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[发明专利]选择性外延生长方法-CN202310922972.5在审
发明人：周康;孙伟虎;杨德明;赵正元;张守龙 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2023-07-25 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本申请公开了一种选择性外延生长方法，包括：提供一衬底，该衬底用于集成HBT器件和CMOS器件，从俯视角度观察，衬底包括第一区域和第二区域，第一区域用于集成HBT器件，第二区域用于集成CMOS器件，第一区域的衬底上形成有HBT器件的基区；通过选择性外延生长工艺在基区上生长外延层作为HBT器件的外基区，在生长外延层的过程中，通过通入包含硅烷的反应气体以控制外延层厚度的一致性。本申请通过在Bi‑CMOS工艺中，在通过选择性外延生长工艺在基区上生长外延层作为HBT器件的外基区时，通过通入包含硅烷的反应气体以控制外延层厚度的一致性，从而提高了HBT器件外基区厚度的一致性，在一定程度上提高了器件产品的良率。
选择性外延生长方法

[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质-CN201880057801.8有效
发明人：佐藤明博;原大介 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2018-09-19 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供一种能够均匀地处理基板的技术。根据本发明的一方案，提供一种技术，其具有：处理室，其处理基板；原料气体供给部，其设于处理室内并供给原料气体；反应气体供给部，其设于处理室内并供给反应气体；排气部，其对处理室内进行排气；等离子生成部，其具备第一等离子生成部和第二等离子生成部，该第一等离子生成部和该第二等离子生成部隔着通过处理室的中心和排气部的直线配置，且将反应气体通过等离子化而活化；以及气体整流部件，其具备第一分隔部件和第二分隔部件，该第一分隔部件沿着原料气体供给部与第一等离子生成部之间的处理室的内壁配置于相距基板的边缘部一定距离的位置，该第二分隔部件沿着原料气体供给部与第二等离子生成部之间的处理室的内壁配置于相距基板的外周部一定距离的位置。
处理装置半导体制造方法以及存储介质

[发明专利]模板基板及其制造方法、制造装置、半导体基板及其制造方法、制造装置-CN202280016191.3在审
发明人：神川刚 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2022-02-22 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：模板基板(7)具备：具有边缘(E)、包括边缘的周缘部(1S)及位于比周缘部靠内侧的位置的非周缘部(1P)的主基板；以及位于比主基板靠上方的位置的掩模图案，掩模图案具有：掩模部(5)；多个第一开口部(KF)，将第一方向作为宽度方向，将第二方向作为长度方向，在俯视时与非周缘部(1P)重叠；以及一个以上的第二开口部(KB)，在俯视时被配置成沿着所述边缘。
模板及其制造方法装置半导体

[发明专利]III族氮化物半导体基板及III族氮化物半导体基板的制造方法-CN201780078734.3有效
发明人：住田行常;藤山泰治;后藤裕辉;中川拓哉;石原裕次郎 -专利权人：古河机械金属株式会社
申请日： 2017-12-18 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供一种III族氮化物半导体基板的制造方法，其具有：准备蓝宝石基板的基板准备工序(S10)；对蓝宝石基板进行热处理的热处理工序(S20)；向蓝宝石基板上供给含金属气体的预流工序(S30)；在蓝宝石基板上，在生长温度：800℃以上且950℃以下、压力：30torr以上且200torr以下的生长条件下，形成缓冲层的缓冲层形成工序(S40)；以及在缓冲层上，在生长温度：800℃以上且1025℃以下、压力：30torr以上且200torr以下、生长速度：10μm/h以上的生长条件下，形成III族氮化物半导体层的生长工序(S50)。
iii 氮化物半导体制造方法

[发明专利]III族氮化物半导体基板及III族氮化物半导体基板的制造方法-CN201780082768.X有效
发明人：住田行常;藤山泰治 -专利权人：古河机械金属株式会社
申请日： 2017-12-25 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：III族氮化物半导体基板的制造方法，包括：蓝宝石基板准备工序(S10)，准备具有作为主表面的{10‑10}面或{10‑10}面在规定的方向上以规定角度倾斜的面的蓝宝石基板；热处理工序(S20)，一边进行氮化处理一边对蓝宝石基板进行热处理、或者在不进行氮化处理的情况下对蓝宝石基板进行热处理；缓冲层形成工序(S30)，在热处理后的蓝宝石基板的主表面上形成缓冲层；生长工序(S40)，在缓冲层上形成生长面成为规定的面方位的III族氮化物半导体层，对蓝宝石基板的主表面的面方位、热处理时的氮化处理的有无、以及缓冲层形成工序中的生长温度中的至少一个进行调整，使III族氮化物半导体层的生长面成为规定的面方位。
iii 氮化物半导体制造方法

[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置以及记录介质-CN201680079075.0有效
发明人：中谷公彦;镰仓司;柄泽元;原田和宏 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2016-02-29 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明具有至少在一定期间重合地进行下述工序从而在衬底上形成膜的工序：对衬底供给第一原料的工序，第一原料包含规定元素与氮的化学键或规定元素与碳的化学键、和规定元素与氢的化学键，并且不含氮与氢的化学键；和对衬底供给假催化剂的工序，假催化剂包含第13族元素、且不含氮与氢的化学键，在形成膜的工序中，不实施包含氮与氢的化学键的物质对所述衬底的供给。
半导体器件制造方法衬底处理装置以及记录介质

[发明专利]锑掺杂的硅和硅锗膜的原位制备的方法-CN201910614722.9有效
发明人： S.B.赫纳;E.哈拉里 -专利权人：日升存储公司
申请日： 2019-07-09 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：一种用于形成锑掺杂的含硅层的工艺，包含：(a)使用锑源气体和硅源气体或硅源气体和锗源气体的组合，通过化学气相沉积在半导体结构上方沉积锑掺杂的含硅层；以及(b)在不大于800℃的温度下退火锑掺杂的含硅层。锑源气体可以包含以下中的一种或多种：三甲基锑(TMSb)和三乙基锑(TESb)。硅源气体包括以下中的一种或多种：硅烷、二硅烷、三氯硅烷(TCS)、二氯硅烷(DCS)、一氯硅烷(MCS)、甲基硅烷，以及四氯化硅。锗源气体包括锗烷。
掺杂硅锗膜原位制备方法

[发明专利]半导体器件及其制备方法-CN202310924668.4在审
发明人：霍文;曹志伟;王琦 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2023-07-25 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体器件及其制备方法，其中制备方法包括：(1)提供形成有外延层的衬底；(2)通入第i流量的反应气体形成第j子柱体层，通入的反应气体的分配比例从中心往边缘逐渐增大；(3)回刻第j子柱体层，刻蚀速率从中心往边缘逐渐增大；(4)重复执行步骤2至步骤3；(5)通入第i+1流量的反应气体，形成第j+1子柱体层，第i+1流量小于第i流量；(6)去除高于外延层的第j+1子柱体层；i、j均为大于或者等于1的整数。本申请通过执行上述步骤，不仅可以使得各沟槽中的组合柱体层中的离子掺杂浓度可以随着组合柱体层厚度增加而减小，而且可以将不同区域柱体层的离子掺杂浓度同时调低。
半导体器件及其制备方法

[发明专利]制备氮化镓衬底的图形化衬底以及制备氮化镓衬底的方法-CN202180091813.4在审
发明人：申健;张浩东 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-02-02 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本申请提供一种制备氮化镓衬底的图形化衬底以及制备氮化镓衬底的方法，能够解决氮化镓衬底制备工艺复杂，生产成本高的问题。该制备氮化镓衬底的方法包括：在第一蓝宝石衬底的上表面制备掩膜阵列，该掩膜阵列包括多个呈周期性排列的掩膜。然后对带有掩膜阵列的第一蓝宝石衬底进行酸蚀刻，生成具有图案阵列的第二蓝宝石衬底，图案的排列方式与掩膜的排列方式相同。图案的侧壁包含多种半极性晶面，图案具有三重对称特性。然后在带有图案阵列的第二蓝宝石衬底的上表面生长氮化物缓冲层，采用卤化物气相外延生长法，在氮化物缓冲层上生长氮化镓厚膜。将氮化镓厚膜从第二蓝宝石衬底上剥离，并对氮化镓厚膜进行研磨和抛光，氮化镓厚膜即为氮化镓衬底。
制备氮化衬底图形以及方法

[发明专利]半导体装置的制造方法、基板处理装置以及程序-CN202180085059.3在审
发明人：伊藤匠;石桥清久;村上孝太郎 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2021-02-19 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供一种技术，进行：(a)对基板供给含第14族元素气体的工序；以及(e)在(a)之后，将依次包括(b)对所述基板供给含有第13族元素或第15族元素的卤化物的掺杂剂气体的工序、(c)对所述基板供给第一还原气体的工序以及(d)对所述基板供给所述含第14族元素气体的工序的循环进行预定次数的工序。
半导体装置制造方法处理以及程序

[发明专利]基板处理装置、异常探测方法以及半导体装置的制造方法-CN202280010743.X在审
发明人：河原喜隆;前田育宽 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2022-03-09 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：根据本公开，提供一种技术，具有：温度检测部，其检测通过发热使处理室的温度上升的发热部的温度；温度调整部，其相对于在单位时间内能够向所述发热部供给的电力，调整输出该电力的比例，以便减小从所述温度检测部得到的温度与温度设定值的差异；测量部，其测量在包含所述发热部的电路中流动的电流；异常探测部，其对由所述测量部测量出的电流测定值与根据从所述温度调整部取得的输出所述电力的比例计算出的理论电流值进行比较，在所述电流测定值与所述理论电流值不同的情况下判定为异常。
处理装置异常探测方法以及半导体制造

[发明专利]SiC外延生长装置-CN201911163010.6有效
发明人：梅田喜一;渥美广范 -专利权人：株式会社力森诺科
申请日： 2019-11-25 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明的SiC外延生长装置具备载置SiC晶片的载置台和覆盖所述载置台的炉体，所述炉体具备原料气体供给口、第1吹扫气体供给口和第2吹扫气体供给口，所述原料气体供给口位于与所述载置台相对的位置，向所述生长空间供给原料气体，所述第1吹扫气体供给口包围所述原料气体供给口的周围，向所述生长空间供给吹扫气体，所述第2吹扫气体供给口包围所述第1吹扫气体供给口的周围，向所述生长空间供给吹扫气体。
sic 外延生长装置

[发明专利]维护装置、真空处理系统和维护方法-CN202180084843.2在审
发明人：道菅隆 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：维护装置包括：形成有开口部的壳体，开口部具有与在处理容器设置有第一开闭门和第二开闭门的真空处理装置的第二开闭门对应的尺寸，第一开闭门用于基片的送入送出，第二开闭门与第一开闭门不同，能够将开口部气密地安装于第二开闭门；用于对壳体内部进行减压的减压机构；和配置在壳体内部的吸引机构，其能够经由开口部进入处理容器内，对处理容器内的对象物的附着物进行吸引。
维护装置真空处理系统方法

[发明专利]用于产生外延晶片的系统和方法-CN202310145729.7在审
发明人：许致远;塗俊钦;杨燿青;陈世强 -专利权人：环球晶圆股份有限公司
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本公开涉及用于产生外延晶片的系统和方法。一种产生外延半导体晶片的方法包含测量一或多个外延半导体晶片以确定由外延设备产生的外延沉积层构型。所述方法还包含使用抛光组合件抛光半导体晶片，以及测量经抛光半导体晶片以确定所述经抛光晶片的表面构型。所述方法进一步包含通过将所述经抛光晶片的所述表面构型与由所述外延设备产生的所确定的外延沉积层构型进行比较而生成所述经抛光晶片的经预测外延后表面构型。所述方法还包含基于所述经预测外延后表面构型确定经预测外延后参数，以及基于所述经预测外延后参数调整所述抛光组合件的工艺条件。
用于产生外延晶片系统方法

[发明专利]一种提高本征非晶硅钝化效果的镀膜工艺、钝化结构、异质结太阳能电池及制备工艺-CN201911254613.7有效
发明人：张鹏;张忠文;王永谦;尹丙伟;王岚;王璞;丁蕾;眭山 -专利权人：通威太阳能（眉山）有限公司
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种提高本征非晶硅钝化效果的镀膜工艺、钝化结构、异质结太阳能电池及制备工艺，涉及电池技术领域。提高本征非晶硅钝化效果的镀膜工艺，其采用PECVD设备在硅片表面沉积制备本征非晶硅膜，PECVD设备包括腔室，以及位于腔室内相对且平行设置的上电极板和下电极板，上电极板与射频电源连接，硅片平行置于上电极板和下电极板之间，在沉积制备本征非晶硅膜的过程中，控制上电极板和下电极板之间的间距逐渐缩小。采用一步法制备本征非晶硅，可缩短工艺时间，提高产量，还能够改善膜层质量。
一种提高征非晶硅钝化效果镀膜工艺结构异质结太阳能电池制备

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