|
钻瓜专利网为您找到相关结果 2732727个,建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [发明专利]半导体装置-CN201910022134.6在审
-
下条亮平
-
株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
-
2019-01-10
-
2020-02-25
-
H01L29/739
- 半导体装置具备:第1导电型第1半导体层;第2导电型第2半导体层,选择性地设置在第1半导体层上;第1导电型第3半导体层,选择性地设置在第2半导体层上;第1绝缘膜,覆盖第1半导体层与第3半导体层之间的一部分第2半导体层;控制电极,隔着第1绝缘膜与一部分第2半导体层相对;第2导电型第4半导体层,设置在第1半导体层的下表面侧;第1导电型第5半导体层,在沿第1半导体层下表面的第1方向上与第4半导体层并列;第6半导体层,设置在第1半导体层与第5半导体层之间,与第4半导体层相连,连接部分,为在第1半导体层与第5半导体层之间不存在第6半导体层的部分。第6半导体层与第4半导体层相比第2导电型杂质的有效浓度低。
- 半导体装置
- [发明专利]单光子雪崩二极管-CN202111424193.X在审
-
谢晋安;吴劲昌
-
神盾股份有限公司
-
2021-11-26
-
2022-04-05
-
H01L31/107
- 本发明提供一种单光子雪崩二极管,包括第一N型半导体井层、第二N型半导体井层及P型半导体井层。第二N型半导体井层配置于第一N型半导体井层上方。P型半导体井层包括第一P型半导体子层、第二P型半导体子层及P型半导体连接层。第一P型半导体子层配置于第一N型半导体井层上,第二P型半导体子层配置于第一P型半导体子层上方。第二N型半导体井层配置于第一P型半导体子层与第二P型半导体子层之间。P型半导体连接层连接第一P型半导体子层与第二P型半导体子层。第二N型半导体井层借由P型半导体井层的侧向开口与第一N型半导体井层连接。
- 光子雪崩二极管
- [实用新型]单光子雪崩二极管-CN202122934919.6有效
-
谢晋安;吴劲昌
-
神盾股份有限公司
-
2021-11-26
-
2022-07-15
-
H01L31/107
- 本实用新型提供一种单光子雪崩二极管,包括第一N型半导体井层、第二N型半导体井层及P型半导体井层。第二N型半导体井层配置于第一N型半导体井层上方。P型半导体井层包括第一P型半导体子层、第二P型半导体子层及P型半导体连接层。第一P型半导体子层配置于第一N型半导体井层上,第二P型半导体子层配置于第一P型半导体子层上方。第二N型半导体井层配置于第一P型半导体子层与第二P型半导体子层之间。P型半导体连接层连接第一P型半导体子层与第二P型半导体子层。第二N型半导体井层借由P型半导体井层的侧向开口与第一N型半导体井层连接。
- 光子雪崩二极管
- [实用新型]具有接触层的发光二极管-CN201720802428.7有效
-
李熙燮;崔承奎;金材宪
-
首尔伟傲世有限公司
-
2017-07-04
-
2018-03-09
-
H01L33/14
- 本实用新型提供一种具有接触层的发光二极管,所述发光二极管包括下部n型半导体层;上部n型半导体层,布置于下部n型半导体层上部;p型半导体层,夹设于下部n型半导体层与上部n型半导体层之间;活性层,夹设于下部n型半导体层与p型半导体层之间;高浓度p型半导体层,夹设于p型半导体层与上部n型半导体层之间,并以比p型半导体层高的浓度掺杂;高浓度n型半导体层,夹设于高浓度p型半导体层与上部n型半导体层之间,并以比上部n型半导体层高的浓度掺杂;第一接触层,与下部n型半导体层接触;第二接触层,与上部n型半导体层接触,第一接触层和第二接触层包括与下部n型半导体层和上部n型半导体层接触的相同物质层。
- 具有接触发光二极管
- [发明专利]半导体发光元件-CN201610016212.8有效
-
加贺广持;岡俊行;泽野正和;宫部主之
-
阿尔发得株式会社
-
2016-01-11
-
2019-12-10
-
H01L33/02
- 半导体发光元件包含基体、第1~6半导体层、第1~3导电层、构造体及第1绝缘层。第1半导体层与基体相隔。第2半导体层设置在第1半导体层与基体之间。第3半导体层设置在第1半导体层与第2半导体层之间。第1导电层与第2半导体层电连接。第4半导体层与基体相隔,与第1半导体层并排。第5半导体层设置在第4半导体层与基体之间。第6半导体层设置在第4半导体层与第5半导体层之间。第2导电层与第5半导体层电连接。构造体的一部分设置在第1半导体层与第4半导体层之间。第3导电层与第4半导体层电连接。第3导电层包含第1区域、第2区域及第3区域。第1绝缘层的一部分设置在第3导电层与第5半导体层之间。
- 半导体发光元件
- [发明专利]半导体装置-CN202010905470.8有效
-
手塚隆太;野口充宏;筱智彰
-
铠侠股份有限公司
-
2020-09-01
-
2023-08-04
-
H10N97/00
- 实施方式的半导体装置具备:半导体衬底;第1半导体层,在与半导体衬底的表面交叉的第1方向上与半导体衬底的表面对向;第2半导体层,相比第1半导体层距半导体衬底较远,在第1方向上与第1半导体层对向;第1导电层,相比第2半导体层距半导体衬底较远,连接于第2半导体层;第3半导体层,在与第1方向交叉的第2方向上与第2半导体层并排,连接于第1半导体层;及第2导电层,在第2方向上与第1导电层并排,连接于第3半导体层。第1半导体层、第2半导体层及第3半导体层是将与第1方向及第2方向交叉的第3方向作为长度方向。
- 半导体装置
- [发明专利]功率半导体元件-CN201310367702.9无效
-
中村和敏;松田正;二宫英彰
-
株式会社东芝
-
2013-08-21
-
2014-03-26
-
H01L29/739
- 一种功率半导体元件,具备第1电极、第1半导体层、第2半导体层、第3半导体层、第4半导体层、第2电极、第1控制电极和第1绝缘膜。第1半导体层设在第1电极之上,是第1导电型。第2半导体层设在第1半导体层之上,是第2导电型。第3半导体层在第1半导体层之上、与第2半导体层离开地设置,是第2导电型。第4半导体层设在第3半导体层之上,是第1导电型。第2电极设在第4半导体层之上,与第4半导体层电连接。第1控制电极在第2半导体层与第3半导体层之间、靠近第3半导体层侧设置。第1绝缘膜设在第1半导体层与第1控制电极之间、第2半导体层与第1控制电极之间、以及第3半导体层与第1控制电极之间。
- 功率半导体元件
|