专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]氮化物半导体元器件-CN200610163959.2有效
  • 长滨慎一;妹尾雅之;中村修二 - 日亚化学工业株式会社
  • 1998-01-08 - 2007-05-16 - H01L33/00
  • 本发明涉及一种发光元器件等的氮化物半导体元器件,是在一层或二层以上的氮化物半导体层所组成的n导电侧半导体区域与一层或二层以上的氮化物半导体层所组成的p导电侧半导体区域之间形成活性层的氮化物半导体元器件,所述p导电侧或n导电侧半导体区域的至少一层氮代物半导体层是分别由氮化物半导体所组成并且组成互异的第1层与第2层积层而成的超格子层。根据上述结构,即可降低元器件所用电流、电压,实现效率高的元器件
  • 氮化物半导体元器件
  • [发明专利]氮化物半导体元器件-CN200610004485.7有效
  • 长滨慎一;妹尾雅之;中村修二 - 日亚化学工业株式会社
  • 1998-01-08 - 2006-09-13 - H01L33/00
  • 本发明涉及一种发光元器件等的氮化物半导体元器件,是在一层或二层以上的氮化物半导体层所组成的n导电侧半导体区域与一层或二层以上的氮化物半导体层所组成的p导电侧半导体区域之间形成活性层的氮化物半导体元器件,所述p导电侧或n导电侧半导体区域的至少一层氮代物半导体层是分别由氮化物半导体所组成并且组成互异的第1层与第2层积层而成的超格子层。根据上述结构,即可降低元器件所用电流、电压,实现效率高的元器件
  • 氮化物半导体元器件
  • [发明专利]氮化物半导体元器件-CN200610004486.1有效
  • 长滨慎一;妹尾雅之;中村修二 - 日亚化学工业株式会社
  • 1998-01-08 - 2006-09-13 - H01L33/00
  • 本发明涉及一种发光元器件等的氮化物半导体元器件,是在一层或二层以上的氮化物半导体层所组成的n导电侧半导体区域与一层或二层以上的氮化物半导体层所组成的p导电侧半导体区域之间形成活性层的氮化物半导体元器件,所述p导电侧或n导电侧半导体区域的至少一层氮代物半导体层是分别由氮化物半导体所组成并且组成互异的第1层与第2层积层而成的超格子层。根据上述结构,即可降低元器件所用电流、电压,实现效率高的元器件
  • 氮化物半导体元器件
  • [发明专利]氮化物半导体元器件-CN200610004484.2有效
  • 长滨慎一;妹尾雅之;中村修二 - 日亚化学工业株式会社
  • 1998-01-08 - 2006-09-13 - H01L33/00
  • 本发明涉及一种发光元器件等的氮化物半导体元器件,是在一层或二层以上的氮化物半导体层所组成的n导电侧半导体区域与一层或二层以上的氮化物半导体层所组成的p导电侧半导体区域之间形成活性层的氮化物半导体元器件,所述p导电侧或n导电侧半导体区域的至少一层氮代物半导体层是分别由氮化物半导体所组成并且组成互异的第1层与第2层积层而成的超格子层。根据上述结构,即可降低元器件所用电流、电压,实现效率高的元器件
  • 氮化物半导体元器件
  • [发明专利]氮化物半导体元器件-CN98803128.0有效
  • 长滨慎一;妹尾雅之;中村修二 - 日亚化学工业株式会社
  • 1998-01-08 - 2000-04-05 - H01L33/00
  • 本发明涉及一种发光元器件等的氮化物半导体元器件,是在一层或二层以上的氮化物半导体层所组成的n导电侧半导体区域与一层或二层以上的氮化物半导体层所组成的p导电侧半导体区域之间形成活性层的氮化物半导体元器件,所述p导电侧或n导电侧半导体区域的至少一层氮代物半导体层是分别由氮化物半导体所组成并且组成互异的第1层与第2层积层而成的超格子层。根据上述结构,即可降低元器件所用电流、电压,实现效率高的元器件
  • 氮化物半导体元器件
  • [实用新型]一种具有夹持功能的半导体光电子器件测试装置-CN202122858479.0有效
  • 冯乔 - 深圳市康森美微电子有限公司
  • 2021-11-22 - 2022-06-14 - G01R31/26
  • 本实用新型公开了一种具有夹持功能的半导体光电子器件测试装置,涉及到半导体光电子元器件加工领域,包括支撑架和支撑台,所述支撑台上表面的左侧与支撑架的下表面固定连接,所述支撑架的前侧表面固定连接有第一电动机本实用新型半导体光电子元器件在进行检测时需要一种具有夹持功能的半导体光电子器件测试装置,半导体光电子元器件在检测时如果表面存在灰尘或者各种污渍,会对半导体仪器在检测时产生误差,从而导致半导体光电子元器件在使用时产生影响,进而导致成品在使用时会存在影响,所以需要对半导体光电子元器件进行清理,同时在给半导体光电子元器件进行清理的时候不能同时对两面进行清理,从而导致清理麻烦。
  • 一种具有夹持功能半导体光电子器件测试装置
  • [发明专利]信息识别方法、装置、系统和存储介质-CN202210821265.2在审
  • 刘文斌;王星;贺小林 - 珠海格力电器股份有限公司
  • 2022-07-13 - 2022-10-04 - G01R31/00
  • 该方法包括:采集设备所装配的半导体元器件的电压值;根据多个半导体元器件的电压与温度的对应关系中的每个对应关系,获取与电压值相对应的温度值;根据多个温度值与待匹配温度的差值,在多个对应关系中,选择与设备所装配的半导体元器件匹配的对应关系本公开无论设备安装的是哪个厂家的半导体元器件,通过上述方法,在多个厂家的半导体元器件的电压与温度的对应关系中,根据温度值与待匹配温度的差值,能够选择出与设备所装配的半导体元器件匹配的对应关系,进而能够降低设备所安装的半导体元器件与运行的温度检测程序搭配错误的问题
  • 信息识别方法装置系统存储介质
  • [实用新型]一种半导体元器件的散热结构-CN201420489436.7有效
  • 不公告发明人 - 北京贝威通石油科技有限公司
  • 2014-08-27 - 2014-12-17 - H01L23/367
  • 本实用新型公开了涉及半导体散热技术领域的一种半导体元器件的散热(热平衡)结构。该散热结构包括PCB板、焊在PCB板上的半导体元器件、导热硅脂和散热器,所述散热器上开设有孔洞,所述PCB板平压在所述散热器上,焊在PCB板上的半导体元器件置于所述散热器的孔洞内;所述导热硅脂填满半导体元器件和与其对应孔洞之间的空隙本实用新型通过改变棒状半导体元器件在PCB板和散热器上的合理排布和特殊的安装,使得棒状半导体元器件散热均衡,降低了热阻,减小了体积空间,该散热结构外形不受限制。
  • 一种半导体元器件散热结构

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