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[发明专利]氮化物半导体发光器件及其制造方法-CN200580032508.9有效
发明人：李昔宪 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2005-08-19 - 公布日： 2007-08-29 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：氮化物半导体发光器件包括，第一氮化物半导体层，形成在第一氮化物半导体层上的第一Al掺杂氮化物半导体缓冲层，形成在第一Al掺杂氮化物半导体缓冲层上的有源层，形成在有源层上的第二氮化物半导体层。另一氮化物半导体发光器件包括，第一氮化物半导体层，形成在第一氮化物半导体层上的有源层，形成在有源层上的第二Al掺杂氮化物半导体缓冲层，形成在第二Al掺杂氮化物半导体缓冲层上的第二氮化物半导体层。再一氮化物半导体发光器件包括，第一氮化物半导体层，形成在第一氮化物半导体层上的第一Al掺杂氮化物半导体缓冲层，形成在第一Al掺杂氮化物半导体缓冲层上的有源层，形成在有源层上的第二Al掺杂氮化物半导体缓冲层，和形成在第二Al掺杂氮化物半导体缓冲层上的第二氮化物半导体层。
氮化物半导体发光器件及其制造方法

[发明专利]场效应晶体管-CN200980148577.4无效
发明人：按田义治;石田秀俊;上田哲三 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2009-11-12 - 公布日： 2011-11-09 - 主分类号： H01L21/338 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供低导通电阻的FET，本发明的FET包括：第一氮化物半导体层(103)；第二氮化物半导体层(104)，第二氮化物半导体层(104)被形成在第一氮化物半导体层(103)上，第二氮化物半导体层(104)的带隙能比第一氮化物半导体层(103)大；第三氮化物半导体层(105)，第三氮化物半导体层(105)被形成在第二氮化物半导体层(104)上；以及第四氮化物半导体层(106)，第四氮化物半导体层(106)被形成在第三氮化物半导体层(105)上，第四氮化物半导体层(106)的带隙能比第三氮化物半导体层(105)大，在第一氮化物半导体层(103)和第二氮化物半导体层(104)的异质结界面形成有沟道
场效应晶体管

[发明专利]Micro-LED外延片及制备方法-CN202210699021.1在审
发明人：闫其昂;王国斌 -专利权人：江苏第三代半导体研究院有限公司
申请日： 2022-06-20 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种Micro‑LED外延片的制备方法，包括以下步骤：S1、在衬底上生长n型氮化物层；S2、在n型氮化物层上生长氮化物插入层，氮化物插入层包括依次生长的第一n型氮化物插入层、第一p型氮化物插入层、第二n型氮化物插入层、第二p型氮化物插入层和第三n型氮化物插入层；第二n型氮化物插入层的掺杂浓度大于第一n型氮化物插入层、第一p型氮化物插入层、第二p型氮化物插入层和第三n型氮化物插入层的掺杂浓度；S3、在氮化物插入层上生长氮化物量子阱发光层；S4、在氮化物量子阱发光层上生长p型氮化物层。
micro led 外延制备方法

[发明专利]一种厚膜高阻氮化物半导体外延结构及其生长方法-CN201310673040.8有效
发明人：刘扬;倪毅强;贺致远;周德秋;张佰君 -专利权人：中山大学
申请日： 2013-12-12 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：发明涉及半导体材料外延生长领域，公开了一种厚膜高阻氮化物半导体外延结构及其生长方法。其外延结构由下至上依次包括衬底、成核层、应力缓冲层和氮化物材料层，氮化物材料层包括间隔布设的氮化物半导体材料层和新型基本氮化物复合夹层，氮化物半导体材料层位于应力缓冲层上方；新型基本氮化物复合夹层包括位于氮化物半导体材料层上方的第一氮化物夹层和位于第一氮化物夹层上方的第二氮化物夹层，第一氮化物夹层为p型，第二氮化物夹层为一层弛豫氮化物夹层，第二氮化物夹层包括铝和镓，并且氮化物材料层的总厚度至少2.0μm以上。本发明的半导体外延结构会在降低氮化物的位错密度、提高氮化物晶体质量的同时，大幅度降低外延层材料漏电流、提高外延层材料的击穿电压。
一种厚膜高阻氮化物半导体外延结构及其生长方法

[发明专利]一种氮化物外延片及其制备方法和半导体器件-CN202210873434.7在审
发明人：闫其昂;王国斌 -专利权人：江苏第三代半导体研究院有限公司
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L29/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化物外延片及其制备方法和半导体器件。该氮化物外延片包括衬底，设置于所述衬底上的氮化物缓冲层，设置于所述氮化物缓冲层上的氮化物外延层，所述氮化物外延层包括粗化调控层和至少一个氮化物工艺层，所述粗化调控层为交替层叠的氮化物调控生长层和氮化物调控中断层，所述氮化物调控中断层用于中断相邻两个氮化物调控生长层的连续性；在氮化物外延片厚度方向上，所述粗化调控层设置于氮化物工艺层上方，或者是设置于氮化物工艺层下方，或者是设置于两个氮化物工艺层之间。该氮化物外延片用于将氮化物表面粗化工艺从晶体质量工艺控制中分离出来，从而满足不同的外延技术需求。
一种氮化物外延及其制备方法半导体器件

[发明专利]氮化物材料的制备方法及氮化物材料-CN202010630174.1在审
发明人：梁智文;王琦;袁冶;王新强;汪青;张国义 -专利权人：北京大学东莞光电研究院
申请日： 2020-07-03 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体材料制备技术领域，具体涉及氮化物材料的制备方法及氮化物材料，氮化物材料的制备方法，包括以下步骤：提供衬底，在衬底的表面沉积氮化物，形成氮化物薄膜；采用离子注入方法，在氮化物薄膜中形成离子注入层，离子注入层将氮化物薄膜分隔形成第一氮化物膜与第二氮化物膜，第一氮化物膜附着于衬底上，第二氮化物膜远离衬底；在第二氮化物膜的表面沉积功能材料，形成功能材料层；自离子注入层剥离第二氮化物膜与功能材料层。
氮化物材料制备方法

[发明专利]半导体结构-CN202111512288.7在审
发明人：陈柏安 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种半导体结构，该半导体结构包括基板、第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、源极电极、漏极电极、第三氮化物半导体层、第四氮化物半导体层、第五氮化物半导体层以及栅极电极。第一氮化物半导体层以及第二氮化物半导体层依序堆叠于基板之上。源极电极以及漏极电极设置于第一氮化物半导体层之上。第四氮化物半导体层、第五氮化物半导体层、第三氮化物半导体层以及栅极电极依序堆叠于第二氮化物半导体层的顶面且位于源极电极以及漏极电极之间。第三氮化物半导体层以及第四氮化物半导体层具有P型掺杂。
半导体结构

[发明专利]发光二极管及其制备方法-CN201610267717.1有效
发明人：舒立明;叶大千;王良均;刘晓峰;吴超瑜;王笃祥;张东炎;陈沙沙 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2016-04-27 - 公布日： 2018-01-12 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管及其制备方法，该发光二极管结构包括第一类型氮化物区、发光区和第二类型氮化物区；第一类型氮化物区由多层第一氮化物层、第二氮化物层构成，第二类型氮化物区由多层第三氮化物层、第四氮化物层构成；且第二氮化物层、第四氮化物层分别具有指向对应第一氮化物层、第三氮化物层的高掺发射点；调整第二氮化物层、第四氮化物层分布层数及发射点密度、深度，载流子得到更大幅度的横向扩展，电流分布更加均匀，提高LED
发光二极管及其制备方法

[发明专利]氮化物半导体层叠体的制造方法和氮化物半导体层叠体-CN201580048531.0在审
发明人：田尻雅之;伊藤伸之;小河淳;藤重阳介;冈崎舞;远崎学 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2015-08-28 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： H01L21/338 文献下载
摘要：氮化物半导体层叠体的制造方法包括：在反应炉内在衬底的上方形成第1氮化物半导体层(12)的第1氮化物半导体层形成工序；在第1氮化物半导体层(12)的上方形成第2氮化物半导体层(13)的第2氮化物半导体层形成工序；和在第2氮化物半导体层(13)的上表面形成与第2氮化物半导体层(13)相比带隙大的第3氮化物半导体层(14)的第3氮化物半导体层形成工序。第2氮化物半导体层形成工序与第3氮化物半导体层形成工序之间不被中断，第3氮化物半导体层形成工序与第2氮化物半导体层形成工序连续地被实施。
氮化物半导体层叠制造方法

[发明专利]氮化物基半导体器件及其制造方法-CN202280004733.5在审
发明人：刘阳;杜卫星;游政昇;张铭宏 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种氮基半导体器件，包括第一氮化物基半导体层、第二氮化物基半导体层、掺杂氮化物基半导体层、氮化物基绝缘层、栅电极和钝化层。第二氮化物基半导体层设置在第一氮化物基半导体层上，第二氮化物基半导体层的带隙大于第一氮化物基半导体层的带隙。掺杂氮化物基半导体层设置在第二氮化物基半导体上方并具有第一宽度。氮化物基绝缘层设置在掺杂氮化物基半导体层上，并且具有小于第一宽度的第二宽度。栅电极设置在氮化物基绝缘层上方，并且具有大于第二宽度的第三宽度。钝化层设置在第二氮化物基半导体层上方，并且具有位于掺杂氮化物基半导体层和抵靠氮化物基绝缘层的栅电极。
氮化物半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件-CN202110123134.2有效
发明人：郝荣晖;黄敬源 -专利权人：英诺赛科（苏州）半导体有限公司
申请日： 2020-10-14 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：半导体器件包括第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、第一p型掺杂氮化物半导体层、栅极结构、源极、漏极以及第二p型掺杂氮化物半导体层。第二氮化物半导体层设置于第一氮化物半导体层上，且具有的带隙大于第一氮化物半导体层的带隙。第一p型掺杂氮化物半导体层设置于第二氮化物半导体层与栅极结构之间。源极以及漏极设置于第二氮化物半导体层上。第二p型掺杂氮化物半导体层设置于第二氮化物半导体层上，其中漏极至第二氮化物半导体层的顶面的高度大于第二p型掺杂氮化物半导体层至第二氮化物半导体层的顶面的高度，且至少一部分的第二p型掺杂氮化物半导体层于第二氮化物半导体层的垂直投影落在漏极于第二氮化物半导体层的垂直投影内
半导体器件

[发明专利]氮化物半导体元件和其制造方法-CN200480027878.9无效
发明人：川口靖利;岛本敏孝;石桥明彦;木户口勋;横川俊哉 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2004-09-24 - 公布日： 2006-11-01 - 主分类号： H01S5/323 文献下载
摘要：本发明的氮化物半导体元件包括：p型氮化物半导体层、n型氮化物半导体层以及夹持在所述p型氮化物半导体层和所述n型氮化物半导体层之间的激活层。p型氮化物半导体层具有：包含Al和Mg的第一p型氮化物半导体层、包含Mg的第二p型氮化物半导体层。第一p型氮化物半导体层位于所述激活层和所述第二p型氮化物半导体层之间，第二p型氮化物半导体层具有比第一p型氮化物半导体层的能带间隙大的能带间隙。
氮化物半导体元件制造方法

[发明专利]半导体结构-CN202211311890.9在审
发明人：林伯融;施英汝;曹正翰 -专利权人：环球晶圆股份有限公司
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：一种半导体结构，包括基板、第一氮化物层、极性反转层、第二氮化物层以及第三氮化物层。第一氮化物层位于基板上。极性反转层位于第一氮化物层的表面，以将第一氮化物层的非金属极性表面转换为极性反转层的金属极性表面。第二氮化物层位于极性反转层上。第三氮化物层位于第二氮化物层上。基板、第一氮化物层、极性反转层以及第二氮化物层包含铁元素。本发明的半导体结构抑制具有寄生通道产生的功效。
半导体结构

[发明专利]具有含铟盖层结构的Ⅲ族氮化物基量子阱发光器件结构-CN200580025327.3无效
发明人： M·J·伯格曼;D·T·埃默森 -专利权人：克里公司
申请日： 2005-06-24 - 公布日： 2007-07-25 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供了Ⅲ族氮化物基发光器件和Ⅲ族氮化物基发光器件制作方法。该发光器件包括：n型Ⅲ族氮化物层、该n型Ⅲ族氮化物层上并包括至少一个量子阱结构的Ⅲ族氮化物基有源区、该有源区上包含铟的Ⅲ族氮化物层、该包含铟的Ⅲ族氮化物层上包含铝的p型Ⅲ族氮化物层、该n型Ⅲ族氮化物层上的第一接触、以及该p型Ⅲ族氮化物层上的第二接触。该包含铟的Ⅲ族氮化物层还包括铝。
具有盖层结构氮化物量子发光器件

[发明专利]半导体装置-CN201610064455.9在审
发明人：吉冈启;洪洪;矶部康裕 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2016-01-29 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：根据实施方式，半导体装置具备第一氮化物半导体层与第二氮化物半导体层交替积层而成的第一积层型氮化物半导体层、第三氮化物半导体层、第四氮化物半导体层、漏极电极、源极电极、及栅极电极。第一氮化物半导体层包含含有碳的氮化镓。第二氮化物半导体层包含氮化铝铟。第三氮化物半导体层设置在第一积层型氮化物半导体层之上，且包含氮化镓。第四氮化物半导体层设置在第三氮化物半导体层之上，且包含氮化铝镓。漏极电极与源极电极设置在第四氮化物半导体层之上。栅极电极隔在漏极电极与源极电极之间。
半导体装置

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