专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]半导体-CN201521060867.2有效
  • 林建宏;刘振宇 - 宸鸿光电科技股份有限公司
  • 2015-12-17 - 2016-07-06 - H01L21/02
  • 一种半导体在此揭露,其包含第一结晶部分与第二结晶部分。第一结晶部分由熔融态或半熔融态的第一部分结晶形成,第二结晶部分由熔融态或半熔融态的第二部分结晶形成。第一结晶部分相邻或部分重叠第二结晶部分。此外,本实用新型亦可达到同一材料的半导体的不同部分具有不同的结晶特性,以提高实验元件电路的多样性。
  • 半导体
  • [发明专利]半导体装置-CN201910022134.6在审
  • 下条亮平 - 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
  • 2019-01-10 - 2020-02-25 - H01L29/739
  • 半导体装置具备:第1导电型第1半导体;第2导电型第2半导体,选择性地设置在第1半导体上;第1导电型第3半导体,选择性地设置在第2半导体上;第1绝缘膜,覆盖第1半导体与第3半导体之间的一部分第2半导体;控制电极,隔着第1绝缘膜与一部分第2半导体相对;第2导电型第4半导体,设置在第1半导体的下表面侧;第1导电型第5半导体,在沿第1半导体下表面的第1方向上与第4半导体并列;第6半导体,设置在第1半导体与第5半导体之间,与第4半导体相连,连接部分,为在第1半导体与第5半导体之间不存在第6半导体的部分。第6半导体与第4半导体相比第2导电型杂质的有效浓度低。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体器件以及半导体器件的制造方法-CN201310325362.3有效
  • 吉川俊英 - 创世舫电子日本株式会社
  • 2013-07-30 - 2017-03-01 - H01L29/778
  • 本发明提供半导体器件以及半导体器件的制造方法。半导体器件包括形成在衬底上的第一半导体;形成在第一半导体上的第二半导体和第三半导体;形成在第三半导体上的第四半导体;形成在第四半导体上的栅电极;以及形成为与第二半导体接触的源电极和漏电极第三半导体和第四半导体形成在栅极正下方的区域中,第四半导体由p型半导体材料形成,并且第二半导体和第三半导体由AlGaN形成,以及第三半导体具有比第二半导体的Al组成比低的Al组成比。
  • 半导体器件以及制造方法
  • [发明专利]单光子雪崩二极管-CN202111424193.X在审
  • 谢晋安;吴劲昌 - 神盾股份有限公司
  • 2021-11-26 - 2022-04-05 - H01L31/107
  • 本发明提供一种单光子雪崩二极管,包括第一N型半导体、第二N型半导体及P型半导体。第二N型半导体配置于第一N型半导体上方。P型半导体包括第一P型半导体、第二P型半导体及P型半导体连接。第一P型半导体配置于第一N型半导体上,第二P型半导体配置于第一P型半导体上方。第二N型半导体配置于第一P型半导体与第二P型半导体之间。P型半导体连接连接第一P型半导体与第二P型半导体。第二N型半导体借由P型半导体的侧向开口与第一N型半导体连接。
  • 光子雪崩二极管
  • [实用新型]单光子雪崩二极管-CN202122934919.6有效
  • 谢晋安;吴劲昌 - 神盾股份有限公司
  • 2021-11-26 - 2022-07-15 - H01L31/107
  • 本实用新型提供一种单光子雪崩二极管,包括第一N型半导体、第二N型半导体及P型半导体。第二N型半导体配置于第一N型半导体上方。P型半导体包括第一P型半导体、第二P型半导体及P型半导体连接。第一P型半导体配置于第一N型半导体上,第二P型半导体配置于第一P型半导体上方。第二N型半导体配置于第一P型半导体与第二P型半导体之间。P型半导体连接连接第一P型半导体与第二P型半导体。第二N型半导体借由P型半导体的侧向开口与第一N型半导体连接。
  • 光子雪崩二极管
  • [发明专利]半导体装置-CN201510296856.2有效
  • 洪洪;矶部康裕;大麻浩平;吉冈启 - 株式会社东芝
  • 2015-06-03 - 2019-11-05 - H01L29/778
  • 根据一个实施方式,半导体装置包括:第1半导体,设置在基板上;第2半导体,设置在第1半导体上,包含n型杂质;第3半导体,设置在第2半导体上,电阻比第2半导体大;第4半导体,设置在第3半导体上,包含氮化物半导体;以及第5半导体,设置在第4半导体上,包含带隙比第4半导体大的氮化物半导体
  • 半导体装置
  • [实用新型]具有接触的发光二极管-CN201720802428.7有效
  • 李熙燮;崔承奎;金材宪 - 首尔伟傲世有限公司
  • 2017-07-04 - 2018-03-09 - H01L33/14
  • 本实用新型提供一种具有接触的发光二极管,所述发光二极管包括下部n型半导体;上部n型半导体,布置于下部n型半导体上部;p型半导体,夹设于下部n型半导体与上部n型半导体之间;活性,夹设于下部n型半导体与p型半导体之间;高浓度p型半导体,夹设于p型半导体与上部n型半导体之间,并以比p型半导体层高的浓度掺杂;高浓度n型半导体,夹设于高浓度p型半导体与上部n型半导体之间,并以比上部n型半导体层高的浓度掺杂;第一接触,与下部n型半导体接触;第二接触,与上部n型半导体接触,第一接触和第二接触包括与下部n型半导体和上部n型半导体接触的相同物质
  • 具有接触发光二极管
  • [发明专利]半导体发光元件-CN201610016212.8有效
  • 加贺广持;岡俊行;泽野正和;宫部主之 - 阿尔发得株式会社
  • 2016-01-11 - 2019-12-10 - H01L33/02
  • 半导体发光元件包含基体、第1~6半导体、第1~3导电、构造体及第1绝缘。第1半导体与基体相隔。第2半导体设置在第1半导体与基体之间。第3半导体设置在第1半导体与第2半导体之间。第1导电与第2半导体电连接。第4半导体与基体相隔,与第1半导体并排。第5半导体设置在第4半导体与基体之间。第6半导体设置在第4半导体与第5半导体之间。第2导电与第5半导体电连接。构造体的一部分设置在第1半导体与第4半导体之间。第3导电与第4半导体电连接。第3导电包含第1区域、第2区域及第3区域。第1绝缘的一部分设置在第3导电与第5半导体之间。
  • 半导体发光元件
  • [发明专利]半导体装置-CN202010905470.8有效
  • 手塚隆太;野口充宏;筱智彰 - 铠侠股份有限公司
  • 2020-09-01 - 2023-08-04 - H10N97/00
  • 实施方式的半导体装置具备:半导体衬底;第1半导体,在与半导体衬底的表面交叉的第1方向上与半导体衬底的表面对向;第2半导体,相比第1半导体半导体衬底较远,在第1方向上与第1半导体对向;第1导电,相比第2半导体半导体衬底较远,连接于第2半导体;第3半导体,在与第1方向交叉的第2方向上与第2半导体并排,连接于第1半导体;及第2导电,在第2方向上与第1导电并排,连接于第3半导体。第1半导体、第2半导体及第3半导体是将与第1方向及第2方向交叉的第3方向作为长度方向。
  • 半导体装置
  • [发明专利]功率半导体元件-CN201310367702.9无效
  • 中村和敏;松田正;二宫英彰 - 株式会社东芝
  • 2013-08-21 - 2014-03-26 - H01L29/739
  • 一种功率半导体元件,具备第1电极、第1半导体、第2半导体、第3半导体、第4半导体、第2电极、第1控制电极和第1绝缘膜。第1半导体设在第1电极之上,是第1导电型。第2半导体设在第1半导体之上,是第2导电型。第3半导体在第1半导体之上、与第2半导体离开地设置,是第2导电型。第4半导体设在第3半导体之上,是第1导电型。第2电极设在第4半导体之上,与第4半导体电连接。第1控制电极在第2半导体与第3半导体之间、靠近第3半导体侧设置。第1绝缘膜设在第1半导体与第1控制电极之间、第2半导体与第1控制电极之间、以及第3半导体与第1控制电极之间。
  • 功率半导体元件
  • [发明专利]半导体装置、保护电路及半导体装置的制造方法-CN202210172025.4在审
  • 船迫友之 - 铠侠股份有限公司
  • 2022-02-24 - 2023-03-17 - H01L29/06
  • 实施方式提供一种尺寸控制性较高的半导体装置、保护电路及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置包含第1半导体、第2半导体、第3半导体、栅极电极、第1及绝缘。第1半导体具有第1导电型。第2半导体设置于第1半导体上,具有第2导电型。第3半导体设置于第1半导体上,与第2半导体在第1方向上并排设置,具有第2导电型。栅极电极在第1半导体上,设置于第2半导体与第3半导体之间。关于第1,杂质浓度比第2半导体低,设置于第1半导体上,一端与第2半导体相接。绝缘设置于第1上,一端与第2半导体相接。
  • 半导体装置保护电路制造方法

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