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[发明专利]基于AlBN铁电材料的深紫外探测器及制备方法-CN202310951204.2在审
发明人：苏杰;肖正懋;陈子龙;常晶晶;林珍华;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于AlBN铁电材料的深紫外探测器及制备方法，主要解决现有探测器材料带隙不够宽、暗电流较大导致器件性能不佳的问题。结构从下至上包括Al2O3衬底以及依次生长沉积的W底电极、AlBN光吸收层、SiO2介电层和HfO2紫外阻挡层，在光吸收层上的Ni顶电极，且Ni顶电极与SiO2介电层和HfO2紫外阻挡层之间被Ti/Au接触垫隔开；AlBN光吸收层和顶电极与底电极形成欧姆接触。本发明利用AlBN材料的宽带隙、强极化特性以及铁电特性的优势，通过调控铁电极化方向和外加偏压实现对探测器性能的调节；在深紫外光照下能够有效地分离和传输光生电子和空穴，且制备方法简单可行，具备广阔的应用前景。
基于 albn 材料深紫探测器制备方法

[实用新型]一种2D h-BN/AlGaNⅡ型异质结自驱动紫外光探测器-CN202320354183.1有效
发明人：王文樑;卜俊飞 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本实用新型涉及紫外光探测器的技术领域，具体公开了一种2D h‑BN/AlGaNⅡ型异质结自驱动紫外光探测器，包括由下至上依次包括：Si衬底层、AlGaN/Al0.8Ga0.2N缓冲层、Al0.8Ga0.2N缓冲层、n‑Al0.8Ga0.2N层；n‑Al0.8Ga0.2N层上有SiO2窗口层、2D h‑BN层、第一金属电极；2D h‑BN层上有第二金属电极。采用2D h‑BN层与n‑Al0.8Ga0.2N层构成Ⅱ型结异质结结构，在界面上形成内建电场，实现自驱动，增大光电流、减小的暗电流，提高了紫外光探测器的响应度及稳定性，拓宽了使用温度范围。
一种 bn algan 型异质结驱动紫外光探测器

[发明专利]一种宽谱铟镓砷焦平面的结构及其制备方法-CN202210123379.X有效
发明人：李雪;刘雅歌;马英杰;顾溢;李淘 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2022-02-10 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明公开了一种宽谱铟镓砷焦平面的结构及其制备方法，宽谱铟镓砷焦平面的基底为InP，自基底起依次有InP腐蚀牺牲层，周期性薄层低维量子点层，腐蚀截止层，In0.83Ga0.17As吸收层和重掺杂接触层；还公开了一种制备所述探测器的方法，主要步骤为：1)产生混成结构In0.83Ga0.17As焦平面探测器；2)机械研磨去除InP基底层；3)化学腐蚀去除牺牲层；4)干法等离子刻蚀去除部分截止层；本发明的优点在于实现单片响应范围覆盖400‑2600nm的铟镓砷焦平面探测器，可简化各类高光谱成像系统的光路，降低功耗、体积、重量，提升探测敏感度。
一种宽谱铟镓砷焦平面结构及其制备方法

[发明专利]基于ScAlN与InAlN极化插入层增强电场的N极性InGaN基太阳能电池-CN202010697623.4有效
发明人：许晟瑞;高源;吴浩洋;张雅超;陈大正;李培咸;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-07-20 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于ScAlN与InAlN极化插入层增强电场的N极性InGaN基太阳能电池及制备方法，主要解决现有太阳能电池光电转换效率低的问题。其包括电极及自下而上的衬底层、AlN成核层、i‑GaN层、InxAl1‑xN层、n型InyGa1‑yN层、InzGa1‑zN/GaN多量子阱层、p型GaN层和ScuAl1‑uN层。除衬底外各层均采用N极性材料，以在N极性下，分别在InxAl1‑xN层与n型InyGa1‑yN层和ScuAl1‑uN层与p型GaN层间产生强极化电场，这两种电场与太阳能电池内建电场的方向相同，能增强载流子的漂移能力，增大光生电流，提高太阳能电池的效率，可用于航空航天设备。
基于 scaln inaln 极化插入增强电场极性 ingan 太阳能电池

[发明专利]一种2～3μm红外波段雪崩光电探测芯片外延片-CN202310825751.6在审
发明人：王岩;徐鹏飞 -专利权人：江苏华兴激光科技有限公司
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明公开了一种2～3μm红外波段雪崩光电探测芯片外延片，涉及半导体光电子器件技术领域，包括衬底，衬底为InP衬底层；InP衬底层之上为异变缓冲层；异变缓冲层之上为应变吸收层；应变吸收层之上为过渡层；过渡层之上为电荷层；电荷层之上为盖层。本发明主要针对2～3μm红外波段探测，在传统的红外雪崩探测器基础上进行调整，使传统红外雪崩探测器的波长响应波段范围拓展至2～3um，由于具有内部增益，可以开拓高灵敏度红外探测领域。
一种红外波段雪崩光电探测芯片外延

[发明专利]高速光电探测器的外延结构-CN202210111115.2在审
发明人：宋国峰;晁明豪;刘青松;庄凌云 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-01-29 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本公开提供了一种高速光电探测器的外延结构，所述高速光电探测器的外延结构包括：在半绝缘衬底上依次生长的缓冲层、下阴极接触层、刻蚀阻挡层、上阴极接触层、饱和漂移层、崖层、过冲漂移层、下过渡层、本征耗尽吸收层、重掺梯度非耗尽吸收层、上过渡层、扩散阻挡层和阳极接触层，所述本征耗尽吸收层和所述重掺梯度非耗尽吸收层均采用与InP材料晶格匹配度高、对1550nm波长光子吸收效率高的In0.53Ga0.47As材料。
高速光电探测器外延结构

[发明专利]集成多晶硅超表面的砷化镓基太赫兹探测器及制作方法-CN202210387745.2有效
发明人：王兵兵;陈雨璐;崔慧源;周宏;吴翼飞;刘文辉;王洋刚;董祚汝;陈栋;童武林;秦世宏;周扬州;徐方俊鹏;杨绪起;戴小宛;汪泽文;张传胜;王晓东;曹俊诚 -专利权人：上海微波技术研究所（中国电子科技集团公司第五十研究所）
申请日： 2022-04-14 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成多晶硅超表面的砷化镓基太赫兹探测器及制作方法，制作方法包括：在高导砷化镓衬底上，通过液相外延、分子束外延、离子注入、化学气相沉积、快速热退火、光刻、感应耦合等离子体刻蚀、电子束蒸发等工艺制作正、负电极和多晶硅超表面结构，完成器件封装。本发明采用液相外延法生长砷化镓掺硫吸收层，以及集成多晶硅超表面结构，可解决高导砷化镓衬底无法外延生长高质量大厚度吸收层的问题，在保证晶体质量的前提下，达到对太赫兹辐射信号完全吸收的目的，提高了吸收效率及探测响应率。快速热退火过程中采用多晶硅膜包覆法，避免了高温过程中砷元素的析出以及砷化镓晶体分解，提高了探测器的稳定性和工艺制备的成品率。
集成多晶表面砷化镓基太赫兹探测器制作方法

[发明专利]自聚光长波失配InGaAs电池及其制备方法-CN202310209697.2在审
发明人：谭明;卢建娅;金山;李雪飞;孙强健;陆书龙 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明公开了一种自聚光长波失配InGaAs电池及其制备方法。所述自聚光长波失配InGaAs电池包括外延结构以及与所述外延结构匹配的第一电极、第二电极，所述外延结构包括依次层叠设置的InP衬底、InAsxP缓冲层和InGaAs外延层，所述InAsxP缓冲层的As组分含量沿选定方向渐变，所述InP衬底和InGaAs外延层之间的应力弛豫在InAsxP缓冲层内，其中，0＜x＜1。本发明提供的一种自聚光长波失配InGaAs电池，提高了外延层的质量，并且提高了电池的光电效率以及可靠性和稳定性。
聚光长波失配 ingaas 电池及其制备方法

[发明专利]一种AlGaP基紫外探测器及其制备方法-CN201810232299.1有效
发明人：李国强;郑昱林;王文樑 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2018-03-21 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明公开了一种AlGaP基紫外探测器及其制备方法，包括生长在衬底层上的AlP缓冲层，生长在AlP缓冲层上的非掺杂GaP层，非掺杂GaP层上的Si掺杂的n‑AlGaP层，所述Si掺杂的n‑AlGaP层的一侧表面覆盖有第一Au层，另一侧覆盖有i‑AlGaP层，所述i‑AlGaP层上覆盖有第二Au层。本发明提出的制备方法具有工艺简单、省时高效的优点，制备的紫外探测器可实现对紫外光的灵敏探测，可应用于紫外检测等领域，经济效益可观。
一种 algap 紫外探测器及其制备方法

[发明专利]铟镓砷盖革雪崩探测器的雪崩区外吸收抑制结构制备方法-CN202211691595.0在审
发明人：代千;龚赤坤;覃文治;李宛励;陈庆敏;梁丕刚;舒域鑫;谢和平;潘旭;谢骞;王国胜;郝昕;周小燕;刘源;田洪军;宋海智 -专利权人：西南技术物理研究所
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明公开了一种铟镓砷盖革雪崩探测器的雪崩区外吸收抑制结构制备方法，基于吸收倍增分离盖革雪崩二极管结构，以铟镓砷作为吸收层材料、铟铝砷作为能带渐变材料、磷化铟作为倍增层材料，采用Zn保护环掺杂区结合凹槽扩散主结的新型PN结制备方法，缓解传统无保护环的两次扩散主结中存在的雪崩电场对雪崩区外吸收的载流子的虹吸效应，解决雪崩区内外电场控制问题，结合厚铝膜对雪崩区外的1.06μm和1.55μm波长入射光子的强吸收，有效遮蔽雪崩区外入射光，解决雪崩区外吸收载流子扩散至雪崩区问题，从光生载流子扩散路径和光子吸收路径两方面，解决雪崩区外的载流子吸收和扩散导致的光生电流发生响应拖尾的问题。
铟镓砷盖革雪崩探测器区外吸收抑制结构制备方法

[发明专利]一种用于高In组分InGaAs探测器的纺锤型缓冲层结构-CN202211707653.4在审
发明人：潘旭;刘绍斌;柯尊贵;陈剑;代千;覃文治;谢骞 -专利权人：西南技术物理研究所
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于高In组分InGaAs探测器的纺锤型缓冲层结构，包括在半导体衬底上外延In组分呈纺锤型递变的InGaAs外延层作为缓冲层。该缓冲层结构适用于半导体衬底上制备高In组分的InGaAs红外探测器，特别是波长大于1.7μm的InxGa1‑xAs(x0.53)探测器的制备，提高了制备高In组分InGaAs探测器在衬底选择上的自由度和结构选择上的多样性。由于纺锤型缓冲层呈现上下对称的结构，所以缓冲层中的应力状态可以更有效的阻止穿透位错等缺陷往缓冲层以上的器件有源区蔓延，有望提高吸收层的结晶质量，改善器件性能。纺锤型缓冲层思想对于其他较大失配材料体系的生长同样具有借鉴意义，具有很好的通用性，减小了失配材料生长对于衬底的束缚。
一种用于 in 组分 ingaas 探测器纺锤缓冲结构

[发明专利]红外探测器及其制作方法-CN202211675066.1在审
发明人：黄勇 -专利权人：苏州晶歌半导体有限公司
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明公开了一种红外探测器。所述红外探测器的吸收层为N型InAs层和N型InAsSb层交替层叠的超晶格结构，或者N型InGaAs层和N型InAsSb层交替层叠的超晶格结构，所述红外探测器的势垒层为N型InAsP层和N型InGaSb层交替层叠的超晶格结构。本发明提出的InAsP/InGaSb超晶格势垒层价带与In(Ga)As/InAsSb超晶格吸收区价带平齐，形成电子势垒，有助于降低器件暗电流，同时势垒层中不含Al，避免了含Al材料的氧化，降低了材料生长和加工的难度。
红外探测器及其制作方法

[发明专利]提高铟砷/镓锑超晶格红外探测器材料截止波长的方法及铟砷/镓锑Ⅱ类超晶格及其应用-CN201710563810.1有效
发明人：曹耀辉;陈建桥 -专利权人：秦皇岛博硕光电设备股份有限公司
申请日： 2017-07-12 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明的目的是针对现有技术由于铟砷/镓锑Ⅱ类超晶格的晶内界面多，使得材料的生长难度提高，材料的生长成本高、生产设备寿命低的不足，提供一种提高铟砷/镓锑超晶格红外探测器材料截止波长的方法及铟砷/镓锑Ⅱ类超晶格材料及其应用，这种提高铟砷/镓锑超晶格红外探测器材料截止波长的方法，通过增加所述铟砷/镓锑Ⅱ类超晶格单胞中InSb层的应力，改变超晶格材料的能带结构，增加所述铟砷/镓锑Ⅱ类超晶格红外探测器材料截止波长，采用本发明方法，可以改变能带结构增加超晶格红外探测材料的截止波长，得到的铟砷/镓锑Ⅱ类超晶格材料制成的器件具有更高的探测率，减少了材料界面数量，减少了层级，且进一步提高了铟砷/镓锑Ⅱ类超晶格材料的探测波长和探测率。
提高镓锑超晶格红外探测器材料截止波长方法镓锑及其应用

[发明专利]单分子层内δ掺杂的半导体材料及其制备方法和探测器-CN202011550954.1有效
发明人：杜鹏 -专利权人：湖南科莱特光电有限公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本申请提供一种单分子层内δ掺杂的半导体材料及其制备方法和探测器。单分子层内δ掺杂的半导体材料，包括基础缓冲层以及设置在基础缓冲层上的一个或多个单分子掺杂层；基础缓冲层包括III族元素和V族元素；单分子掺杂层包括交替设置的未掺杂部分和掺杂部分，未掺杂部分与基础缓冲层的成分相同，掺杂部分包括与未掺杂部分相同的元素和掺杂元素，掺杂元素包括II族元素、VI族元素和IV元素中的一种或多种。半导体材料的制备方法，包括：在衬底上生长基础缓冲层，然后在基础缓冲层上交替生长未掺杂部分和掺杂部分得到所述单分子掺杂层。探测器，其原料包括半导体材料。本申请提供的单分子层内δ掺杂的半导体材料，具有更高的载流子浓度。
单分子层掺杂半导体材料及其制备方法探测器

[发明专利]含极化调控层的氮化物量子阱红外探测器及其制备方法-CN201710763444.4有效
发明人：康健彬;李沫;李倩;王旺平;陈飞良;张健 -专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日： 2017-08-30 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明公开了一种含极化调控层的氮化物量子阱红外探测器及其制备方法，该探测器的结构包括下电极接触层、功能层和上电极接触层，功能层由周期性AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN/AlzGa1‑zN复合异质结构构成，其中0≤xzy≤1；本发明提供的量子阱红外探测器通过在量子势阱层和量子势垒层之间引入一层极化调控层，将对势垒层的极化电场产生有效屏蔽，能提高光生电子在准连续态能级上的迁移效率，进而提高器件的响应信号强度，有望解决目前中（远）红外波段的AlGaN基量子阱红外探测器只能工作在极低温度下的问题。
极化调控氮化物量子红外探测器及其制备方法

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