专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体装置-CN202310267630.4在审
  • 郑文泳;李基硕;崔贤根;卢亨俊;李相昊 - 三星电子株式会社
  • 2023-03-20 - 2023-10-17 - H10B12/00
  • 一种半导体装置可包括:衬底,其包括第一连接区和第二连接区之间的存储器单元区;栅电极,其在第一方向上延伸并且包括在第一连接区上具有台阶结构的第一焊盘区;背栅电极,其位于栅电极之间并且在与第一方向相反的方向上延伸;竖直导电图案,其在衬底的存储器单元区上在竖直方向上延伸并且在第一方向上彼此间隔开;以及有源层,其在衬底的存储器单元区上位于栅电极和背栅电极之间。有源层可在与第一方向相交的第二方向上延伸,并且可电连接到竖直导电图案。背栅电极可包括在第二连接区上具有台阶结构的第二焊盘区。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体器件-CN202310315781.2在审
  • 郑文泳;李基硕;李相昊;卢亨俊 - 三星电子株式会社
  • 2023-03-28 - 2023-10-17 - H10B12/00
  • 一种半导体器件包括:基板;在基板上的第一栅极结构和第二栅极结构;单个背栅极结构,在第一栅极结构和第二栅极结构之间;第一结构,包括在垂直方向上延伸的第一垂直沟道区,第一垂直沟道区的至少一部分在第一栅极结构和单个背栅极结构之间;以及第二结构,包括在垂直方向上延伸的第二垂直沟道区。第二结构与第一结构间隔开,第二垂直沟道区的至少一部分在第二栅极结构和单个背栅极结构之间。
  • 半导体器件
  • [发明专利]集成电路器件-CN202310133841.9在审
  • 明美笑;金根楠;金恩娥;金熙中;李相昊 - 三星电子株式会社
  • 2023-02-10 - 2023-08-15 - H01L23/538
  • 一种集成电路器件,包括:衬底,具有有源区域;衬底上的位线结构,位线结构在其每个侧壁上具有绝缘间隔物;在位线结构之间的掩埋接触部,掩埋接触部连接到有源区域;每个位线结构上的绝缘封盖图案;阻挡导电层,覆盖绝缘封盖图案的侧表面以及绝缘间隔物的上表面和侧表面;以及着接焊盘,电连接到掩埋接触部,着接焊盘在绝缘封盖图案和阻挡导电层上与位线结构中的一个位线结构竖直地重叠。
  • 集成电路器件
  • [发明专利]半导体器件-CN202211525178.9在审
  • 金容焕;金亮阧;朴相郁;徐旻揆;李相昊;洪定杓 - 三星电子株式会社
  • 2022-11-30 - 2023-06-20 - H10B12/00
  • 一种半导体器件包括:衬底;存储节点接触,位于所述衬底上;下电极结构,位于所述存储节点接触上;支撑结构,位于所述下电极结构的外侧表面上并且将相邻的下电极结构彼此连接;电介质层,位于所述下电极结构和所述支撑结构上;以及上电极结构,位于所述电介质层上,其中,所述下电极结构均包括:柱部分,与所述存储节点接触接触;以及筒部分,位于所述柱部分上,所述柱部分包括:第一下电极层,具有筒形形状并且具有下表面和侧表面;以及第一部分,至少覆盖所述第一下电极层的内壁,并且所述筒部分包括从所述第一部分延伸并且覆盖所述第一下电极层的上端的第二部分。
  • 半导体器件

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