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[发明专利]外延生长装置和外延生长方法-CN201910980116.9在审
发明人：费璐;林志鑫;曹共柏;王华杰;董晨华;季文明 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2019-10-15 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： C30B25/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种外延生长装置和一种外延生长方法。所述外延生长装置的生长腔室上设置有允许用于在晶片上形成外延层的反应气体进入生长腔室内的进气口，当进行外延生长工艺的晶片的边缘部分具有晶向不同的较快区和较慢区且外延层在较快区比在较慢区生长更快时，进气口在较快区旋转经过时提供的反应气体的进气速率小于在较慢区旋转经过时提供的反应气体的进气速率所述外延生长装置可以调节外延层在不同晶向上的沉积，有助于获得厚度均一的外延层，提高外延晶片的质量。所述外延生长方法与所述外延生长装置具有相同或类似的特点，可以不改变外延生长装置的结构而提高外延层的厚度均一性，降低外延晶片的局部平直度，灵活性高。
外延生长装置外延层反应气体进气口外延晶片外延生长进气晶片外延生长工艺厚度均一性厚度均一生长腔室平直度生长腔沉积晶向室内生长

[发明专利]外延生长设备和外延生长方法-CN201910979234.8在审
发明人：费璐;林志鑫;曹共柏;王华杰;董晨华;季文明 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2019-10-15 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： C30B25/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种外延生长设备和一种外延生长方法。所述外延生长设备的腔体上设置有第一进气口和第二进气口，第一进气口允许用于在晶片上形成外延层的反应气体进入腔体，第二进气口允许用于阻止外延层的沉积的刻蚀气体进入腔体，当晶片的边缘部分具有晶向不同的较快区和较慢区且外延层在较快区比在较慢区生长更快时，在外延过程中，随着晶片的旋转，第二进气口在较快区旋转经过时提供的刻蚀气体的进气速率大于在较慢区旋转经过时提供的刻蚀气体的进气速率，从而刻蚀气体对于较快区的外延层的去除效率更大，可以对较快区和较慢区的外延生长进行调节，有助于提高外延层的厚度均一性，降低局部平直度，提高外延晶片的质量。
进气口外延层刻蚀气体晶片外延生长设备外延生长进入腔进气厚度均一性反应气体外延过程外延晶片平直度晶向腔体去除沉积生长

[发明专利]外延生长基座与外延生长方法-CN02809679.7有效
发明人：石桥昌幸;J·F·克鲁格;土肥敬幸;堀江大造;藤川孝 -专利权人：三菱住友硅晶株式会社
申请日： 2002-12-23 - 公布日： 2004-09-01 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：一种用于外延生长设备和方法中的基座，其中，多个圆形通孔被制作在凹坑底部壁中向着圆形底部壁的中心达大约1/2半径距离的外围区域中。这些通孔的总开口表面积为底部壁表面积的0.05－55％。在半导体晶片被安装在凹坑中之后，在使源气体和载气(亦即反应气体)在基座的上表面侧流动，并使载气在下表面侧流动的情况下，进行外延生长。
外延生长基座方法

[发明专利]外延生长方法以及外延生长用衬底-CN03825528.6有效
发明人：中村正志;栗田英树 -专利权人：株式会社日矿材料
申请日： 2003-05-14 - 公布日： 2005-12-14 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：一种外延生长方法，其通过衬底支撑工具保持生长用衬底(例如InP衬底)，利用有机金属气相生长法使包含3元素或4元素的化合物的半导体层(例如InGaAs层、AlGaAs层、AlInAs层、AlInGaAs层等III－V族化合物半导体层)在所述生长用衬底上生长，其特征在于，在遍及衬底的整个有效利用区域抛光，以使自(100)方向的倾斜角度为0.00°～0.03°或0.04°～0.24°，使用该生长用衬底在衬底上以
外延生长方法以及衬底

[发明专利]外延生长装置-CN201410823762.1在审
发明人：吉武贯;冈本王孝;东海林春树 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2014-12-26 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及外延生长装置。在本文中公开了一种用于在晶片的表面上生长外延层的外延生长装置。
外延生长装置

[发明专利]外延生长设备-CN201510988437.5在审
发明人：黄小辉;杨斌;滕龙;康建;梁旭东 -专利权人：圆融光电科技股份有限公司
申请日： 2015-12-23 - 公布日： 2016-04-20 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明提供一种外延生长设备，包括：反应室、控制装置、测量装置；其中，控制装置分别与测量装置和反应室连接；待生长外延片设置在反应室内部的生长载体上；测量装置设置在反应室的窗口的上方；测量装置，用于实时测量待生长外延片的当前量子阱层的温度和波长，并将当前量子阱层的温度和波长发送给控制装置；控制装置，用于控制反应室生长待生长外延片，并根据当前量子阱层的温度和波长，以及预设反应参数，调整反应室在生长待生长外延片的下一量子阱层时的温度；预设反应参数包括待生长外延片的目标波长本发明提供的外延生长设备，能够提高外延片的成品率。
外延生长设备

[发明专利]外延生长设备-CN201610353583.5在审
发明人：刘源;保罗·邦凡蒂 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2016-05-25 - 公布日： 2017-12-05 - 主分类号： C30B25/08 文献下载
摘要：本发明提供一种外延生长设备，所述外延生长设备包括一反应室，所述反应室的内表面设有反射层，所述反射层上设有保护层。本发明提供的外延生长设备，通过在反应室内表面的反射层上设置保护层，从而延缓所述反射层的表面在高温下的形变，因此延长了所述反射层的使用寿命，降低了生产成本，提高了生产效率。
外延生长设备

[发明专利]外延生长装置-CN202110525995.3在审
发明人：三重野文健 -专利权人：顾赢速科技（合肥）有限公司
申请日： 2021-05-13 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： C30B25/14 文献下载
摘要：本发明提供了外延生长装置，其特征在于包括反应腔室和真空锁，反应腔室具有若干个加热器排列成圆圈，反应腔室具有进气和排气通路，反应腔室还设有分隔装置能够喷出气体来屏蔽每个加热器，反应腔室还设有晶圆装卸器装卸加热器上的晶圆本发明提高了外延工艺的产能通量。
外延生长装置

[发明专利]外延生长装置-CN202210428945.8在审
发明人：王树林;曹建伟 -专利权人：浙江求是半导体设备有限公司
申请日： 2022-04-22 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： C30B25/12 文献下载
摘要：本申请涉及外延生长装置，外延生长装置包括炉体，炉体设有反应腔，反应腔内分别设有水平设置的第一反应基座和第二反应基座，第一反应基座和第二反应基座沿着水平方向间隔设置。本申请提供的外延生长装置，解决了现有的外延炉的外延层产出效率过低的问题。
外延生长装置

[发明专利]外延生长装置-CN202310284431.4在审
发明人：曹建伟;沈文杰;朱凌锋;沈加富;罗通;刘道源 -专利权人：浙江求是创芯半导体设备有限公司
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： C30B25/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种外延生长装置，所述外延生长装置包括壳体、隔板、基座、进气组件和排气组件，所述壳体上具有腔室，所述隔板设于所述腔室内，所述隔板将所述腔室分隔为第一空腔和第二空腔，所述隔板上具有沿其厚度方向延伸的避让孔本发明实施例的外延生长装置具有外延工艺质量好等优点。
外延生长装置

[发明专利]外延生长装置-CN201380054803.9有效
发明人：冈部晃;森义信 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2013-10-28 - 公布日： 2018-05-18 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明提供一种能使生长速度提高的外延生长装置。外延生长装置包括：反应室，由载置基板的基板载置部、具有透光性的顶板及侧壁部而划分；加热单元，设置于反应室外部，且将载置于反应室内的基板经由所述顶板来进行加热；以及反应气体导入单元，与基板的水平方向相平行地向反应室内导入反应气体
外延生长装置

[发明专利]外延生长装置-CN201810343931.X有效
发明人：冈部晃;森义信 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2013-10-28 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供一种能使生长速度提高的外延生长装置。外延生长装置包括：反应室，由载置基板的基板载置部、具有透光性的顶板及侧壁部而划分；加热单元，设置于反应室外部，且将载置于反应室内的基板经由所述顶板来进行加热；以及反应气体导入单元，与基板的水平方向相平行地向反应室内导入反应气体
外延生长装置

[发明专利]外延生长设备-CN201210444086.8有效
发明人：董志清 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2012-11-08 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： C30B25/10 文献下载
摘要：本发明提供一种外延生长设备，其包括反应腔室和加热单元，其中，反应腔室的腔室侧壁采用石英制作；加热单元围绕在腔室侧壁的外侧，并透过腔室侧壁朝向反应腔室的内部辐射热量。
外延生长设备

[发明专利]外延生长装置-CN202110873786.8有效
发明人：汪延成;程佳峰;沈文杰;梅德庆;郑丽霞;周建灿;张秋成 -专利权人：浙江晶盛机电股份有限公司;浙江求是半导体设备有限公司
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： C30B25/10 文献下载
摘要：本发明涉及半导体外延生长技术领域，特别是涉及一种外延生长装置，该外延生长装置包括至少一个托盘、加热体和至少一组线圈组件；加热体内具有工作空间，托盘位于工作空间内，线圈组件沿加热体周向围设在加热体外；每组线圈组件具有一基点本申请中每个独立的子线圈将托盘上的区域划分为多个独立加热的子区域，每个独立的子线圈对托盘上对应的子区域进行单独加热，从而实现托盘表面温度分区可控；即可调整托盘上对应的子区域的温度，降低各个子区域之间的温度差值，以提高托盘上生长的外延层的质量
外延生长装置

[发明专利]外延生长装置-CN202110606879.4有效
发明人：朱亮;沈文杰;周建灿;程佳峰;张秋成;傅林坚;曹建伟;杨奎 -专利权人：浙江求是半导体设备有限公司;浙江晶盛机电股份有限公司
申请日： 2021-06-01 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本发明提供一种外延生长装置，包括感应线圈和反应体，所述感应线圈围设于所述反应体周侧；所述反应体包括加热座、多个托盘；所述加热座内具有多个工作空间，所述托盘位于所述工作空间内，且每个托盘对应一所述工作空间本申请提供的外延生长装置具有多个工作空间，可同时生成多个外延层，提高工作效率，有效提高产量；同时，通过对多个托盘的独立控制，确保每个托盘上生产的产品品质优良，且同批次中生产的产品质量一致。
外延生长装置

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