利]一种级联型GaN功率器件封装结构-CN202310348421.2有效
  • 冯延晖;岳春晓;邱颖宁 - 南京理工大学
  • 2023-04-04 - 2023-08-22 - H01L25/18
  • 本发明公开一种级联型GaN功率器件封装结构,所述AIN层设置空腔,HEMT芯片位于AIN层空腔内,正置于框架基岛的上表面,MOSFET芯片位于AlN层上表面,HEMT芯片的栅极与MOSFET芯片的漏极形成面积堆叠;所述框架引脚包括框架栅极引脚、框架源极引脚和框架漏极引脚,框架栅极引脚、框架源极引脚和框架漏极引脚平行排列且垂直位于框架基岛的同一侧边;HEMT芯片的漏极与框架漏极引脚电气互连,MOSFET芯片的源极与框架源极引脚电气互连,MOSFET芯片的栅极与框架栅极引脚电气互连。
  • 一种级联gan功率器件封装结构
  • [实用新型]阵列基板及显示装置-CN202123303246.0有效
  • 张旭;康报虹 - 绵阳惠科光电科技有限公司;惠科股份有限公司
  • 2021-12-24 - 2022-05-10 - H01L27/12
  • 本申请属于显示领域,具体涉及一种阵列基板及显示装置,其中阵列基板包括在列方向上排布的显示功能区和外引脚结合区,所述显示功能区包括在行方向上排布的显示区和栅极驱动区,所述外引脚结合区包括第一引脚区和第二引脚区,所述第一引脚区的源极信号引脚通过第一引线与所述显示区内的电路电连接,所述第二引脚区的栅极信号引脚通过第二引线与所述栅极驱动区内的电路电连接,第一引脚区与第二引脚区之间的距离大于相邻栅极信号引脚之间的距离且大于相邻源极信号引脚之间的距离,使得第二引脚区内的栅极信号引脚更靠近栅极驱动区,从而可适当减小第二引线的走线长度,继而可适当减小线路的阻抗,使得驱动信号传递衰减也更小。
  • 阵列显示装置
  • [实用新型]一种DFN2020‑6单芯片高密度框架-CN201720510273.X有效
  • 罗天秀;樊增勇;崔金忠;李东;许兵;李宁;李超 - 成都先进功率半导体股份有限公司
  • 2017-05-10 - 2017-11-28 - H01L23/495
  • 本实用新型涉及半导体制造技术,具体涉及一种DFN2020‑6单芯片高密度框架,包括板状结构的矩形框架,在框架上设多个与DFN2020‑6封装结构相适应的芯片安装部,所述芯片安装部包括芯片安置区和引脚槽,所述芯片安装部为矩形结构,所述引脚槽包括源极引脚槽和栅极引脚槽,所述源极引脚槽和栅极引脚槽所占框架面积比大于41,且源极引脚槽和栅极引脚槽全部设置于芯片安装部的一个方位上。该框架将引线槽分成源极引脚槽和栅极引脚槽,分区布置引线,减少引脚槽设置,更将源极引脚槽和栅极引脚槽全部设置在芯片安装部的一个方位上,减小相邻芯片安装部之间的距离,提高材料利用率、减少生产成本。
  • 一种dfn2020芯片高密度框架
  • [发明专利]具有凹洞板互连的半导体封装-CN201110354530.2有效
  • 孙明;石磊;刘凯 - 万国半导体股份有限公司
  • 2008-04-30 - 2012-02-08 - H01L23/495
  • 此封装包含有引线框架、半导体芯片、图案化源极板、半导体芯片漏极区域与封装材料,引线框架具有漏极引脚、源极引脚栅极引脚,半导体芯片耦合到引线框架上,并具有若干金属化源极区域和一个金属化栅极区域,图案化源极板上形成有若干个凹洞,并用以使栅极引脚至半导体芯片的金属化栅极区域连接,半导体芯片漏极区域耦接于漏极引脚,而封装材料覆盖于至少一部分的半导体芯片、漏极引脚、源极引脚栅极引脚
  • 具有凹洞互连半导体封装
  • [发明专利]具有凹洞板互联的半导体封装-CN200880001385.6有效
  • 孙明;石磊;刘凯 - 万国半导体股份有限公司
  • 2008-04-30 - 2010-06-02 - H01L23/48
  • 此封装包含有引线框架、半导体芯片、图案化源极连接、半导体芯片漏极区域与封装材料,引线框架具有漏极引脚、源极引脚栅极引脚,半导体芯片耦合到引线框架上,并具有若干金属化源极区域和一个金属化栅极区域,图案化源极连接上形成有若干个凹洞,并用以使栅极引脚至半导体芯片的金属化栅极区域连接,半导体芯片漏极区域耦接于漏极引脚,而封装材料覆盖于至少一部分的半导体芯片、漏极引脚、源极引脚栅极引脚
  • 具有凹洞板互联半导体封装

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