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[发明专利]降低外延层破碎几率的金刚石基氮化镓晶圆的制备方法-CN202310581159.6在审
发明人：苏凯;王晗雪;张金风;任泽阳;张雅超;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种降低外延层破碎几率的金刚石基氮化镓晶圆的制备方法，包括：在所述第一衬底层上制备氮化物外延层；采用光刻和干法刻蚀工艺从所述氮化物外延层的上表面刻蚀至所述第一衬底层的上表面，以形成若干个阵列排布的氮化物外延子层；采用晶圆键合方法将包含氮化物外延子层的晶圆上表面与第二衬底层通过第一键合层进行键合，得到第一键合片；去除所述第一键合片中的第一衬底层，暴露出所述氮化物外延子层的成核层或者缓冲层，得到第二键合片；将氮化物外延子层的下表面与金刚石衬底层进行晶圆键合，得到第三键合片；去除第二衬底层和第一键合层，得到金刚石基氮化镓晶圆。本发明降低在后续衬底剥离工艺中导致的氮化物外延层薄膜龟裂和破损几率，可有效提高金刚石基GaN晶圆的良品率。
降低外延破碎几率金刚石氮化镓晶圆制备方法

[发明专利]适用于单晶石墨烯晶圆生长的合金衬底-CN202210315664.1在审
发明人：刘忠范;邵家新;贾开诚;竺叶澍;王世伟;林立 -专利权人：北京石墨烯研究院;北京大学
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于单晶石墨烯晶圆生长的合金衬底。单晶石墨烯晶圆的制备包括以下步骤：1)构筑铜钴(111)合金晶圆，其中将磁控溅射制备的铜钴合金/蓝宝石晶圆置于化学气相沉积系统中进行退火处理，得到铜钴(111)合金晶圆；2)通入气态碳源，在所述铜钴(111)合金晶圆表面外延生长单晶石墨烯。本方法一方面有利于解决现有铜晶圆高温退火单晶化时表面的热沟壑问题，从而提高合金晶圆的表面平整度和均匀性。另一方面，本方法利用钴元素自身的高催化活性和溶碳量，可以实现石墨烯单晶晶圆畴区尺寸、生长速率和层数的有效调控。
适用于晶石墨烯晶圆生长合金衬底

[发明专利]氮化物半导体基板及其制造方法-CN202280012925.0在审
发明人：久保埜一平;萩本和德;篠宫胜 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2022-01-17 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明为一种氮化物半导体基板，其在成膜用基板上成膜有包含Ga的氮化物半导体薄膜，所述成膜用基板在由多个层结合而成的复合基板上形成有单晶硅层，所述氮化物半导体基板的特征在于，从作为所述氮化物半导体薄膜的生长面的所述单晶硅层的端部起朝向内侧具有未成膜有包含Ga的所述氮化物半导体薄膜的区域。由此，提供抑制了反应痕迹的产生的氮化物半导体基板及其制造方法。
氮化物半导体及其制造方法

[发明专利]一种二维NiO单晶纳米片及其氯化钠辅助化学气相沉积制备方法和应用-CN202310632869.7在审
发明人：黄文娟;陈相柏;向岳松;肖越;安楠;张广辉 -专利权人：武汉工程大学
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明属于二维纳米材料制备技术领域，具体涉及一种二维NiO单晶纳米片及其氯化钠辅助化学气相沉积制备方法和应用。该方法对衬底进行预处理，活化衬底表面，在衬底上喷洒NaCl溶液以辅助成核，待其干燥后得到NaCl覆盖的衬底；在常压环境下，位于单温区管式炉加热中心的Ni源在载气Ar的输送下到达管式炉下游的空间限域的NaCl覆盖的衬底，在其上生长二维NiO单晶纳米片。本发明通过优化化学气相沉积的工艺参数和NaCl溶液浓度，实现了厚度为8‑400nm，尺寸为3‑20μm的六边形或三角形形貌的二维NiO单晶纳米片的可控制备。
一种二维 nio 纳米及其氯化钠辅助化学沉积制备方法应用

[发明专利]一种低背景浓度氮化镓外延结构的制备方法及其外延结构-CN202210758795.7有效
发明人：王国斌;周溯沅 -专利权人：江苏第三代半导体研究院有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种低背景浓度氮化镓外延结构的制备方法及其外延结构，包括：在衬底层上沉积氮化铝缓冲层，阻挡衬底层上吸附的O杂质；反应腔室在第一V/III比的条件下，持续通入镓源和氮源，以便在所述氮化铝缓冲层上生成氮化镓粗化层，减少氮化镓中穿透位错等线缺陷的形成，阻断后序外延层材料杂质并入根源；所述反应腔室在第二V/III比的条件下，持续通入所述镓源和所述氮源，以便在所述氮化镓粗化层上生长氮化镓恢复层，减少氮空位的产生，为后续生长低背景浓度；所述反应腔室在第三V/III比的条件下，持续通入所述镓源和所述氮源，以便在所述氮化镓恢复层上生长低背景浓度氮化镓层；减少氮空位的产生，以及C、Si杂质的并入，降低氮化镓的背景浓度。
一种背景浓度氮化外延结构制备方法及其

[发明专利]一种GaAs衬底上生长有CdTe外延层的结构及方法-CN202310744353.1有效
发明人：刘冰冰 -专利权人：合肥芯胜半导体有限公司
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池材料技术领域，提供一种GaAs衬底上生长有CdTe外延层的结构及方法，一种GaAs衬底上生长有CdTe外延层的结构，包括GaAs衬底和CdTe外延层，其特征在于:所述GaAs衬底上生长有缓冲层，在所述缓冲层上生长CdTe外延层，所述缓冲层由至少两层组成，该至少两层缓冲层的晶格常数位于GaAs衬底和CdTe外延层晶格常数之间，且通过该至少两层缓冲层实现晶格常数自GaAs衬底到CdTe外延层的逐层过渡。本发明采用台阶式晶格常数渐变的方式生长至少两层缓冲层，晶格常数自GaAs衬底到CdTe外延层逐层过渡，使得相邻层的晶格失配的概率大大降低，本发明利用界面的特有性质促使缺陷以更快的速度消除。缓冲层厚度基本可控制在2μm以内，保证在GaAs衬底上获得高质量的CdTe外延层。
一种 gaas 衬底生长 cdte 外延结构方法

[发明专利]氮化物半导体基板及其制造方法-CN202280012933.5在审
发明人：久保埜一平;土屋庆太郎;萩本和德;篠宫胜 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2022-01-17 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明为一种氮化物半导体基板，其在成膜用基板上成膜有包含Ga的氮化物半导体薄膜，所述成膜用基板在支撑基板上隔着绝缘层形成有单晶硅层，所述氮化物半导体基板的特征在于，从作为所述氮化物半导体薄膜的生长面的所述单晶硅层的端部起朝向内侧具有未成膜有包含Ga的所述氮化物半导体薄膜的区域。由此，提供抑制了反应痕迹的产生的氮化物半导体基板及其制造方法。
氮化物半导体及其制造方法

[发明专利]氮化镓外延片的制备方法-CN202210242971.1在审
发明人：李兵兵;黄兆斌 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本申请涉及一种氮化镓外延片的制备方法，所述制备方法包括：提供一衬底；在所述衬底上生长高温氮化镓核；在所述衬底及所述高温氮化镓核上完成低温氮化镓成核层的生长；在所述衬底、所述高温氮化镓核及所述低温氮化镓成核层上完成氮化镓岛的三维生长；对所述氮化镓岛进行二维生长，其解决了氮化镓外延片生长状态受到金属有机化学气相沉积设备的反应腔状态影响的问题。
氮化外延制备方法

[发明专利]一种高载流子浓度重掺杂氧化镓外延薄膜的生长方法-CN202310794544.9在审
发明人：冯倩;李佳乐;王垚;田旭升;李文吉;张雅超;张进成 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种高载流子浓度重掺杂氧化镓外延薄膜的生长方法，主要解决现有重掺杂外延薄膜衬底使用成本高、缺陷密度高及载流子浓度低的问题。其实现方案为：选取蓝宝石衬底并进行清洗；将清洗好的衬底放入MOCVD的反应腔内进行预处理；通过改变反应室的温度、压强和反应源的比值，以在衬底上依次生长两层不同机理的缓冲层；再以GeH4为掺杂剂和催化剂，利用脉冲MOCVD法在第二缓冲层上外延浓度为1019cm‑3‑1020cm‑3的Ge重掺杂β‑Ga2O3薄膜，并对其进行退火处理，完成外延薄膜的制备。本发明降低了外延薄膜的缺陷密度和衬底使用成本，提高了载流子浓度，可用于功率器件和开关器件的制备。
一种载流子浓度掺杂氧化外延薄膜生长方法

[发明专利]氮化物外延结构、外延生长方法及其应用-CN202310410667.8在审
发明人：徐建喜;徐俞;王钰宁;王建峰;徐科 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2023-04-17 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化物外延结构、外延生长方法及其应用。所述氮化物外延结构包括依次层叠设置的六方氮化硼层、单层非晶氮化硼层以及氮化物半导体层；氮化物半导体层是由所述六方氮化硼层经过远程外延作用生长形成的。所述外延生长方法包括：在衬底上生长六方氮化硼层；生长单层非晶氮化硼层；生长氮化物半导体层。本发明所提供的一种基于原位生长单层非晶氮化硼/六方氮化硼复合插入层的氮化物半导体层的外延生长方法，以多层六方氮化硼为极性底层配合单层非晶氮化硼层，实现了在任意衬底上远程外延生长低晶界缺陷、低失配位错、低应力的高质量单晶氮化物薄膜；此外，外延层剥离后的六方氮化硼/外延衬底可以反复利用，能够降低材料成本。
氮化物外延结构生长方法及其应用

[实用新型]一种半导体单晶衬底防腐装置-CN202320646138.3有效
发明人：林浩;朱丽华;曹祥俊 -专利权人：江苏正其心半导体有限公司
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体单晶衬底防腐装置，涉及衬底防腐装置技术领域，该衬底防腐装置旨在解决现有技术下衬底防腐装置内部没有设置抗腐蚀和配合加固支撑结构的技术问题，该衬底防腐装置包括单晶衬底本体、开设在单晶衬底本体内部的防护固定空腔、连接于单晶衬底本体的底部防腐放置组件；单晶衬底本体上端内部设置有端面防腐保护组件，单晶衬底本体下端内部设置有减震加固防护组件，底部防腐放置组件内部包括有圆形的防腐蚀耐磨损底盘，端面防腐保护组件内部设置有防腐蚀内套圈，该衬底防腐装置通过底部防腐放置组件和端面防腐保护组件使单晶衬底本体有一定防腐蚀保护效果，而通过减震加固防护组件能够可以起到加固连接支撑作用。
一种半导体衬底防腐装置

[发明专利]一种利用三甲基铟合成磷化铟外延片的生产工艺-CN202310667843.6在审
发明人：黄小华;聂林涛 -专利权人：陕西铟杰半导体有限公司
申请日： 2023-06-07 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用三甲基铟合成磷化铟外延片的生产工艺，拟加工的P型硅衬底放在MOCVD反应腔内，利用高纯氢气携带气态磷烷，与气态高纯三甲基铟反应，在衬底表面合成磷化铟外延片薄膜，将P型掺杂的硅衬底放入MOCVD反应腔内，通入氢气作为载气，缓慢加热磷烷储罐至110℃，通过氢气鼓泡将磷烷引入到反应腔内；缓慢加热三甲基铟储罐至150℃，使其完全气化以待用；对MOCVD反应腔进行升温升压操作，以清洁硅衬底表。本发明利用三甲基铟与磷烷在硅或砷化镓表面化合反应，生成单晶磷化铟，控制合适的温度与反应气体流速，可在衬底表面形成厚度在0.2μm‑1.2μm的磷化铟单晶异质结外延层，以满足特定条件下的需求,简化工艺、降低控制难度。
一种利用甲基合成磷化外延生产工艺

[发明专利]一种改善GaN厚膜生长缩径效应的正多边形基板及生长方法-CN202310740649.6在审
发明人：蒲小东;张海涛;方国栋;王素素;庞博;钟玉煌 -专利权人：无锡吴越半导体有限公司
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明涉及第三代半导体GaN自支撑衬底材料制备技术领域，且公开了一种改善GaN厚膜生长缩径效应的正多边形基板及生长方法，包括生长基座，所述生长基座的顶部设置有多边形凸起，生长基座的顶部通过放置有钝化盖环和正多边形基板。本发明技术方案大幅改善生长厚度达5mm以上因缩径效应导致的生长面尺寸缩小从而得不到大尺寸晶锭的弊端，有效的将之前晶锭生长缩径角度从60度，提升至70‑80度，且边缘无多晶副产物产生，极小的缩径状况影响下可将生长厚度提升至8mm以上，且上表面(Ga面)的有效尺寸还能达到50.8mm直径，生长面有效拓宽后的高质量GaN晶锭通过后道切磨抛工艺可获得更多片及更大尺寸的GaN单晶自支撑衬底，有较大的成本缩减效应。
一种改善 gan 生长效应正多边形方法

[发明专利]一种悬空二维材料的非衬底耦合低密度外延方法及外延结构-CN202310542612.2在审
发明人：蔡端俊;王豪;沈鹏;杨谦益;陈小红;许飞雅 -专利权人：厦门大学
申请日： 2023-05-15 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明涉及半导体生长技术领域，特别涉及一种悬空二维材料的非衬底耦合低密度外延方法及外延结构。其中，一种悬空二维材料的非衬底耦合低密度外延方法，关键技术如下：提供介质衬底，通过刻蚀形成大范围占空比与高纵向孔深的均匀规则化镂空衬底；通过雾化无损干转移法将二维材料层转移并利用占沿表面张力覆盖于镂空衬底表面；其中空孔部分形成下方非衬底耦合的悬空二维薄膜外延区；将悬空非耦合衬底放入半导体材料生长反应腔中，采用先预成核后高迁移外延的二步模式循环生长，利用悬空非衬底耦合区表面的高迁移率，外延低密度高质量半导体薄膜。本发明可以获得低密度高质量的半导体外延薄膜，制备方法简单，省时高效，具有广阔的工业化前景。
一种悬空二维材料衬底耦合密度外延方法结构

[发明专利]一种外延片及其制备方法和应用-CN202310594483.1在审
发明人：闫其昂;王国斌 -专利权人：江苏第三代半导体研究院有限公司
申请日： 2023-05-24 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明提供一种外延片及其制备方法和应用，所述外延片包括依次层叠设置的衬底、氮化物成核层、复合层和外延层；所述氮化物成核层为3维岛状结构；所述复合层包括沿着远离衬底的方向交替层叠设置的至少两层插入层和至少两层粗化层。本发明通过在氮化物成核层和外延层之间设置至少两层插入层和至少两层粗化层，获得了高晶体质量的外延片，相比于常规外延片，本发明制备的外延片具有更低的应力和更低的位错密度，可满足半导体高端产品应用需求。
一种外延及其制备方法应用

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