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[发明专利]基于极性/非极性异质结的光伏器件及其制备方法-CN201310039943.0无效
发明人：曾长淦;梁海星;成龙;邓昕洲 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2013-02-01 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： H01L31/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于极性/非极性异质结的光伏器件及其制备方法，所述光伏器件包括非极性层和极性层，其中，所述非极性层为使用非极性材料的基片；所述极性层为沉积在所述非极性层上的极性材料薄膜。本发明还公开了一种基于极性/非极性异质结的光伏器件的制备方法。本发明公开的基于极性/非极性异质结的光伏器件的结构简单，制备容易；所述光伏器件仅仅在非极性基片上沉积几个晶胞层的极性材料即可实现可观的光伏效应。
基于极性异质结器件及其制备方法

[发明专利]非极性InAlN/GaN高电子迁移率晶体管及制备方法-CN201810945870.4在审
发明人：张雅超;任泽阳;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2018-08-20 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种非极性InAlN/GaN高电子迁移率晶体管及制备方法，其制备方法包括步骤：S1、选取非极性GaN材料作为衬底；S2、在衬底上生长GaN，形成非极性沟道层；S3、在非极性沟道层上生长InAlN，形成非极性势垒层；S4、在非极性沟道层和非极性势垒层内制作源极和漏极，在非极性势垒层上制作栅极，得到非极性InAlN/GaN高电子迁移率晶体管。本发明实施例的非极性InAlN/GaN高电子迁移率晶体管的制备方法在一定工艺条件下，形成了非极性的沟道层和势垒层，非极性沟道层和非极性势垒层形成非极性异质结构，非极性异质结构能够对自发极化及压电极化进行调制
非极性沟道层势垒层高电子迁移率晶体管制备异质结构衬底工艺条件极化电荷压电极化自发极化增强型制作源生长调制沟道漏极制作

[发明专利]一种非极性InAlN/GaN高电子迁移率晶体管及制备方法-CN201810945840.3有效
发明人：张雅超;张涛;任泽阳;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2018-08-20 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种非极性InAlN/GaN高电子迁移率晶体管及制备方法，制备方法包括：在衬底上生长成核层材料，形成成核层；在成核层上以第一条件生长GaN，形成非极性缓冲层；在非极性缓冲层上以第二条件生长GaN，形成非极性沟道层；在非极性沟道层上生长InAlN，形成非极性势垒层；在非极性沟道层和非极性势垒层内制作源极和漏极，在非极性势垒层上制作栅极，得到非极性InAlN/GaN高电子迁移率晶体管。本发明实施例的非极性InAlN/GaN高电子迁移率晶体管的制备方法形成了非极性沟道层和非极性势垒层，从而形成非极性异质结构，非极性异质结构能够对自发极化及压电极化进行调制，从而抑制沟道内高密度极化电荷的产生
一种极性 inaln gan 电子迁移率晶体管制备方法

[发明专利]非极性InAlN/GaN高电子迁移率晶体管及制备方法-CN201910060484.1有效
发明人：张雅超;马晓华;任泽阳;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-01-22 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种非极性InAlN/GaN高电子迁移率晶体管及制备方法，其制备方法包括步骤：S1、选取非极性GaN材料作为衬底；S2、在衬底上生长GaN，形成非极性沟道层；S3、在非极性沟道层上生长InAlN，形成非极性势垒层；S4、在非极性沟道层和非极性势垒层内制作源极和漏极，在非极性势垒层上制作栅极，得到非极性InAlN/GaN高电子迁移率晶体管。本发明实施例的非极性InAlN/GaN高电子迁移率晶体管的制备方法在一定工艺条件下，形成了非极性的沟道层和势垒层，非极性沟道层和非极性势垒层形成非极性异质结构，非极性异质结构能够对自发极化及压电极化进行调制
极性 inaln gan 电子迁移率晶体管制备方法

[发明专利]一种改性非极性橡胶及其制备方法-CN201210536821.8有效
发明人：于琦周;张学全;李柏林;白晨曦;那丽华;张春雨;毕吉福;代全权;张贺新;张新惠 -专利权人：中国科学院长春应用化学研究所
申请日： 2012-12-12 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： C08L9/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种改性非极性橡胶的制备方法，包括：将非极性橡胶、极性树脂与配合剂在溶剂中反应，得到改性非极性橡胶；所述配合剂包括偶联剂。由于偶联剂具有极性基团与非极性基团，使极性树脂与非极性橡胶具有较好的相容性，从而实现极性树脂改性非极性橡胶的目的，使改性后的非极性橡胶具有较好的耐油性与耐老化性。另一方面，所述极性树脂、配合剂与非极性橡胶在溶剂中混合，避免了配合剂在橡胶中分散不均而团聚的问题，使配合剂充分发挥作用，实现了非极性橡胶的改性。实验结果表明，改性后的非极性橡胶的耐油性提高了15%~60%，耐老化性提高了5%~15%。
一种改性极性橡胶及其制备方法

[发明专利]生长在LiGaO₂衬底上的非极性蓝光LED外延片及其制备方法-CN201210534778.1有效
发明人：李国强;杨慧 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2012-12-11 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明公开了生长在LiGaO2衬底上的非极性蓝光LED外延片，包括由下至上依次排列的LiGaO2衬底、非极性m面GaN缓冲层、非极性m面GaN外延层、非极性非掺杂GaN层、非极性n型掺杂GaN薄膜、非极性InGaN/GaN量子阱层、非极性p型掺杂GaN薄膜。本发明还公开了上述生长在LiGaO2衬底上的非极性蓝光LED外延片的制备方法。与现有技术相比，本发明具有生长工艺简单，制备成本低廉的优点，且制备的非极性蓝光LED外延片缺陷密度低、结晶质量好，电学、光学性能好。
生长 ligao sub 衬底极性 led 外延及其制备方法

[发明专利]制备非极性A面GaN薄膜的方法-CN201210313725.7无效
发明人：赵桂娟;李志伟;桑玲;魏鸿源;刘祥林;朱勤生;杨少延;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2012-08-29 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种制备非极性A面GaN薄膜的方法。该方法包括：在衬底上生长非极性A面InGaN柔性层；在非极性A面InGaN柔性层生长非极性A面GaN缓冲层；对非极性A面InGaN柔性层和非极性A面GaN缓冲层进行退火，形成自组装横向外延模板；以及在自组装横向外延模板上生长非极性采用本发明自组装纳米尺度的横向外延模板可以改善薄膜质量，获得具有较高晶体质量的非极性GaN薄膜。
制备极性 gan 薄膜方法

[实用新型]生长在LiGaO₂衬底上的非极性掺杂GaN薄膜-CN201220684195.2有效
发明人：李国强;杨慧 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2012-12-11 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了生长在LiGaO2衬底上的非极性掺杂GaN薄膜，包括由下至上依次排列的LiGaO2衬底、非极性m面GaN缓冲层、非极性m面GaN外延层、非极性掺杂GaN薄膜；所述非极性GaN薄膜为非极性p型GaN薄膜或非极性n型GaN薄膜。与现有技术相比，本实用新型具有生长工艺简单，制备成本低廉的优点，且制备的非极性掺杂GaN薄膜缺陷密度低、结晶质量好，电学性能好。
生长 ligao sub 衬底极性掺杂 gan 薄膜

[实用新型]生长在LiGaO₂衬底上的非极性蓝光LED外延片-CN201220684170.2有效
发明人：李国强;杨慧 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2012-12-11 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了生长在LiGaO2衬底上的非极性蓝光LED外延片，包括由下至上依次排列的LiGaO2衬底、非极性m面GaN缓冲层、非极性m面GaN外延层、非极性非掺杂GaN层、非极性n型掺杂GaN薄膜、非极性InGaN/GaN量子阱层、非极性p型掺杂GaN薄膜。与现有技术相比，本实用新型具有生长工艺简单，制备成本低廉的优点，且制备的非极性蓝光LED外延片缺陷密度低、结晶质量好，电学、光学性能好。
生长 ligao sub 衬底极性 led 外延

[发明专利]一种单分散极性异性Janus核壳结构凝胶微球及其制备方法和所用的微流体控制装置-CN201410103158.1有效
发明人：常振旗;吴林军 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2014-03-19 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： B01J13/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种单分散极性异性Janus核壳结构凝胶微球及其制备方法和所用的微流体控制装置，其特征在于：配制极性和非极性的两种分散相溶液、极性成核相溶液和连续相溶液，首先在非极性分散相溶液的剪切作用下，极性成核相在非极性分散相溶液中形成极性核液滴，然后在连续相溶液的剪切作用下，极性和非极性分散相溶液接触形成两个半球极性不同的Janus液滴，此时非极性半球内已经包含了极性核液滴。控制成核相溶液的流量，可以控制极性异性Janus核壳结构液滴非极性部分内极性核的数目；控制极性和非极性分散相的流量比，可以控制极性异性Janus核壳结构液滴的形貌；对液滴进行固化，即得尺寸范围在500～600um，分散系数CV小于3%的单分散极性异性Janus核壳结构凝胶微球。
一种分散极性异性 janus 结构凝胶及其制备方法所用流体控制装置

[发明专利]检测非极性基质中极性物质结构和/或含量的方法-CN201711005576.7有效
发明人：钱钦;王征;李长秀 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司石油化工科学研究院
申请日： 2017-10-25 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： G01N30/02 文献下载
摘要：本发明提出了一种检测非极性基质中极性物质结构和/或含量的方法。本发明的检测非极性基质中极性物质结构和/或含量的方法，包括：1)利用极性溶剂对非极性基质进行萃取操作；2)对经步骤1)得到的极性萃取液进行顶空萃取操作，得到含有富集物的载体；3)将经步骤2)得到的含有富集物的载体送入分析测试仪，测定待测非极性基质中极性物质的结构和/或含量。本发明方法能够克服复杂非极性基质中大量存在的非极性物质的干扰，可高选择性地富集复杂非极性基质中的微量极性化合物，特别适于分离、富集、检测汽柴油复杂基质中微量的硫化物、氮化物等极性物质。
检测极性基质物质结构含量方法

[发明专利]生长在LiGaO₂衬底上的非极性掺杂GaN薄膜及其制备方法-CN201210535131.0有效
发明人：李国强;杨慧 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2012-12-11 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明公开了生长在LiGaO2衬底上的掺杂GaN薄膜，包括由下至上依次排列的LiGaO2衬底、非极性m面GaN缓冲层、非极性m面GaN外延层、非极性掺杂GaN薄膜；所述非极性GaN薄膜为非极性p型GaN薄膜或非极性n型GaN薄膜。本发明还公开了上述非极性掺杂GaN薄膜的制备方法。与现有技术相比，本发明具有生长工艺简单，制备成本低廉的优点，且制备的非极性掺杂GaN薄膜缺陷密度低、结晶质量好，电学性能好。
生长 ligao sub 衬底极性掺杂 gan 薄膜及其制备方法

[发明专利]一种利用极性溶剂和非极性溶剂分离乙酸乙酯-甲基环己烷混合物的联合萃取精馏方法-CN202310323192.9在审
发明人：曹志凯;姜加奇;车黎明;周华;吴雪娥 -专利权人：厦门大学
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C07C7/08 文献下载
摘要：一种利用极性溶剂和非极性溶剂分离乙酸乙酯‑甲基环己烷混合物的联合萃取精馏方法，该方法以极性的多元醇和非极性的长直链烷烃为溶剂，所采用的装置包括极性溶剂萃取精馏塔、非极性溶剂萃取精馏塔、极性溶剂回收塔和非极性溶剂回收塔极性溶剂萃取精馏塔和非极性溶剂萃取精馏塔为常压精馏塔，极性溶剂回收塔和非极性溶剂回收塔为减压精馏塔，操作压强分别为0.2bar和0.5bar。
一种利用极性溶剂分离乙酸乙酯甲基环己烷混合物联合萃取精馏方法

[发明专利]标记物的改进检测-CN200880116013.8无效
发明人： R·森斯;C·瓦姆瓦卡瑞斯;W·阿勒斯 -专利权人：巴斯夫欧洲公司
申请日： 2008-11-10 - 公布日： 2010-10-06 - 主分类号： C10L1/223 文献下载
摘要：本发明涉及一种在被污染的非极性液体中检测标记物的方法，其中(a)一种或多种相同或不同的标记物存在于所述被污染的非极性液体中，(b)使极性液体与所述非极性液体接触，和(c)在所述非极性液体中检测所述标记物本发明进一步涉及标记被污染的非极性液体的方法以及极性液体在改进标记物在非极性液体中的可检测性中的用途。
标记改进检测

[发明专利]电湿润元件及电湿润显示器-CN201480024747.9在审
发明人：野村茂树;胁屋武司 -专利权人：积水化学工业株式会社
申请日： 2014-07-18 - 公布日： 2015-12-16 - 主分类号： G02F1/17 文献下载
摘要：电湿润元件1具备：元件主体10、电介体层14、电极和非极性液体17及极性液体16。元件主体10具有单元C。电介体层14配置于单元C内。电介体层14具有疏水性表面。电极使电介体层14极化。非极性液体17在单元C内配置于疏水性表面上。极性液体16与非极性液体17不混合。极性液体16在单元C内配置于疏水性表面上。非极性液体17含有着色物质。极性液体16含有非离子性分子。非离子性分子具有极性部和非极性部。
湿润元件显示器

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