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[发明专利]晶圆平坦度的预测-CN202180005051.1在审
发明人：雷鑫;周盈;宋豪杰;鲍琨;王璠;金国秀 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：所述方法包括：存储在光刻工艺期间沿着平行于第一晶圆的工作表面的第一方向收集的第一晶圆的第一晶圆膨胀。光刻工艺用于在第一晶圆的工作表面上对结构进行图案化。在具有晶圆平坦度要求的制造步骤之前，使用被配置为预测晶圆平坦度的平坦度预测模型、并基于在光刻工艺期间收集的第一晶圆膨胀来确定第一晶圆的晶圆平坦度。
平坦预测

[发明专利]计算机模拟光刻工艺的参数拟合方法-CN200410054346.6无效
发明人：张晓平 -专利权人：上海先进半导体制造有限公司
申请日： 2004-09-08 - 公布日： 2006-03-15 - 主分类号： G06F17/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种计算机模拟光刻工艺的参数拟合方法，包括如下步骤：计算并拟合能量阀值的模拟参数，包括使用Dill模型进行感光过程模拟；继续使用Dill模型进行曝光过程模拟；使用Mack模型进行湿法显影的过程模拟本发明的计算机模拟光刻工艺的参数拟合方法能够将多种不同模型的参数加以拟合，以达到计算机模拟光刻工艺的最佳效果。
计算机模拟光刻工艺参数拟合方法

[发明专利]用于评估光刻中的多次曝光工艺的结果的方法-CN200480012873.9无效
发明人： C·A·丰塞卡;S·J·布科夫斯基;黎家辉 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2004-05-19 - 公布日： 2006-06-14 - 主分类号： G03C5/00 文献下载
摘要：一种评估多次曝光光刻工艺的工艺结果的方法，首先独立地确定多次曝光工艺的各曝光步骤或工艺的一组期望图像(组1，组2)，然后通过由来自后面的曝光步骤的加权图像(组2)调整来自第一或在前的曝光步骤的图像(组1优选，通过在各曝光步骤的散焦范围上以标准化空间图像的形式进行模拟，来确定期望的图像，所使用的加权因数为后面的曝光剂量与前面步骤的曝光剂量的剂量比值。可以使用最终的复合图像组来评估多次曝光光刻工艺，例如，对于给定的剂量和焦距误差预计来提供产量评估，或可选的是，提供用于实现获得目标产量所需的工具误差预计的规格。
用于评估光刻中的多次曝光工艺结果方法

[发明专利]双工器晶圆级的封装方法、封装结构及射频模组-CN202310153489.5在审
发明人：胡锦钊;郭嘉帅 -专利权人：深圳飞骧科技股份有限公司
申请日： 2023-02-10 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H03H3/007 文献下载
摘要：本发明提供了一种双工器晶圆级的封装方法、封装结构及射频模组，封装方法包括以下步骤：S1、提供压电衬底；S2、通过光刻工艺在压电衬底上制作第一插指组件和第二插指组件；S3、通过光刻工艺在压电衬底上制出第一围堰和第二围堰；S4、通过光刻工艺形成同时盖设于第一围堰和第二围堰的盖板，并在盖板上通过光刻工艺形成第一缺口、第二缺口和第三缺口；S5、通过电镀工艺在压电衬底对应第一缺口、第二缺口及第三缺口的位置分别电镀第一填充层、
双工器晶圆级封装方法结构射频模组

[发明专利]阵列基板的制作方法及阵列基板-CN201911013090.7在审
发明人：刘翔 -专利权人：成都中电熊猫显示科技有限公司
申请日： 2019-10-23 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种阵列基板的制作方法及阵列基板，所述制作方法包括：在衬底基板上沉积栅金属膜，通过第一次光刻工艺，使栅金属膜形成栅极；依次沉积栅极绝缘层、金属氧化物半导体层和刻蚀阻挡层，通过第二次光刻工艺，使金属氧化物半导体层分别形成位于阵列开关区的有源层和位于像素区的像素电极，并在像素电极上方的刻蚀阻挡层上形成导电过孔；沉积源漏金属膜，通过第三次光刻工艺，使源漏金属膜形成源极和漏极，并使漏极通过导电过孔与像素电极连通；沉积钝化层，通过第四次光刻工艺，形成钝化层图形。本发明提供的阵列基板的制作方法及阵列基板，只需四次光刻工艺，制作工艺简单，可以提升生产效率，有着很高的使用价值。
次光阵列基板像素电极金属氧化物半导体层金属膜形成刻蚀阻挡层导电过孔金属膜漏极制作沉积栅极绝缘层沉积钝化层钝化层图形衬底基板生产效率阵列开关制作工艺沉积源像素区沉积源层源极源漏连通

[发明专利]阵列基板的制作方法及阵列基板-CN201911013984.6在审
发明人：刘翔 -专利权人：成都中电熊猫显示科技有限公司
申请日： 2019-10-23 - 公布日： 2020-01-17 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种阵列基板的制作方法及阵列基板，阵列基板的制作方法包括：在衬底基板上沉积栅金属层，通过第一次光刻工艺，使栅金属层形成栅极；依次沉积栅极绝缘层、第一半导体层、第二半导体层、源漏金属层，通过第二次光刻工艺，使第一半导体层和第二半导体层形成有源岛，同时源漏金属层形成源极、漏极；沉积钝化层，通过第三次光刻工艺，在漏极上方的钝化层上形成导电过孔；沉积透明导电层，通过第四次光刻工艺，使透明导电层形成像素电极并使像素电极与漏极通过导电过孔连通本发明提供的阵列基板的制作方法和阵列基板，仅需四次光刻工艺即可实现阵列基板的制作，工艺简单，制作成本低。
阵列基板次光半导体层漏极制作透明导电层源漏金属层导电过孔像素电极栅金属层沉积沉积栅极绝缘层沉积钝化层衬底基板钝化层源岛源极连通

[发明专利]阵列基板的制作方法及阵列基板-CN201911013988.4在审
发明人：刘翔;孙学军;李广圣;马群 -专利权人：成都中电熊猫显示科技有限公司
申请日： 2019-10-23 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明提供一种阵列基板的制作方法及阵列基板，阵列基板的制作方法包括：在衬底基板上沉积栅金属层，通过第一次光刻工艺，形成栅极；依次沉积栅极绝缘层、第一半导体层、第二半导体层、源漏金属层，通过第二次光刻工艺，形成有源岛，源极、漏极，源极和漏极之间形成沟道区，沟道区内的第二半导体层转化成硅的氧化物；沉积钝化层，通过第三次光刻工艺，在漏极上方的钝化层上形成导电过孔；沉积透明导电层，通过第四次光刻工艺，使透明导电层形成像素电极并使像素电极与漏极通过导电过孔连通本发明提供的阵列基板的制作方法和阵列基板，仅需四次光刻工艺即可实现阵列基板的制作，工艺简单，制作成本低。
阵列基板次光漏极半导体层制作透明导电层导电过孔像素电极沉积源极沉积栅极绝缘层沉积钝化层源漏金属层衬底基板栅金属层钝化层沟道区氧化物沟道源岛连通转化

[发明专利]校正光刻工艺的方法以及叠合记号的形成方法-CN200410068274.0无效
发明人：陈泰原 -专利权人：茂德科技股份有限公司
申请日： 2004-08-27 - 公布日： 2006-03-01 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种校正光刻工艺的方法，此方法先进行物理气相沉积工艺(PVD)，以于晶片上沉积薄膜，其中所沉积的薄膜会随着PVD的靶材消耗量其于沟槽或凹洞侧壁的不对称沉积程度而有所变化，因而造成叠合记号的偏移量有所变化此控制系统会计算出补偿值，并将此补偿值回馈于后续欲进行的光刻工艺。接着，在薄膜上形成光致抗蚀剂层。之后，对光致抗蚀剂层进行光刻工艺，其中在进行光刻工艺时，由于控制系统会将补偿值回馈于光刻工艺，以校正薄膜其随着PVD的靶材消耗量所造成的偏移，因此可以避免因所形成的叠合记号的位置偏移，而造成叠合记号测量发生错误的问题
校正光刻工艺方法以及叠合记号形成

[发明专利]湿浸式光刻工艺的控制方法及其操作系统-CN200610071523.0有效
发明人：黄永发;林思闽;尤春祺;曾焕廷;卢柏州 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2006-03-29 - 公布日： 2007-10-03 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明的湿浸式光刻工艺的操作系统是依据晶片完成湿浸式光刻曝光后等候烘烤的状况来调整将晶片导入湿浸式光刻工艺的速度，以使得已完成曝光的晶片得以有效率且即时地烘烤。
湿浸式光刻工艺控制方法及其操作系统

[发明专利]一种TFT阵列半曝光光刻工艺-CN201610419169.X在审
发明人：熊勇军;杨黎明 -专利权人：苏州众显电子科技有限公司
申请日： 2016-06-15 - 公布日： 2016-08-31 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明公开了一种TFT阵列半曝光光刻工艺，在薄膜晶体管沟道位置处设置低于曝光设备临界分辨率大小图形的光掩膜板，在己形成半导体膜层和金属膜层的衬底上实施光刻工艺。本发明可以应用于TFT‑LCD生产中的硅岛图案和源/漏级图案形成，可以仅利用一次光刻工艺即形成上述图形，比传统工艺减少一次或多次光刻，可以减少光刻掩模版的成本和减少工序数目，对于节约成本和减短工艺时间、
一种 tft 阵列曝光光刻工艺

[发明专利]TFT阵列半曝光光刻工艺-CN200510112257.7无效
发明人：谢晓明;谭智敏 -专利权人：上海广电NEC液晶显示器有限公司
申请日： 2005-12-28 - 公布日： 2007-07-11 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种TFT阵列半曝光光刻工艺，在薄膜晶体管沟道位置处设置低于曝光设备临界分辨率大小图形的光掩膜板，在已形成半导体膜层和金属膜层的衬底上实施光刻工艺。本发明可以应用于TFT－LCD生产中的硅岛图案和源/漏级图案形成，可以仅利用一次光刻工艺即形成上述图形，比传统工艺减少一次或多次光刻，可以减少光刻掩模版的成本和减少工序数目，对于节约成本和减短工艺时间、
tft 阵列曝光光刻工艺

[发明专利]一种厚胶光刻工艺的光强分布模拟方法-CN202210524551.2在审
发明人：周再发;过凯麒;黄庆安 -专利权人：东南大学
申请日： 2022-05-13 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种厚胶光刻工艺的光强分布模拟方法，包括如下步骤：根据接触式/接近式实际光刻情况在FDTD中构建相应的模型，施加可控制入射角度、偏振方向、波长的平面波；采用递归卷积法处理色散介质；对模拟区域增加卷积完美匹配层CPML边界；循环计算，在每个时间步长内更新每个Yee氏格点的电场和磁场，直至达到稳态；根据网格中电磁场的分布，采用峰值检测法得到光刻胶内部的光强分布。本发明解决了目前缺乏高精度厚胶光刻工艺仿真模型的问题，具有高度灵活性，适合模拟复杂情况的光刻。
一种光刻工艺分布模拟方法

[发明专利]具有优化的产量和稳定性的EUV光刻系统和方法-CN201610011949.0有效
发明人：卢彦丞;陈政宏;吴善德;严涛南 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-01-08 - 公布日： 2018-04-10 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种极紫外(EUV)光刻工艺。该工艺包括将晶圆加载至具有EUV源的EUV光刻系统；根据曝光剂量和EUV源的等离子体状态来确定剂量裕度；以及使用曝光剂量和剂量裕度，通过来自EUV源的EUV光来对晶圆执行光刻曝光工艺。本发明还提供了另一种极紫外(EUV)光刻工艺以及一种极紫外(EUV)光刻系统。
具有优化产量稳定性 euv 光刻系统方法

[发明专利]对准工艺方法-CN202110399490.7在审
发明人：闫家翔;李佳龙;黄鹏;范晓 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2021-04-14 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本发明公开了一种对准工艺方法，包括：步骤一、提供第二导电类型掺杂的底层半导体层，在对准标记区刻蚀出对准凹槽的图形结构；步骤二、依次形成第一介质层和第二多晶硅层将对准凹槽完全填充并组成对准标记，第二多晶硅层和第一介质层的顶部表面都和对准凹槽的顶部表面相平；步骤三、在底层半导体层中的选定区域中形成第一导电类型掺杂的埋层；步骤四、形成第二导电类型掺杂的顶层外延层，顶部外延层的顶部表面在对准标记区的内外相平；步骤五、在顶层外延层中进行光刻工艺，光刻工艺中的对准工艺以对准标记为对准条件进行对准本发明能形成清晰的对准标记且能形成平整表面，能增加后续与超深埋层结构的对准可靠性并增加光刻涂胶工艺的可靠性。
对准工艺方法

[发明专利]利用相对易腐蚀的金属制备另一种金属图形的剥离方法-CN201410500353.8在审
发明人：杨健;司朝伟;韩国威;宁瑾;赵永梅;梁秀琴 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2014-09-26 - 公布日： 2015-02-25 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种利用相对易腐蚀的金属制备另一种金属图形的剥离方法，包括以下步骤：1)在衬底上通过蒸发或溅射工艺生长一层易腐蚀金属；2)在易腐蚀金属的表面旋涂光刻胶，采用常规光刻工艺进行光刻，制作图形；3)采用ICP刻蚀技术刻蚀易腐蚀金属，在易腐蚀金属上形成沟槽，通过调整工艺参数来增大刻蚀沟槽的横向钻蚀；4)通过蒸发或溅射工艺，在残余光刻胶表面和沟槽中暴露的衬底上生长待剥离的金属，形成样片；5)将样片放入易腐蚀金属的腐蚀液中本发明具有工艺简单、可重复性好、对光刻工艺要求低的优势，易于形成断口，易于剥离的优点。
利用相对腐蚀金属制备另一种图形剥离方法

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