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[发明专利]基于深度神经网络和多维特征的硬件木马检测方法及装置-CN202310797828.3在审
发明人：史江义;张焱;马佩军;尚格;李康;王泽坤;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G06F18/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于深度神经网络和多维特征的硬件木马检测方法，涉及硬件安全技术领域，包括：获取待测网表电路；使用训练好的深度神经网络对待测网表电路进行分类，判断待测网表电路中的信号为正常信号或木马信号；其中，训练好的深度神经网络根据训练数据集获取，训练数据集通过使用数据增强方法扩充硬件木马特征向量库、并处理噪声样本获取，硬件木马特征向量库中的特征包括网表电路中的信号的静态结构特征和网表电路中的信号的可测试性特征。本发明能够准确有效的获取分类结果。
基于深度神经网络多维特征硬件木马检测方法装置

[发明专利]一种二层转发的流水线实现方法及装置-CN202310721567.7在审
发明人： 马佩军;许洋;余钺;潘伟涛;史江义;李康;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-06-16 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H04L49/351 文献下载
摘要：本发明涉及一种二层转发的流水线实现方法及装置，包括：根据接收的数据报文，获取数据报文中的源MAC地址和目的MAC地址，并生成目的MAC地址标识和源MAC地址标识；将目的MAC地址和目的MAC地址标识进行哈希映射生成第一哈希地址和目的哈希地址标识，延迟一个时钟后将源MAC地址和源MAC地址标识进行哈希映射生成第二哈希地址和源哈希地址标识；按照时钟顺序对第一哈希地址和第二哈希地址依次进行处理，其中，响应于识别目的哈希地址标识，根据第一哈希地址对MAC表项进行查表，根据查表结果进行报文转发；响应于识别源哈希地址标识，根据第二哈希地址对MAC表项进行查表，根据查表结果进行MAC表项的学习。本发明的方法降低了二层转发模块的绝对延时，节省了存储资源。
一种转发流水线实现方法装置

[发明专利]一种用于降低资源消耗的FIR低通数字滤波方法-CN202310529677.3在审
发明人：陈玥;焦妍瑞;马佩军;史江义 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-05-11 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H03H17/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于降低资源消耗的FIR低通数字滤波方法，通过对比平均滤波方法的滤波形式与FIR滤波方法的滤波形式确定两者滤波效果一致时所需滤波条件；根据滤波效果的设计参数确定滤波次数；根据所需滤波条件以及滤波次数得到滤波运算点数比例；利用所述滤波运算点数比例，对待滤波信号按照滤波次数进行滤波。本发明连续使用两次较优运算点数配比的平均滤波，本发明能有效地抑制数据采集过程中各种干扰信号的影响，改善了滤波效果也大大减少了资源消耗，能够在消耗极低计算资源的情况下进行高性能的计算，便于设计人员滤波。
一种用于降低资源消耗 fir 数字滤波方法

[发明专利]一种ε-Ga2-CN202110633967.3有效
发明人：张涛;冯倩;张雅超;张进成;马佩军;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-06-07 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种ε‑Ga2O3薄膜的制备方法及ε‑Ga2O3薄膜，该方法包括：对β‑Ga2O3衬底进行清洗；对清洗后的β‑Ga2O3衬底进行退火处理；在β‑Ga2O3衬底上生长β/ε‑Ga2O3缓冲层；其中，β/ε‑Ga2O3缓冲层为β‑Ga2O3与ε‑Ga2O3的混合晶相薄膜；在β/ε‑Ga2O3缓冲层上生长ε‑Ga2O3层，以得到ε‑Ga2O3薄膜。本发明在ε‑Ga2O3薄膜的生长过程中，通过合理调整生长温度，在衬底与外延薄膜之间形成一层β/ε‑Ga2O3缓冲层，该缓冲层既连接了β‑Ga2O3衬底，又连接了ε‑Ga2O3薄膜，实现了从β‑Ga2O3衬底到ε‑Ga2O3薄膜的连续过渡，减小了晶格失配以及外延薄膜中的位错密度，提高了表面平整度，进而提升了ε‑Ga2O3薄膜的质量。
一种 ga base sub

[发明专利]多级瓣状体区金属氧化物半导体功率器件及其制作方法-CN202111015659.0有效
发明人：毛维;裴晨;王海永;杨翠;高北鸾;马佩军;杜鸣;赵胜雷;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种多级瓣状体区金属氧化物半导体功率器件及其制作方法，主要解决传统同类器件导通电阻、开关频率及击穿特性差的问题。其自下而上包括：漏极(11)、N+型衬底(1)、N‑型外延层(2)；N‑型外延层(2)的中部为隔离槽(6)，该隔离槽内的上部为槽栅(8)；该N‑型外延层(2)上部依次为P型层(4)和N+型层(5)；该槽栅及其侧壁和部分N+型层上部为钝化介质(9)，该钝化介质上部及侧面包裹源极(10)；该N‑型外延层两侧为由m个瓣状结构组成的瓣状区(3)；该槽栅下部为由n个隔离块构成的隔离栅(7)，两者之间用绝缘介质隔开。本发明提升了器件的击穿特性和开关特性，可作为电力电子系统的开关。
多级瓣状体区金属氧化物半导体功率器件及其制作方法

[发明专利]基于生成对抗图神经网络的硬件木马检测方法-CN202211559562.0在审
发明人：史江义;王泽坤;温聪;马佩军;张焱 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： G06F21/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于生成对抗图神经网络的硬件木马检测方法，主要解决现有技术中对黄金模型依赖、不具备拓展性的问题。其方案是：选择嵌入木马网表作为样本集并按比例分为训练集和测试集，并分别对其网表进行映射得到各自的邻接矩阵；分别提取训练集和测试集表中所有网表的节点特征，得到各自的特征矩阵；对训练集的邻接矩阵进行合并处理得到稀疏矩阵；构建生成器与鉴别器级联的生成对抗图神经网络并利用稀疏矩阵和特征矩阵对其训练；使用训练好的网络对测试集进行检测，获得正常节点与硬件木马的分类结果。本发明无需依赖现有技术依赖的启发式特征，提升了硬件木马生成器及检测未知类型硬件木马的能力，可用于定位数字集成电路网表级的检测。
基于生成对抗神经网络硬件木马检测方法

[发明专利]一种用于集成电路设计流程可信设计的方法及电路-CN201911174900.7有效
发明人：史江义;李鹏飞;赵博;马佩军;郭海;张华春;孟坤;吴秋纬 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-11-26 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： G06F30/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于集成电路设计流程可信设计的方法及电路，包括：获取集成电路的门级网表；其中，所述集成电路门级网表包括工艺偏差信息；获取所述集成电路中的待测路径；将所述待测路径配置成环形振荡器；在所述集成电路的门级网表中增加片上检测电路的门级网表以完成新电路的版图设计；对所述新电路进行第一次动态仿真，得到所述环形振荡器的频率阈值范围；根据所述频率阈值范围利用所述检测电路对所述新电路进行可信设计验证。本发明提供的可信设计方法将木马对侧信道信息的影响直接反映在路径延迟上，省去了对木马进行建模的过程，降低了测试难度；同时检测电路结构简单，易于整合进集成电路设计流程，保证了测量的精确。
一种用于集成电路设计流程可信设计方法电路

[发明专利]基于复合域循环S盒掩码抗侧信道攻击的AES电路-CN202211550592.5在审
发明人：史江义;王泽坤;张焱;马佩军;温聪;耿浩 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H04L9/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于复合域循环S盒掩码抗侧信道攻击的AES电路，主要解决现有抵抗高阶侧信道攻击时硬件资源消耗大的问题。其由四级流水线模块依次级联构成：第一级模块用于选择每轮数据输入与掩码生成；第二级模块由16个并联的逆掩码S盒子模块分别与第二寄存器组成，实现S盒输入防护、逆仿射运算与部分求逆运算；第三级模块由16个并联的掩码S盒子模块分别与第三寄存器组成，实现S盒输出防护、部分求逆运算与仿射运算；第四级模块实现列混淆输出防护与掩码修正，其输出经过轮密钥加操作后反馈到第一级模块的第一多选器，构成一个轮变换整体电路。本发明能以较低硬件资源消耗有效抵抗高阶侧信道攻击，可用于密码安全系统。
基于复合循环掩码信道攻击 aes 电路

[发明专利]一种MXene与NiO2-CN202211573279.3在审
发明人：宁静;黄晶晶;冯欣;王东;张进成;马佩军;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学;西安电子科技大学广州研究院
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种MXene与NiO2复合材料忆阻器的制备方法，属于半导体器件制备技术领域，包括以下步骤：首先通过混合法制备MXene‑NiO2水悬浮液；再利用等离子氧设备对目标衬底进行表面清洁处理，并旋涂一层APTES增强目标衬底的粘附性；然后水悬浮液旋转涂覆在目标衬底上，并高温退火；最后利用电子束蒸发设备在MXene‑NiO2复合材料薄膜上沉积金属顶电极。本发明制作的忆阻器是简单的三明治结构，易于三维集成，与CMOS等器件兼容，能够实现电阻阈值转换的功能，并可实现作为人工突触用于神经网络。
一种 mxene nio base sub

[发明专利]一种MXene/NiO2-CN202211574214.0在审
发明人：冯欣;黄晶晶;宁静;王东;张进成;马佩军;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学;西安电子科技大学广州研究院
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种MXene/NiO2异质结材料忆阻器的制备方法，属于半导体器件制备技术领域，包括以下步骤：首先将六水硝酸镍与乙酰丙酮混合融入乙二醇甲醚溶液中，制备前驱体溶液，再将MAX粉末加入HF溶液中后干燥，分散制成MXene溶液；然后利用等离子氧设备对目标衬底进行表面清洁处理，并旋涂一层APTES增强目标衬底的粘附性；再将前驱体溶液旋转涂覆在目标衬底上，并高温退火；最后利用电子束蒸发设备在MXene‑NiO2复合材料薄膜上沉积金属顶电极。本发明制作的忆阻器使用了三明治结构，结构简单，易于三维集成，单个器件便可以模拟神经突触，实现神经突触的短期记忆功能。
一种 mxene nio base sub

[发明专利]一种基于衬底背面SiSn外延层的硅基AlGaN/GaN HEMT及制备方法-CN202111004367.7有效
发明人：张雅超;马金榜;李一帆;姚一昕;张进成;马佩军;马晓华;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于衬底背面SiSn外延层的硅基AlGaN/GaN HEMT及制备方法，该制备方法包括步骤：S1、在Si衬底的背面生长至少一层SiSn外延层；S2、在所述Si衬底的正面依次生长AlN成核层、AlGaN阶变层、GaN缓冲层和AlGaN势垒层，形成硅基AlGaN/GaN HEMT器件；S3、对所述硅基AlGaN/GaN HEMT器件进行降温处理。该制备方法在Si衬底的背面设置至少一层SiSn外延层，当生长完AlGaN/GaN HEMT器件进行降温的过程中，由于SiSn的热膨胀系数比Si大，会在衬底中引入一定的压缩应力，对于硅基AlGaN/GaN HEMT器件中的拉伸应力起到一定的抵消作用，从而达到降低翘曲的目的，提高材料的成品率。
一种基于衬底背面 sisn 外延 algan gan hemt 制备方法

[发明专利]一种基于异质衬底的β-Ga2-CN202110633977.7有效
发明人：张雅超;张涛;冯倩;张进成;马佩军;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-06-07 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于异质衬底的β‑Ga2O3薄膜及其制备方法，所述薄膜自下而上包括：异质衬底、缓冲层和β‑Ga2O3外延层；所述缓冲层自下而上包括：第一缓冲层和第二缓冲层，所述第一缓冲层为所述异质衬底对应的氧化物缓冲层，所述第二缓冲层为氧化铝缓冲层。本发明能够在异质衬底和β‑Ga2O3之间生长第一缓冲层和第二缓冲层，所述第一缓冲层能够为第二缓冲层提供极好的成核点，提高第二缓冲层的质量，所述第二缓冲层，即氧化铝缓冲层，能够减少β‑Ga2O3外延层与异质衬底之间的晶格失配，减少β‑Ga2O3薄膜中的位错密度，从而，本发明能够有效地提高制备β‑Ga2O3薄膜的质量。
一种基于衬底 ga base sub

[发明专利]异质结功率器件及其制作方法-CN202011643734.3有效
发明人：毛维;刘晓雨;杨翠;杜鸣;高北鸾;王海永;马佩军;赵胜雷;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2023-02-10 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结功率器件及其制作方法，主要解决现有氮化镓基器件存在电流崩塌现象和击穿电压低的问题，其包括：衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源槽(7)、漏槽(8)、源极(9)、漏接触(10)、浮岛金属(11)、漏岛金属(12)、栅极(14)和钝化层(16)。势垒层上从左到右依次设有栅岛(4)、浮岛(5)和漏岛(6)；浮岛(5)由2n‑1个独立P型半导体块组成，漏岛(6)由m个P型半导体长方体块组成，每个长方体块之间设有凹槽(13)；该凹槽的内部、前后及右侧均淀积有金属，形成肖特基接触(15)。本发明能抑制电流崩塌，提高击穿电压，正向阻断与反向阻断好，可用于电力电子系统的基本器件。
异质结功率器件及其制作方法

[发明专利]一种β-Ga2-CN202110633935.3有效
发明人：张雅超;张涛;冯倩;张进成;马佩军;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-06-07 - 公布日： 2023-02-10 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种β‑Ga2O3薄膜及其制备方法，所述β‑Ga2O3薄膜自下而上包括：异质衬底、β‑Ga2O3缓冲层、脉冲β‑Ga2O3缓冲层和β‑Ga2O3外延层。本发明能够有效地提高制备β‑Ga2O3薄膜的质量。
一种 ga base sub

[发明专利]一种基于硅掺杂六方氮化硼的半导体器件制备方法-CN202211261871.X在审
发明人：宁静;张子涵;王东;张进成;张弛;马佩军;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2022-10-14 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于硅掺杂六方氮化硼的半导体器件制备方法，涉及微电子技术领域，包括如下步骤：(1)清洗衬底，将六方氮化硼转移至待用衬底上；(2)将硅或二氧化硅与衬底上的六方氮化硼进行物理接触；(3)将附有硅或二氧化硅的衬底放入高温退火炉中进行高温退火；得到硅掺杂六方氮化硼；(4)随后在所制备的六方氮化硼层部分表面以及二氧化硅层标面制备电极；针对氮化硼材料用于器件中存在的劣势，如电阻率过高，光吸收率低等，本发明对氮化硼材料进行硅掺杂，形成n型半导体氮化硼材料，该结构设计简单，能够充分发挥氮化硼材料的本征紫外吸收特点。
一种基于掺杂氮化半导体器件制备方法

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