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[发明专利]一种肖特基二极管的元胞结构-CN202310392327.7在审
发明人：朱涛;张丙可;魏晓光;李嘉琳;李玲;周行;赵万利;葛欢;常树丞;阎海亮;李青岭 -专利权人：北京智慧能源研究院
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种肖特基二极管的元胞结构，属于半导体技术领域，元胞区平面区域包括高掺杂区、肖特基势垒接触区和高肖特基势垒接触区；所述高掺杂区为P型或N型；所述高肖特基势垒接触区不在所述高掺杂区；所述高肖特基势垒接触区与所述肖特基势垒接触区相邻；所述肖特基势垒接触区同基底形成的肖特基接触的肖特基势垒高度低于所述高肖特基势垒接触区同基底形成的肖特基势垒。本发明通过在常规肖特基势垒接触区域之间引入高肖特基势垒接触区域，减少其漏电流，同时此区域面积较小且易穿通，对正向导通压降的影响较小。
一种肖特基二极管结构

[发明专利]具有增强击穿电压的肖特基二级管结构及制造方法-CN200610168593.8有效
发明人：安东尼恩·罗斯帕尔 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2006-12-21 - 公布日： 2007-08-08 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：在一个实施方式中，肖特基二级管结构包括肖特基势垒层，其通过肖特基接触窗口与半导体材料接触。邻近肖特基接触窗口形成导电环，且该导电环通过一个薄绝缘层与半导体材料分开。覆盖于所述结构而形成另一绝缘层，且在其中形成接触窗口。该接触窗口比肖特基接触窗口宽并暴露了部分导电环。形成肖特基势垒金属，其通过肖特基接触窗口与半导体材料接触，且进一步与导电环接触。
具有增强击穿电压肖特基二级结构制造方法

[发明专利]碳化硅基肖特基接触制作方法及肖特基二极管制造方法-CN201610785226.6有效
发明人：周正东;李诚瞻;刘可安;吴煜东;饶伟;史晶晶;杨程;吴佳 -专利权人：株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅肖特基接触制作方法，包括以下步骤：a.在碳化硅基体表面溅射肖特基接触金属材料；b.将步骤a处理后的碳化硅基体进行加热处理；c.使步骤b处理后的碳化硅基体在惰性气氛下冷却；d.在冷却后的碳化硅基体表面进一步溅射阳极金属材料；e.先后刻蚀除去非肖特基接触区的阳极金属材料和肖特基接触材料，形成肖特基接触区。本发明还提供了一种碳化硅肖特基二极管的制造方法。本发明在形成肖特基接触图形中只需进行一次光刻，简化了肖特基接触的形成步骤。本发明提供的肖特基接触制作方法可有效防止肖特基接触金属被自然氧化，同时防止肖特基接触金属表面的有机物及颗粒的污染，从而提高肖特基接触和相应二极管的品质。
碳化硅基肖特基接触制作方法肖特基二极管制造方法

[发明专利]一种高压肖特基二极管-CN201510864419.6有效
发明人：卢晔 -专利权人：成都九十度工业产品设计有限公司
申请日： 2015-12-01 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种高压肖特基二极管，其特征在于：包括衬底、外延层、金属接触层和保护层；所述衬底上表面外延生长有外延层；多个沟槽，间隔形成于所述外延层中；所述金属接触层设于外延层的上表面；所述金属接触层两端各设有一个欧姆接触金属，肖特基接触金属设置于金属接触层的中心部位，欧姆接触金属与肖特基接触金属之间设置有源层；所述肖特基接触金属上表面设有保护层；所述欧姆接触为高压肖特基二极管的阴极；所述肖特基接触为高压肖特基二极管的阳极。本发明高压肖特基二极管能够提高反向偏压，减小反向漏电流。
肖特基二极管金属接触层肖特基接触外延层欧姆接触金属保护层上表面金属阴极衬底上表面反向漏电流阳极反向偏压欧姆接触外延生长衬底减小源层

[发明专利]一种氮化镓基肖特基二极管半导体器件及制造方法-CN201710187814.4在审
发明人：欧阳伟伦;梁安杰;罗文健 -专利权人：香港商莫斯飞特半导体有限公司
申请日： 2017-03-27 - 公布日： 2017-11-24 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：一种氮化镓基肖特基二极管半导体器件及制造方法，包括以下步骤在硅单晶衬底上依次形成AlN层、掺杂Fe离子的AlGaN层、掺杂碳离子的GaN外延层、非掺杂的GaN外延层、非掺杂的AlGaN外延层,以及GaN帽层；形成第一接触孔掩模开孔，并在第一接触孔掩模开孔中形成阴极金属；形成第一肖特基接触孔，在第一肖特基接触孔中形成第一肖特基金属，并与GaN表面构成低势垒肖特基接触；形成第二肖特基接触孔，在第二肖特基接触孔中形成第二肖特基金属，并与GaN表面构成高势垒肖特基接触；形成肖特基二极管的阳板垫层和阴极金属垫层。本发明的半导体器件，由两种不同势垒的肖特基势垒接触组成，在低导通电压下能注入更多的电流，反向偏置时，能保持较低的反向漏电流。
一种氮化镓基肖特基二极管半导体器件制造方法

[发明专利]碳化硅肖特基接触的制备方法及碳化硅肖特基二极管-CN201811391541.6在审
发明人：崔玉兴;刘佳佳;付兴中;王川宝;胡多凯 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2018-11-21 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅肖特基接触的制备方法及碳化硅肖特基二极管，属于半导体制备领域，包括：在碳化硅圆片表面沉积介质保护层；在介质保护层上涂覆一层光刻胶，对肖特基接触区域进行光刻，露出需要蒸发的肖特基接触金属区域；在碳化硅圆片表面沉积多层金属，所述多层金属为先沉积金属铌，再沉积铝、镍、银、金中一种、两种或三种或其组合；金属剥离，去除非肖特基接触区域的金属，保留肖特基接触区域的金属；快速退火，形成肖特基接触。本发明提供的碳化硅肖特基接触的制备方法，能够解决现有技术中存在的肖特基接触形成的势垒高度大、损耗大等技术问题。
肖特基接触碳化硅制备肖特基二极管介质保护层多层金属圆片表面沉积半导体制备金属沉积金属金属剥离金属区域快速退火光刻胶再沉积光刻势垒涂覆蒸发保留

[发明专利]功率MOS晶体管内集成肖特基二极管的器件及制造方法-CN200910201907.3有效
发明人：邵向荣;魏炜 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2009-12-08 - 公布日： 2011-06-08 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率MOS晶体管内集成肖特基二极管的器件，通过在正常栅极沟道间增加肖特基沟道，在肖特基沟道间形成肖特基二极管。此外，本发明还公开了该器件的制造方法，包括如下步骤：(1)在硅衬底上进行栅极沟道和肖特基沟道刻蚀，形成栅极沟道之间嵌入肖特基沟道；(2)有光阻阻挡肖特基沟道区域的body注入与源注入；(3)层间电介质淀积，接触孔曝光、刻蚀，接触孔注入形成欧姆接触；(4)肖特基接触沟槽曝光、刻蚀；(5)金属沉积，在肖特基接触沟槽底部、金属与外延层接触形成肖特基二极管；(6)后续工艺包括常规的金属曝光、刻蚀、合金工艺。
功率 mos 晶体管集成肖特基二极管器件制造方法

[发明专利]金属电极结构及其制备方法、肖特基势垒二极管-CN202311094893.6在审
发明人：柳月波;赖灿雄;廖文渊;杨少华;王宏跃;贺致远 -专利权人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室））
申请日： 2023-08-28 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本申请涉及一种金属电极结构及其制备方法、肖特基势垒二极管，金属电极结构包括基材，所述基材的表面形成有间隔布置的第一圆柱体和第二圆柱体，所述第二圆柱体的顶面分别形成有缺口窗和欧姆接触电极，所述第一圆柱体的顶面形成有第一肖特基接触电极，所述缺口窗的底面形成有第二肖特基接触电极；以及肖特基电极空气桥，所述肖特基电极空气桥的一端与所述第一肖特基接触电极电连接，所述肖特基电极空气桥的另一端与所述第二肖特基接触电极电连接；其中，所述第一肖特基接触电极和所述第二肖特基接触电极均为圆形
金属电极结构及其制备方法肖特基势垒二极管

[发明专利]具有屏蔽栅的沟槽栅MOSFET和肖特基二极管的集成结构-CN201410398107.6有效
发明人：陈正嵘;陈晨;陈菊英 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2014-08-13 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于屏蔽栅的沟槽栅MOSFET和肖特基二极管的集成结构，形成于硅衬底上且沟槽栅MOSFET和肖特基二极管的形成区域分开且相邻。沟槽栅MOSFET采用具有屏蔽栅的双栅结构，在肖特基二极管的形成区域形成有和沟槽栅相同的沟槽结构，通过正面金属层填充到沟槽的顶部来在沟槽侧面形成肖特基接触，正面金属层同时也和沟槽外的硅外延层形成肖特基接触，沟槽侧面和沟槽外的肖特基接触的结构能够大大增加肖特基接触的面积，能大大减少肖特基二极管的形成区域所占芯片的面积。同时本发明的肖特基二极管和采用沟槽接触孔的源极接触孔无关，故肖特基二极管的性能不受沟槽接触孔的影响，工艺相对简单且容易控制。
具有屏蔽沟槽 mosfet 肖特基二极管集成结构

[发明专利]一种肖特基二极管的制造方法-CN202211153541.9在审
发明人：穆成星;周静涛;金智;苏永波;韩超;蒋文静;刘志成;武楠 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-09-21 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种肖特基二极管的制造方法，涉及二极管技术领域，用于减小肖特基结与N型轻掺杂层之间的接触面积，降低肖特基接触部分的结电容，进而提高肖特基二极管的器件耐压特性，降低肖特基二极管在超高频的工作环境下击穿的风险所述肖特基二极管的制造方法包括：提供一半导体基底。半导体基底包括衬底、N型重掺杂层和N型轻掺杂层。沿远离衬底的方向，N型重掺杂层和N型轻掺杂层依次层叠设置在衬底的一侧。在部分N型轻掺杂层上形成肖特基接触层，以获得肖特基结。在肖特基接触层的掩膜作用下，至少对部分N型轻掺杂层进行回刻处理和钻刻处理，以至少使得N型轻掺杂层与肖特基接触层接触的部分的侧壁相对于肖特基接触层的侧壁向内凹入。
一种肖特基二极管制造方法

[发明专利]一种碳化硅肖特基二极管及其制造方法-CN201710980467.0在审
发明人：李诚瞻;吴煜东;戴小平;史晶晶;王弋宇 -专利权人：株洲中车时代电气股份有限公司
申请日： 2017-10-19 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅肖特基二极管及其制造方法。所述碳化硅肖特基二极管包括复合肖特基接触结构，所述复合肖特基接触结构包括碳化硅外延层、肖特基金属层以及设置在所述碳化硅外延层与肖特基金属层之间的石墨烯层，所述石墨烯层用以阻挡所述碳化硅外延层的碳化硅原子和所述肖特基金属层的金属原子之间互相渗透，从而减小所述复合肖特基接触结构的漏电流。
碳化硅碳化硅外延层肖特基二极管肖特基金属层肖特基接触石墨烯层复合金属原子漏电流减小制造阻挡

[发明专利]一种可切换正负极的肖特基二极管-CN202210086813.1有效
发明人：周勇 -专利权人：先之科半导体科技（东莞）有限公司
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供了一种可切换正负极的肖特基二极管，包括绝缘塑封体，所述绝缘塑封体内设有第一肖特基芯片、第二肖特基芯片，所述第一肖特基芯片与所述第二肖特基芯片相对的两个面极性相同；所述第一肖特基芯片与所述第二肖特基芯片之间连接有导电模块，所述导电模块上端连接有第一接触部、第二接触部；所述绝缘塑封体上设有开关模块；所述第一导电脚与所述第一接触部通电时，所述第二导电脚与所述第二接触部断电；所述第二导电脚与所述第二接触部通电时，所述第一导电脚与所述第一接触部断电本发明的肖特基二极管，能够轻易地转换肖特基二极管的正负极，结构简单，操作难度低。
一种切换负极肖特基二极管

[发明专利]一种集成TMBS的集成电路芯片及其制备方法-CN202211249671.2在审
发明人：刘秀梅;周祥瑞;刘锋;费国芬 -专利权人：捷捷微电（无锡）科技有限公司
申请日： 2022-10-12 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种集成TMBS的集成电路芯片及其制备方法，一种集成TMBS的集成电路芯片，过渡区包括围绕所述有源区设置的多个沟槽型肖特基二极管，沟槽型肖特基二极管包括肖特基沟槽，肖特基沟槽内设有沟槽多晶硅及包围所述沟槽多晶硅的氧化层，肖特基沟槽设置在N型外延层内，在肖特基沟槽上设有肖特基接触层，肖特基接触层的宽度大于肖特基沟槽的宽度，在肖特基接触层上设有源极金属层，N型外延层下邻接N型衬底，N型衬底下设有欧姆接触的漏极金属层。
一种集成 tmbs 集成电路芯片及其制备方法

[发明专利]一种沟槽式MOS肖特基二极管-CN201610075455.9在审
发明人：黄仲濬;蒋文甄 -专利权人：泰州优宾晶圆科技有限公司
申请日： 2016-02-03 - 公布日： 2016-04-20 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种沟槽式MOS肖特基二极管，包括肖特基接触金属、二氧化硅环、外延膜、欧姆接触金属、衬底基片和焊压块，肖特基接触金属中间设置有沟槽，二氧化硅环套在肖特基接触金属的下部凸起上，肖特基接触金属的下部凸起设置在外延膜上，外延膜设置在衬底基片上，焊压块设置在衬底基片的另一面，欧姆接触金属设置在焊压块的背面，该发明的沟槽式MOS肖特基二极管，沟槽式肖特基的设计把电场强度从表面移到沟槽深度，可以避免硅表面杂质再高温高热下产生游离状态，影响肖特基的耐压和漏电，同时硅的内散热比较均匀，更有利于温度的扩散作用。
一种沟槽 mos 肖特基二极管

[实用新型]一种沟槽式MOS肖特基二极管-CN201620108833.4有效
发明人：黄仲濬;蒋文甄 -专利权人：泰州优宾晶圆科技有限公司
申请日： 2016-02-03 - 公布日： 2016-08-31 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种沟槽式MOS肖特基二极管，包括肖特基接触金属、二氧化硅环、外延膜、欧姆接触金属、衬底基片和焊压块，肖特基接触金属中间设置有沟槽，二氧化硅环套在肖特基接触金属的下部凸起上，肖特基接触金属的下部凸起设置在外延膜上，外延膜设置在衬底基片上，焊压块设置在衬底基片的另一面，欧姆接触金属设置在焊压块的背面，该实用新型的沟槽式MOS肖特基二极管，沟槽式肖特基的设计把电场强度从表面移到沟槽深度，可以避免硅表面杂质再高温高热下产生游离状态，影响肖特基的耐压和漏电，同时硅的内散热比较均匀，更有利于温度的扩散作用。
一种沟槽 mos 肖特基二极管

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