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[发明专利]一种AlGaP基紫外探测器及其制备方法-CN201810232299.1有效
发明人：李国强;郑昱林;王文樑 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2018-03-21 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明公开了一种AlGaP基紫外探测器及其制备方法，包括生长在衬底层上的AlP缓冲层，生长在AlP缓冲层上的非掺杂GaP层，非掺杂GaP层上的Si掺杂的n‑AlGaP层，所述Si掺杂的n‑AlGaP层的一侧表面覆盖有第一Au层，另一侧覆盖有i‑AlGaP层，所述i‑AlGaP层上覆盖有第二Au层。本发明提出的制备方法具有工艺简单、省时高效的优点，制备的紫外探测器可实现对紫外光的灵敏探测，可应用于紫外检测等领域，经济效益可观。
一种 algap 紫外探测器及其制备方法

[实用新型]一种MXenes/AlN基深紫外探测器-CN202222133719.5有效
发明人：唐鑫;李国强;郑昱林 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L31/108 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种MXenes/AlN基深紫外探测器，由下至上依次包括硅衬底、Ti3C2Tx层状材料和AlN纳米柱阵列，所述Ti3C2Tx层状材料上设有第一金属电极；所述AlN纳米柱阵列上设有第二金属电极，Ti3C2Tx层状材料和AlN纳米柱阵列之间形成的高肖特基势垒。本实用新型AlN NRs在Ti3C2Tx上的范德华异质外延，构建了无需外部电源的肖特基型深紫外光电探测器，器件表现出很高的深紫外光响应度和极快的响应速度，并且具有优异的稳定性。
一种 mxenes aln 深紫探测器

[实用新型]一种MoS2/AlN基深紫外光电探测器-CN202222134042.7有效
发明人：唐鑫;李国强;郑昱林 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L31/108 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种MoS2/AlN基深紫外光电探测器，由下至上依次包括硅衬底、二氧化硅层、二维MoS2材料层及低维AlN材料层，所述二维MoS2材料层设有第一金属电极，所述低维AlN材料层设有第二金属电极，所述二维MoS2材料层及低维AlN材料层构成高肖特基势垒，形成内建电场。本实用新型实现二维MoS2上低维AlN生长，构建了结型异质结，表现出自供电效应和很高的深紫外光响应度、快速响应能力。
一种 mos2 aln 深紫光电探测器

[发明专利]一种GaS薄膜及其制备方法和应用-CN202210256740.6有效
发明人：李国强;吴青;王文樑;郑昱林;唐鑫 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2022-03-16 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaS薄膜及其制备方法和应用，所述GaS薄膜的制备方法，包括以下步骤：采用化学气相沉积法，Ga2S3蒸气经过氢气还原后，在物理限域结构中的衬底上吸附、成核、晶核成长，制得所述GaS薄膜；所述物理限域结构包括两片上下平行设置的衬底。本发明提供的GaS薄膜的制备方法通过采用CVD法和物理限域结构相结合，实现制备出的GaS薄膜的厚度可控、结晶良好、生长均匀，该制备方法简单易操作，成本低廉，适用于大批量推广应用。本发明通过优化CVD工艺参数和空间限域间距，制备出厚度在0.1μm‑30μm内可调的、结晶良好的、生长均匀的GaS薄膜。
一种 gas 薄膜及其制备方法应用

[发明专利]一种MXenes上低维AlN材料制备方法及应用-CN202210972392.2在审
发明人：唐鑫;李国强;郑昱林 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L31/108 文献下载
摘要：本发明公开了MXenes上低维AlN材料制备方法及应用，包括，在Ti3C2Tx层状材料上制备得到AlN纳米柱阵列，Ti3C2Tx层状材料和AlN纳米柱阵列之间形成的高肖特基势垒。本发明AlN NRs在Ti3C2Tx上的范德华异质外延，构建了无需外部电源的肖特基型深紫外光电探测器，器件表现出很高的深紫外光响应度和极快的响应速度，并且具有优异的稳定性。
一种 mxenes 上低维 aln 材料制备方法应用

[发明专利]一种MoS2上低维AlN材料制备方法及应用-CN202210972481.7在审
发明人：唐鑫;李国强;郑昱林 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L31/108 文献下载
摘要：本发明公开了一种MoS2上低维AlN材料制备方法及应用，应用在光电探测器领域，通过化学气相沉积法在二氧化硅层制备不同厚度的二维MoS2材料层在电子束蒸发中，制备不同厚度的Al层正度，采用等离子体化学气相沉积法，制备不同厚度的低维ALN材料层生长，所述二维MoS2材料层及低维AlN材料层构成高肖特基势垒，形成内建电场。本发明实现二维MoS2上低维AlN生长，构建了结型异质结，表现出自供电效应和很高的深紫外光响应度、快速响应能力。
一种 mos2 上低维 aln 材料制备方法应用

[发明专利]一种光电探测器及其制备方法和应用-CN202210402154.8在审
发明人：王文樑;唐鑫;李国强;郑昱林;曹犇 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2022-04-18 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L31/0336 文献下载
摘要：本发明公开了一种光电探测器及其制备方法和应用。本发明的光电探测器的组成包括衬底、第一金属电极、第二金属电极、Nb掺杂的MoS2薄膜和GaN纳米线层，第一金属电极、第二金属电极和Nb掺杂的MoS2薄膜设置在衬底的同一面，Nb掺杂的MoS2薄膜与第一金属电极形成欧姆接触，GaN纳米线层与第二金属电极形成欧姆接触，GaN纳米线层与Nb掺杂的MoS2薄膜接触。本发明的光电探测器具有响应度高、响应速度快、宽光谱响应、稳定性优异等优点，且其制备过程简单、安全环保，适合进行大规模工业化应用。
一种光电探测器及其制备方法应用

[发明专利]一种蓝光探测器及其制备方法和应用-CN202210316539.2在审
发明人：李国强;吴青;王文樑;郑昱林;唐鑫 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L31/0328 文献下载
摘要：本发明公开了一种蓝光探测器及其制备方法和应用，该蓝光探测器包括依次层叠设置GaS薄膜层、InGaN薄膜层及衬底，所述GaS薄膜层上部分覆盖InGaN薄膜层；所述InGaN薄膜层上未覆盖GaS薄膜层的区域设有第一电极；所述GaS薄膜层上设有第二电极。所述GaS薄膜层为p型，所述InGaN薄膜层为n型，所述GaS薄膜层与所述InGaN薄膜层之间形成PN结。本发明中的蓝光探测器中，GaS薄膜层表面无悬挂键，InGaN薄膜层与GaS薄膜层之间具有良好的接触界面，可以降低暗电流，提高器件的比探测率，同时提高响应速度。
一种探测器及其制备方法应用

[发明专利]一种紫外探测器及其制备方法和应用-CN202210317233.9在审
发明人：李国强;唐鑫;王文樑;郑昱林;曹犇 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明公开了一种紫外探测器及其制备方法和应用。本发明的紫外探测器的组成包括依次层叠设置的衬底、GaN外延层、AlGaN势垒层和源‑漏电极层，AlGaN势垒层中设置有多个镁掺杂AlxGa1‑xN区域，x取0.01～0.5。本发明的紫外探测器的制备方法包括以下步骤：1)在衬底上依次外延生长GaN外延层和AlGaN势垒层；2)在AlGaN势垒层中形成镁掺杂AlxGa1‑xN区域；3)在AlGaN势垒层上沉积源‑漏电极层，即得紫外探测器。本发明的紫外探测器的暗电流小、灵敏度高、响应速度快，且其制备过程简单、无有害副产物产生，适合进行大规模量产。
一种紫外探测器及其制备方法应用

[发明专利]一种Mg掺杂增强过渡金属硫化物基可见光探测器及其制备方法-CN202111347895.2在审
发明人：李国强;曹犇;郑昱林;唐鑫 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2021-11-15 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明属于可见光探测器的技术领域，公开了一种Mg掺杂增强过渡金属硫化物基可见光探测器及其制备方法。所述可见光探测器包括从下至上依次设置的Si衬底层、InGaN层、Mg掺杂的过渡金属硫化物层和电极层。Mg掺杂的过渡金属硫化物层部分覆盖InGaN层。本发明还公开了可见光探测器的制备方法。本发明在InGaN表面部分沉积Mg金属层，利用化学气相沉积制备Mg掺杂TMDs层，引入大量的受主能级，实现了TMDs的p型掺杂，调控了载流子浓度。调控后的载流子优化了材料与电极间势垒高度，降低了暗电流，增强了整流比，提升了器件的响应速度，对于实现高性能、高灵敏的可见光通信用光电探测器具有重要意义。
一种 mg 掺杂增强过渡金属硫化物可见光探测器及其制备方法

[发明专利]一种n掺杂增强铟镓硫基可见光探测器及其制备方法-CN202111349724.3在审
发明人：李国强;郑昱林;柴吉星;吴青 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2021-11-15 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明属于可见光探测器的技术领域，公开了一种n掺杂增强铟镓硫基可见光探测器及其制备方法。所述可见光探测器自下至上依次包括基底、Sn掺杂的n型InxGa2‑xS3层、本征i‑InxGa2‑xS3层、p型InxGa2‑xS3层；本征i‑InxGa2‑xS3层部分覆盖Sn掺杂的n型InxGa2‑xS3层；n电极设置在未被覆盖的n型InxGa2‑xS3层上表面的一侧，p电极设置在p型InxGa2‑xS3层上。本发明还公开了可见光探测器的制备方法。本发明采用Sn作为n型掺杂源，实现了原位生长n型掺杂铟镓硫半导体，增强了光吸收，提高了光生载流子的密度和传输时间，获得了高灵敏的可见光探测器。
一种掺杂增强铟镓硫基可见光探测器及其制备方法

[实用新型]一种基于阻挡杂质带MSM型探测器-CN202021941180.0有效
发明人：李国强;陈胜;王文樑;刘红斌;柴吉星;郑昱林;唐鑫;孙佩椰 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2020-09-08 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H01L31/108 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于阻挡杂质带MSM型探测器，从上至下依次包括金属受光面电极、钝化层、半导体光吸收层、缓冲层/绝缘层及支撑衬底，所述金属受光面电极下端设置金属‑半导体接触层，所述金属‑半导体接触层被离子掺杂杂质阻挡带包围。所述金属‑半导体接触层形成了肖特基接触，具有一定高度的肖特基势垒；离子掺杂杂质阻挡带进一步增强了肖特基势垒，降低了暗电流，可以有效减小半导体光吸收层的掺杂浓度和光生载流子效率，增大器件光响应。
一种基于阻挡杂质 msm 探测器

[发明专利]一种基于阻挡杂质带MSM型探测器及其制备方法-CN202010934611.9在审
发明人：李国强;陈胜;王文樑;刘红斌;柴吉星;郑昱林;唐鑫;孙佩椰 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2020-09-08 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01L31/108 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于阻挡杂质带MSM型探测器及其制备方法，从上至下依次包括金属受光面电极、钝化层、半导体光吸收层、缓冲层/绝缘层及支撑衬底，所述金属受光面电极下端设置金属‑半导体接触层，所述金属‑半导体接触层被离子掺杂杂质阻挡带包围。所述金属‑半导体接触层形成了肖特基接触，具有一定高度的肖特基势垒；离子掺杂杂质阻挡带进一步增强了肖特基势垒，降低了暗电流，可以有效减小半导体光吸收层的掺杂浓度和光生载流子效率，增大器件光响应。
一种基于阻挡杂质 msm 探测器及其制备方法

[实用新型]一种基于核壳结构GaN-MoO3-CN201921860307.3有效
发明人：李国强;郑昱林;王文樑;唐鑫;陈胜;杨昱辉 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于核壳结构GaN‑MoO3纳米柱的自供电紫外探测器。所述自供电紫外探测器包括衬底、生长在衬底上的GaN纳米柱阵列、包覆在GaN纳米柱阵列上的MoO3纳米晶、包覆在MoO3纳米晶上的第一金属电极、设在GaN纳米柱阵列底端未覆盖MoO3纳米晶处的第二金属电极。本实用新型生长核壳结构GaN‑MoO3纳米柱的方法，利用了GaN‑MoO3异质结的PV效应，制备了自供电紫外探测器，极大程度减小了器件的尺寸体积，对光电集成器件应用前景重大。
一种基于结构 gan moo base sub

[实用新型]一种基于单层MoS2-CN201921860286.5有效
发明人：李国强;郑昱林;王文樑;唐鑫;柴吉星;孔德麒 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于单层MoS2薄膜/GaN纳米柱阵列的自供电紫外探测器。所述自供电紫外探测器，自下至上依次包括衬底、GaN纳米柱阵列、所述GaN纳米柱阵列顶上支撑着的单层MoS2薄膜；所述单层MoS2薄膜上设有第一金属电极；所述GaN纳米柱阵列底端处设有第二金属电极。本实用新型的自供电紫外探测器将单层MoS2薄膜转移至生长的GaN纳米柱阵列顶部形成异质结，并利用了MoS2‑GaN异质结的PV效应，极大程度减小了器件的尺寸体积，对光电集成器件应用前景重大。
一种基于单层 mos base sub

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