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[发明专利]增强型HEMT的p型氮化物栅的制备方法及应用其制备增强型氮化物HEMT的方法-CN202110389654.8有效
发明人：程川;刘宁炀;何晨光;李成果;陈志涛;李述体;姜南 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2021-04-12 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开一种增强型HEMT的p型氮化物栅及增强型氮化物HEMT的制备方法，其中，该p型氮化物栅的制备方法在制备p型氮化物栅时，先在势垒层和p型氮化物层之间采用热脱附温度高于p型氮化物层的热脱附温度的材料制备第一保护层，且其厚度范围设置为1nm‑5nm，再通过高温热脱附去除栅极区域以外的p型氮化物层；在对栅极区域以外的p型氮化物层进行高温热脱附之前，还在栅极区域的p型氮化物层上设置采用耐高温介质材料制备的第二保护层。在第一保护层和第二保护层的保护作用下，可以通过高温热脱附对栅极区域以外的p型氮化物层进行选择性刻蚀，从而可以实现可重复且一致性较好的刻蚀效果，而且可以保证增强型氮化物HEMT性能的可靠性。
增强 hemt 氮化物制备方法应用

[发明专利]一种基于PIN型氮化镓微米线的紫外光电探测器及其制备方法-CN202011494811.3有效
发明人： 李述体;吴国辉;邓琮匆;陈飞;杜林远 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2020-12-17 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于PIN型氮化镓微米线的紫外光电探测器及其制备方法，其采用n型氮化镓微米线核和依次覆盖n型氮化镓微米线核表面的i型氮化镓及p型氮化镓构成了PIN型同质结微米线，并通过n型氮化镓微米线核与下电极接触，p型氮化镓与上电极接触构建了垂直结构的微型化紫外光电探测器。该探测器结构中，沿其微米线直径方向的PIN同质结增加了结的接触面积，增加了空间电荷区的面积，保证光吸收主要发生在空间电荷区，能够有效抑制光生载流子的复合，提高紫外探测器响应度，和更低的暗电流。且同质外延生长的氮化镓，大大提高了材料的晶体质量，降低了缺陷密度，保障了紫外光电探测器的性能。
一种基于 pin 氮化微米紫外光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种具有高介电常数栅介质叠层的槽栅增强型MISHEMT器件及其制备方法-CN202310208052.7在审
发明人： 李述体;贺宇浩;石宇豪;高芳亮 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有高介电常数栅介质叠层的槽栅增强型MISHEMT器件及其制备方法，包括外延叠层和位于外延叠层上的高介电常数栅介质层、源极和漏极，外延叠层包括依次层叠的缓冲层、GaN通道层、AlN空间层、AlGaN势垒层和GaN帽层，栅极凹槽沿GaN帽层的表面延伸至AlGaN势垒层中一定深度；栅介质层包括依次层叠的AlON介质层、HfAlON介质层和HfTaO介质层，HfTaO介质层中，Ta组分为40％～45％。该器件结构实现了更高水平的界面层，减小了栅极漏电和亚阈值摆幅，增大了栅压摆幅，保证高k材料的非晶相，减少高k材料结晶所引起的器件电学特性的恶化。
一种具有介电常数介质增强 mishemt 器件及其制备方法

[发明专利]一种无传输层的多层钙钛矿太阳能电池器件及其制备方法和应用-CN202211688978.2在审
发明人： 李述体;曹允轩;高芳亮 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10K30/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种无传输层的多层钙钛矿太阳能电池器件及其制备方法和应用。本发明的无传输层的多层钙钛矿太阳能电池器件包括钙钛矿薄膜层，所述钙钛矿薄膜层包括禁带宽度逐渐递增或递减的钙钛矿层；所述钙钛矿层至少为两层。传统正反式钙钛矿太阳能电池器件制备工艺过程需制备高质量的传输层，涉及多种药品和设备沉积薄膜，制造成本高、技术要求高、制造工序复杂。本发明将摒弃掉传输层的制备，通过制备多层的不同禁带宽度的钙钛矿薄膜建立内建电场驱动光生载流子传输来替代传输层电场外驱动，该结构的钙钛矿太阳能电池器件与传统制造工艺相比，降低了制造成本，简化了制造工序，缩短了制造时间。
一种传输多层钙钛矿太阳能电池器件及其制备方法应用

[发明专利]一种紫外探测器及其制备方法-CN201910920024.1有效
发明人：高芳亮;张柏林;李述体;刘青;罗幸君;孙一鸣;施江 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2019-09-26 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明公开了一种紫外探测器及其制备方法，该紫外探测器的制备方法包括清洗钛片、电化学腐蚀钛片预处理、生长p型GaN纳米阵列、电化学腐蚀制备TiO2和蒸镀电极，该紫外探测器具有较高比容的GaN和TiO2，生成异质结电场，可实现对光生电子/空穴的快速分离。本发明得到的紫外探测器具有较高的暗光电流比，同时具有自驱动和高响应速度等特点。
一种紫外探测器及其制备方法

[实用新型]光电探测聚光结构-CN202221472812.2有效
发明人：宋伟东;吕军兴;郭越;马博新;梁田泓;张弛;何鑫;罗幸君;王幸福;李述体 -专利权人：五邑大学
申请日： 2022-06-13 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： G02B5/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种光电探测聚光结构，包括：反光杯，所述反光杯的杯口内侧表面为反光面；探测器芯片，设置在所述反光杯的焦点上或者靠近焦点的位置，并且所述探测器芯片的光敏面朝向所述反光杯的杯口方向。本实用新型，由于探测器芯片的光敏面位于反光杯的焦点位置或者附近，在进行探测的时候，能够利用反光杯聚集光线到探测器芯片的光敏面上，从而提高探测器芯片的探测性能。并且较传统的透镜结构而言，利用反光杯进行光线汇聚，有利于降低制作难度和生产成本。
光电探测聚光结构

[实用新型]光电探测器TO封装结构-CN202221472813.7有效
发明人：宋伟东;吕军兴;郭越;马博新;何鑫;张弛;罗幸君;王幸福;李述体 -专利权人：五邑大学
申请日： 2022-06-13 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L31/0203 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种光电探测器TO封装结构，包括：TO封装底座；反光杯，设置在所述TO封装底座上；芯片，设置在所述TO封装底座上并位于所述反光杯的焦点处或者靠近所述反光杯的焦点的位置，所述芯片的光敏面迎向所述反光杯的杯口；TO封装盖帽，所述TO封装盖帽为透光结构并设置在所述反光杯的杯口处，用于闭合所述反光杯的杯口。采用上述结构设置的本实用新型，首先利用TO封装底座和TO封装盖帽，可以确保对芯片的防护。在此基础上设置反光杯，利用反光杯来汇聚光线至芯片的光敏面上，提高测试效果，无需依靠光学透镜来增强光线，结构简单，成本较低，适合大规模推广应用。
光电探测器 to 封装结构

[发明专利]一种肖特基势垒二极管及其制备方法-CN202010966449.9有效
发明人：宋伟东;罗幸君;陈钊;高研;张弛;张业龙;何鑫;曾庆光;李述体 -专利权人：五邑大学
申请日： 2020-09-15 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，公开了一种肖特基势垒二极管及其制备方法，所述肖特基势垒二极管包括以下结构：衬底层；半导体层，设置于衬底层的上表面，所述半导体层为GaN薄膜；阳极和阴极，均设置于半导体层的上表面，所述阳极为Ti3C2二维材料；阳极金属接触层，设置于所述阳极的上表面；阴极金属接触层，设置于所述阴极的上表面。所述肖特基势垒二极管在保持性能优良的情况下，还具有成本低廉的优势，具有广阔的应用前景。
一种肖特基势垒二极管及其制备方法

[发明专利]一种垂直结构的微米线阵列光探测器及其制备方法-CN202011425254.X有效
发明人： 李述体;邓琮匆;高芳亮;陈飞;吴国辉 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2020-12-09 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明涉及一种垂直结构的微米线阵列真空紫外光探测器及其制备方法，其包括表面设置有多个平行排列凹槽的p型硅基底，凹槽的截面呈倒梯形，n型AlN微米线阵列沿其凹槽的侧壁外延生长形成，石墨烯导电层设置于该硅基底上与AlN微米线阵列接触，金属电极层设置于硅基底上相对于设置石墨烯导电层的表面。本发明通过图案化硅基底以及选择性外延生长获得了晶体质量优异的n型AlN微米线阵列微结构，其与p型硅构成的异质结构相较于传统的单一薄膜探测器能够进一步提升真空紫外光探测器的响应速率、降低暗电流、提高响应度、工作稳定性好和具有良好的自供电性能等优势。
一种垂直结构微米阵列探测器及其制备方法

[发明专利]一种半导体及其制备方法和应用-CN202210652894.7在审
发明人：宋伟东;郭越;孙一鸣;罗幸君;李述体;何鑫;张弛 -专利权人：五邑大学
申请日： 2022-06-10 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体及其制备方法和应用。其半导体包括：硅衬底；所述硅衬底表面设有若干独立设置的掩膜，所述掩膜的形状为方形；所述掩膜与所述硅衬底之间形成四棱柱结构；所述四棱柱结构的四个侧壁上生长有氮化镓微棱柱，所述氮化镓微棱柱呈阵列式分布。本发明的氮化镓微棱柱结构尺寸可控、均匀且呈阵列式分布，相对于平面薄膜具有更大的比表面积、更低的光反射率和更强的光捕获能力，在高集成微纳米光电器件中具有应用潜力。
一种半导体及其制备方法应用

[发明专利]一种紫外探测器制备方法及紫外探测器-CN202210230167.1在审
发明人：王幸福;杨玉青;李述体 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2022-03-09 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种紫外探测器制备方法及紫外探测器，其中，制备方法包括在预设衬底上依次生长成核层、缓冲层、牺牲层和目标层；通过旋涂光刻技术对所述目标层进行光刻，得到感光阵列；将所述感光阵列与背部电极进行原位键合，并通过对所述牺牲层进行电化学腐蚀，制备得到目标紫外探测器。本发明实施例能够通过将原位键合与电化学剥离技术相结合，将氮化物外延阵列结构从预设衬底上进行大面积的剥离，降低了面阵探测芯片集成的成本和难度，可广泛应用于微电子技术领域。
一种紫外探测器制备方法

[发明专利]一种紫外光电二极管及其制备方法-CN202010968434.6有效
发明人：宋伟东;罗幸君;李述体;陈钊;张业龙;张弛;高研;曾庆光;何鑫 -专利权人：五邑大学
申请日： 2020-09-15 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L31/108 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，公开了一种紫外光电二极管及其制备方法。所述紫外光电二极管，包括以下结构：衬底；GaN层，设置于所述衬底的上表面；Ti3C2肖特基接触层和欧姆接触层，相对设置于所述GaN层上表面的两侧；金属触点层，设置于所述Ti3C2肖特基接触层的上表面。所述紫外光电二极管具有优异的紫外光探测性能，响应度率大，比探测率高，响应速度快，且具有高电流开关比；所述制备方法无需复杂的金属沉积或溅射工艺，对半导体表面无损伤，工艺简单。
一种紫外光电二极管及其制备方法

[发明专利]一种微米线阵列异质结紫外光探测器及其制备方法-CN201910206813.9有效
发明人： 李述体;汪虎;罗幸君;刘青 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2019-03-19 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种微米线阵列异质结紫外光探测器及其制备方法，涉及光电探测器技术领域，该探测器包括主要由设定方向层叠设置的氮化镓微米线阵列和氧化镍层形成的异质p‑n结，氮化镓微米线阵列和氧化镍层上分别连接有第一电极层和第二电极层；其制备方法包括采用金属有机气相沉积工艺在图案化硅片衬底上生长氮化镓微米线阵列后，以金属材料在氮化镓微米线阵列上形成第一电极层，随后在氮化镓微米线阵列上覆设氧化镍层，最后在氧化镍层上设置第二电极层。本发明提供的微米线阵列异质结紫外光探测器具有紫外/可见光选择比高、暗电流低、响应速度快且结构简单等优点。
一种微米阵列异质结紫外光探测器及其制备方法

[发明专利]一种高性能位置灵敏探测器及其制备方法-CN202111201647.7在审
发明人：高芳亮;刘青;李述体 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2021-10-15 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L31/108 文献下载
摘要：本发明涉及一种高性能位置灵敏探测器及其制备方法，其选用单层p型石墨烯与n型半导体层结合，在p型石墨烯与n型半导体层之间插入依次并列排布第一绝缘层、修复层和第二绝缘层，绝缘层阻隔N型半导体层与单层石墨烯的接触，修复层修复了石墨烯层与n型半导体层之间的缺陷，第一电极和第二电极分别布置于绝缘层上的石墨烯表面，形成的位置灵敏探测器具有自驱动性能，其光灵敏面积最大可达8mm×8mm，并且具有优秀的综合性能。另外本发明提供的制备方法能够精准获得高质量的修复层区域，获得了大尺寸的光灵敏面积，提升了器件的整体性能，且制备工艺简单。
一种性能位置灵敏探测器及其制备方法

[发明专利]一种氮化镓基微米线激光器及其制备方法-CN202111191245.3在审
发明人： 李述体;陈凯;高芳亮;邹灿;赵子宣 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2021-10-13 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01S5/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化镓基微米线激光器，其包括基底，布置于基底上的第一电极层，布置于第一电极层上的氮化镓基微米线，该微米线包含N型氮化镓芯层和依次覆盖于所述N型氮化镓芯层上的第一光限制层、第一光波导层、多量子阱层、第二光波导层、第二光限制层、以及P型氮化镓层，N型氮化镓芯层与第一电极层接触；第二电极设置于氮化镓基微米线上，与P型氮化镓层接触；沿所述微米线的长度方向上，距离该微米线一端的预定距离开始，等间距布置有三个刻蚀凹槽，形成法布里‑珀罗谐振腔。该激光器具有损耗低、激光出射率高、占用体积小、易于集成于电路中等优点。
一种氮化微米激光器及其制备方法

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