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[发明专利]具有吸光层的感光层结构与使用感光层结构的光刻工艺-CN201410175237.3在审
发明人：吴钟达 -专利权人：吴钟达
申请日： 2014-04-28 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明提供一种感光层结构，包括一光刻胶层及至少一吸光层，吸光层涂布在光刻胶层的顶部与底面的至少其中之一，吸光层能够吸收部份特定波长的曝光光线。另外，使用该感光层结构的光刻工艺包括以下步骤：首先，提供一衬底。再来，在该衬底上涂布一感光层结构，感光层结构包括一光刻胶层及至少一吸光层，吸光层涂布在光刻胶层的顶部与底面至少两者其中之一，吸光层能够吸收部份特定波长的曝光光线。之后，提供一光刻版，光刻版设置于该衬底上方。然后，对衬底进行以曝光。再来，对曝光后的感光层结构进行显像。本发明的有益效果是，能够解决光刻工艺精度控制的问题，并有效提升光刻工艺的精度与宽容度。
具有吸光层感光结构使用光刻工艺

[发明专利]形成多层功函数金属栅极的方法-CN202310580444.6在审
发明人：陈品翰;郑苗苗 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本申请提供一种形成多层功函数金属栅极的方法，包括：步骤S1，形成第一功函数金属层；步骤S2，使用第一掩模通过光刻工艺形成第一图案化的光刻胶层；步骤S3，刻蚀第一功函数金属层后，去除第一图案化的光刻胶层；步骤S4，形成第二功函数金属层；步骤S5，使用第二掩模通过光刻工艺形成第二图案化的光刻胶层；步骤S6，刻蚀第二功函数金属层后，去除第二图案化的光刻胶层；步骤S7，形成第三功函数金属层；步骤S8，形成第四功函数金属层；步骤S9，形成金属栅极材料层后，实施研磨使其表面平整。相比现有技术，形成多层功函数金属层时只使用两张光罩，减少沉积、光刻和刻蚀各一次，从而简化工艺制程，缩短制造周期，降低工艺成本。
形成多层函数金属栅极方法

[发明专利]金属氧化物半导体P-N结二极管结构及其制作方法-CN200910132565.4在审
发明人：赵国梁;郭鸿鑫;苏子川 -专利权人：英属维京群岛商节能元件股份有限公司
申请日： 2009-04-02 - 公布日： 2009-08-19 - 主分类号： H01L21/8249 文献下载
摘要：一种金属氧化物半导体P-N结二极管结构及其制作方法，该方法包含步骤：提供一基板；于基板上形成一第一掩模层；进行第一光刻蚀刻工艺，于基板上形成一沟渠结构；于沟渠结构内进行第一离子注入工艺；进行一第二光刻蚀刻工艺，形成一侧壁结构；于沟渠结构的底部与该侧壁结构上形成一第二掩模层；进行第三光刻蚀刻工艺，于沟渠结构中形成一栅极结构；于沟渠结构内进行一第二离子注入工艺；于去除光致抗蚀剂后在该沟渠结构内进行一第三离子注入工艺；进行一蚀刻工艺；于所得结构的表面上形成一金属层；以及进行一第四光刻蚀刻工艺，去除掉部分金属层。
金属氧化物半导体二极管结构及其制作方法

[发明专利]CMOS感光器件接触孔刻蚀方法及CMOS感光器件制造方法-CN201310566516.8无效
发明人：李程;吴敏;杨渝书;秦伟;黄海辉;高慧慧 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-11-13 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：CMOS感光器件接触孔刻蚀方法包括：第一步骤，使用对应逻辑电路区域的光罩进行第一次光刻工艺操作；第二步骤，对应逻辑电路区域的层堆结构进行第一次干刻工艺操作；第三步骤，对晶圆进行第一次清洗，以去除刻蚀副产物；第四步骤，使用对应像素电路区域的光罩进行第二次光刻工艺操作；第五步骤，对应像素电路区域层堆结构进行第二次干刻工艺操作；第六步骤，对晶圆进行第二次清洗，以去除刻蚀副产物。
cmos 感光器件接触刻蚀方法制造

[发明专利]一种光刻工艺验证方法和系统-CN201110228471.4有效
发明人：谢宝强;杨兆宇;赵志勇 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2011-08-10 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种光刻工艺验证方法和系统，所述方法包括：确定晶圆的关键尺寸；根据所述关键尺寸确定光刻图形中图形尺寸等于所述关键尺寸的图形并进行扫描；根据所述关键尺寸确定晶圆边缘区域处的图形并进行扫描；根据扫描结果判断扫描图形是否存在异常，若是，则确定光刻工艺不合格，若否，则确定光刻工艺合格，本发明实施例增加对晶圆边缘区域的光刻图形的验证，提高了光刻工艺验证的准确度。
一种光刻工艺验证方法系统

[发明专利]光刻工艺条件添加方法及装置、设计系统、介质和设备-CN202110339791.0有效
发明人：陈志立 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本公开是关于一种光刻工艺条件添加方法、光刻工艺条件添加装置及图形设计系统、存储介质和电子设备，所述光刻工艺条件添加方法，用于图形设计系统，包括：获取所述图形设计系统中记录的层识别码，根据所述层识别码确定光刻层对应的工艺条件；根据所述工艺条件生成工艺类型数据信息；将所述工艺类型数据信息通过所述层识别码标记，并存储至所述图形设计系统中。本公开可以在EDA的图形设计系统中添加光刻工艺条件。
光刻工艺条件添加方法装置设计系统介质设备

[发明专利]一种光刻工艺热点的自动修复方法-CN201410714799.0有效
发明人：王伟斌;朱忠华;魏芳;吕煜坤;朱骏;张旭昇 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-11-28 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： G03F1/72 文献下载
摘要：本发明涉及DFM可制造图形设计领域，尤其是涉及到一种光刻工艺热点的自动修复方法，首先对版图进行光刻工艺友善性检查；之后通过光刻工艺友善性检查生成光刻工艺热点的位置标记，并根据位置标记生成光刻工艺热点的考量数据区域和模拟区域，最后对数据区域的版图进行修改，并通过检查工具套件对修改进行有效性判定，以提供一种合适的修复方案；该技术方案实现了版图中的光刻工艺热点的快速自动修复和验证，实现了高程度的自动化要求，且其可制造性设计方案的操作性和效率大大提高
一种光刻工艺热点自动修复方法

[发明专利]采用正负性互用的化学增幅光致抗蚀剂的光刻工艺方法-CN99119238.9无效
发明人：李元昌;陈明;洪啸吟 -专利权人：清华大学
申请日： 1999-08-27 - 公布日： 2002-05-22 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明属于微电子光刻技术和印刷制版技术领域。本发明由基体成膜物质、交联剂、增感剂、光敏产酸物、溶剂组成。本发明中的光刻工艺包括负性光刻工艺流程为匀胶、前烘、曝光、中烘、显影、后烘、蚀刻、去胶；正性光刻工艺流程为匀胶、前烘、曝光、显影、全面曝光、后烘、蚀刻、去胶。采用本发明的光致抗蚀剂可利用简单的光刻工艺变化实现正/负性互换。#!
采用正负性互用化学增幅光致抗蚀剂光刻工艺方法

[发明专利]刻蚀高深度光波导的制备工艺-CN201210296470.8有效
发明人：柏宁丰;许正英;孙小菡;蒋卫锋;刘旭;胥爱民;吴体荣 -专利权人：东南大学;南京华脉科技有限公司
申请日： 2012-08-20 - 公布日： 2013-01-09 - 主分类号： G02B6/13 文献下载
摘要：一种刻蚀高深度光波导的制备工艺，包括以下步骤：1）用沉积法，在衬底上制备掺杂的芯层，形成平板光波导；2）用光刻工艺，在步骤1）制取的平板光波导上获得与掩模版图形相反的光刻胶掩模；3）用溅射工艺，在步骤2）获取的样品表面制备金属掩模；4）清洗去除与掩模版图形相反的光刻胶掩模及金属掩模；5）用光刻工艺，在步骤4）制作的金属掩模层上，再增加与金属掩模层具有相同图形的光刻胶层，6）使用RIE设备，通入SF4、与标准工艺相比，这种方法可利用普通反应离子刻蚀设备制作高深度光波导，且制作的光波导具有垂直的侧壁，侧壁角度大于87度，小于93度。
刻蚀深度波导制备工艺

[发明专利]获得光刻工艺关键尺寸摇摆曲线的方法-CN202111409042.7在审
发明人：詹海娇;高松;胡丹丹 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种获得光刻工艺关键尺寸摇摆曲线的方法包括以下步骤，准备第一掩膜版，所述第一掩膜版在制备过程中被划分为多个列，每列具有不同的透光率，透光率沿宽度方向呈现出递增趋势；准备一片测试晶圆，将所述测试晶圆划分为多个曝光区域，每个所述曝光区域为一个独立的曝光单元；光刻、曝光、显影、测量，将测量所得的光刻胶膜厚和测量所得的关键尺寸绘制成光刻工艺关键尺寸摇摆曲线。本发明在单个曝光单元获得光刻胶膜厚与关键尺寸的关系曲线，降低了测试时间和成本，并且可以通过摇摆曲线的极值点确定光刻工艺的最佳膜厚。
获得光刻工艺关键尺寸摇摆曲线方法

[发明专利]一种GPP芯片制造的光刻工艺-CN201710321968.8有效
发明人：孙逊运;孟祥龙;刘运;王安栋;于凯 -专利权人：潍坊星泰克微电子材料有限公司
申请日： 2017-05-09 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明公开一种GPP芯片制造的光刻工艺，包括如下步骤：（1）涂胶：在清洁干燥的硅片基材表面涂布不含二甲苯溶剂的负性光刻胶；（2）前烘，以去除胶膜中的溶剂；（3）曝光；（4）显影：采用碱性水溶液进行恒温显影重复光刻工艺以制作复杂图形。本发明工艺避免了使用含有毒有害二甲苯的环化橡胶系负性光刻胶，以碱性水溶液和去离子水取代了有害的易挥发有机显影液和定影液，使光刻工艺过程变的安全健康环保。
一种 gpp 芯片制造光刻工艺

[发明专利]一种对地形进行平坦化光刻工艺的方法-CN201010221574.3无效
发明人：朱治国;何伟明;苏波 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2010-07-08 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种对地形进行平坦化光刻工艺的方法，包括如下步骤：(1)采用现有的方法形成跨越地形台阶差的飞线结构，在该结构的基础上进行负性光刻胶的旋涂，烘烤；(2)利用负性光刻胶酸离子对能量反应的曲线进行非充分曝光显影，去掉部分负性光刻胶，使其刚好露出地形(gate??poly)，实现平坦化；(3)底部抗反射材料BARC的旋涂，烘烤；(4)光刻胶的旋涂，烘烤，曝光，显影。该方法能改善巨大的台阶差工艺中光刻工艺的窗口及关键尺寸的控制能力。
一种地形进行平坦光刻工艺方法

[发明专利]一种薄膜晶体管及其制造方法、光刻工艺-CN201310296765.X有效
发明人：肖双喜;任思雨;于春崎;胡君文;何基强;李建华 -专利权人：信利半导体有限公司
申请日： 2013-07-15 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供了一种薄膜晶体管及其制作方法、光刻工艺，所述光刻工艺使用半灰阶掩膜板进行曝光，曝光显影后，依次去除半灰阶掩膜板的第一区域对应的膜层A、半灰阶掩膜板的第一区域对应的膜层B和半灰阶掩膜板的第三区域对应的膜层此种光刻工艺只需经过一次通过半灰阶掩膜板的曝光，就能满足对膜层A和膜层B的刻蚀要求，可以减少光刻工艺的制程，从而达到简化光刻工艺的目的，降低制作成本。当应用此种光刻工艺制作薄膜晶体管时，可以将薄膜晶体管的制作工艺由六次光刻简化为四次光刻，简化了薄膜晶体管的制作方法，降低了薄膜晶体管的制作成本。
一种薄膜晶体管及其制造方法光刻工艺

[发明专利]一种电子束冰刻工艺的光刻形貌计算方法-CN202210369502.6在审
发明人：刘韬;陈宜方;陆冰睿;仇旻;童徐杰;解钰莹 -专利权人：复旦大学
申请日： 2022-04-08 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明属于电子束光刻技术领域，具体为一种电子束冰刻工艺的光刻形貌计算方法。本发明以GenISys公司提供的TRACER、BEAMER和LAB仿真软件为平台进行电子束冰刻工艺光刻胶形貌的计算，基于实验光刻版图、初始电子束能量和电子数量、电子束斑尺寸、衬底材料和厚度、光刻胶材料、厚度和对比度实验数据的情况下，计算冰刻工艺中电子束光刻胶的光刻形貌，包括极低温度下的水冰、苯甲醚、醇类、烷烃类、其他无需溶液显影工艺的冰光刻胶和在仿真中无需显影工艺的电子束光刻胶。本发明可为电子束冰刻工艺的光刻形貌预测提供参考，在实验制备层面为冰刻工艺提供关键的、必不可少的理论指导，具有针对性强、有效缩短实验周期、降低实验成本的优点。
一种电子束刻工光刻形貌计算方法

[发明专利]一种基于透明柔性薄膜材料的曲面光刻工艺-CN201810456005.3在审
发明人：朱本鹏;刘项力;杨晓非 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2018-05-14 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于透明柔性薄膜材料的曲面光刻工艺，包括以下步骤：(1)将目标曲面图案沿平面展开，将平面化图案制作在平面状的光刻掩膜版或硬掩膜板上；(2)选取柔性薄膜材料；(3)采用光刻掩膜版进行处理，或者采用硬掩膜板对柔性薄膜材料进行处理，得到表面具有完整非透明图案的柔性基底；(4)在待光刻的曲面上涂胶，将柔性基底紧密无缝隙的贴附在该待光刻的曲面上，经过曝光、显影后，即可实现曲面光刻。本发明通过对关键曲面光刻工艺的整体工艺流程设计、尤其是光刻图案由平面转至曲面的转换工艺步骤等进行改进，与现有技术相比能够有效解决更复杂电极、复杂微MEMS结构在具有一定的曲率结构的表面上实现的问题。
光刻工艺光刻柔性薄膜材料透明柔性薄膜光刻掩膜版柔性基底硬掩膜工艺流程设计复杂电极工艺步骤光刻图案平面展开曲率结构曲面图案图案制作有效解决非透明平面化平面状无缝隙贴附涂胶显影图案曝光转换改进