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[实用新型]一种基于TO-220封装的多线径焊接功率器件-CN202120322050.7有效
发明人： 苏健泉;戴威亮;辜燕梅 -专利权人：广州飞虹微电子有限公司
申请日： 2021-02-04 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于TO‑220封装的多线径焊接功率器件，包括框架，所述框架上设置有芯片装载部和MOS管压焊接头；所述芯片装载部上装载有芯片；所述MOS管压焊接头包括S极压焊头、D极压焊头和G极压焊头；所述S极压焊头分别通过第一焊线、第二焊线和第三焊线与芯片焊接；所述G极压焊头通过第四焊线与芯片焊接；所述第一焊线、第二焊线、第三焊线和第四焊线的宽度均为20MIL；本实用新型通过设置第一焊线、第二焊线和第三焊线提高了TO‑220MOS管封装中S极压焊头的焊线数量，同时，TO‑220封装MOS管S极与芯片之间可以焊接20MIL的焊线，从而提升了产品的过电流能力，进一步提升了产品功率，有利于提高产品的良品率。
一种基于 to 220 封装多线径焊接功率器件

[实用新型]一种基于TO-252封装的功率器件-CN202120325633.5有效
发明人：邓杨华;苏健泉;辜燕梅 -专利权人：广州飞虹微电子有限公司
申请日： 2021-02-04 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于TO‑252封装的功率器件，包括框架；框架上对称凹设有第一装载部和第二装载部；第一装载部上间隔排列设置有多个第一载芯板；第二装载部上间隔排列设置有多个第二载芯板；每一第一载芯板上和每一第二载芯板上均封装有芯片；所述第一载芯板之间和所述第二载芯板之间均设置有锁胶孔；本实用新型通过设置第一装载部和第二装载部，从而增加了第一载芯板和第二载芯板的数量，进而提高了功率器件的承载能力，从而可以适应更多类型的大功率芯片装载，有效提高了工作效率，有效降低了生产成本，具有良好的经济效益；通过增加框架的厚度有效提高了框架的刚性和硬度，减少产品在作业过程容易变形异常，进一步提高了产品的良品率。
一种基于 to 252 封装功率器件

[实用新型]芯片封装结构及三极管-CN201721798879.4有效
发明人： 苏健泉;曾繁川;戴威亮 -专利权人：广州飞虹友益电子科技有限公司
申请日： 2017-12-18 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：本实用新型公开一种芯片封装结构，包括：载芯板；芯片，所述芯片固设于所述载芯板的承压面上；隔离层，所述隔离层涂覆或包覆在所述芯片的所有侧壁上；及，绝缘层，所述绝缘层涂覆或包覆在所述隔离层的外壁及所述载芯板的外壁上。上述芯片封装结构在使用时，所述芯片的侧壁上包覆或涂覆有隔离层，避免了在高温或高湿环境下，绝缘层中的离子或者杂质渗透至芯片，所述绝缘层包覆在所述绝缘层涂覆或包覆在所述隔离层的外壁及所述载芯板的外壁上，一方面可以达到对所述芯片绝缘处理的目的，另一方面可以保护芯片不被破坏。
绝缘层包覆芯片隔离层外壁芯片封装结构涂覆芯板侧壁本实用新型保护芯片高湿环境隔离层涂绝缘处理杂质渗透三极管载芯板承压固设离子

[实用新型]半导体元器件-CN201721753171.7有效
发明人：曾繁川;苏健泉;戴威亮 -专利权人：广州飞虹友益电子科技有限公司
申请日： 2017-12-13 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体元器件，包括载芯板、工作芯片、SBD芯片、栅极引脚及漏极引脚，工作芯片及SBD芯片均设于载芯板上，载芯板上设有源极引脚，工作芯片分别与栅极引脚、漏极引脚及源极引脚电性连接，SBD芯片的阴极与载芯板上的电路电性连接，SBD芯片的阳极与漏极引脚电性连接，工作芯片与SBD芯片均为氮化镓芯片。上述半导体元器件，SBD芯片及工作芯片均为氮化镓芯片，可耐高温，同时SBD芯片可防止工作芯片被击穿，无论在工作温度较高或工作电压过高时，都不会发生损坏，工作稳定性较高。
工作芯片芯片载芯板半导体元器件漏极引脚氮化镓芯片电性连接源极引脚栅极引脚阴极本实用新型工作稳定性电路电性工作电压阳极耐高温击穿

[实用新型]半导体场效应晶体管结构-CN201621094899.9有效
发明人：陈素鹏;苏健泉;曾繁川 -专利权人：广州飞虹友益电子科技有限公司
申请日： 2016-09-29 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种半导体场效应晶体管结构，包括载芯板、芯片、栅极引脚、源极引脚及导电片，所述载芯板设有漏极引脚，所述芯片设有漏极、栅极及源极，所述芯片固设于所述载芯板、且所述芯片的漏极通过所述载芯板与所述漏极引脚电连接，所述芯片的栅极与所述栅极引脚电连接，所述导电片的两端分别与所述芯片的源极及所述源极引脚粘接固定，使所述芯片的源极与所述源极引脚导通。该半导体场效应晶体管结构能提高晶体管的生产效率，提升晶体管的散热能力。
半导体场效应晶体管结构