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[发明专利]基于规则图形过滤的版图设计光刻工艺友善性检查方法-CN201310625726.X有效
发明人：王伟斌;朱忠华;魏芳;张旭升 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-11-28 - 公布日： 2014-04-23 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于规则图形过滤的版图设计光刻工艺友善性检查方法，所述基于规则图形过滤的版图设计光刻工艺友善性检查方法通过在进行光学临近效应修正和工艺偏差图形模拟之前，增加对所述原始目标图形数据进行过滤的步骤，不仅能够缩短版图设计时光刻工艺友善性检查的耗时，减少软件和硬件的使用成本，而且检查结果与现有技术的方法能够实现很好的匹配，从而实现在版图设计中实现工艺热点区域的快速准确查找。
基于规则图形过滤版图设计光刻工艺友善检查方法

[发明专利]金属氧化物半导体P-N结萧基二极管结构及其制作方法-CN200910132564.X有效
发明人：赵国梁;郭鸿鑫;苏子川 -专利权人：英属维京群岛商节能元件股份有限公司
申请日： 2009-04-02 - 公布日： 2009-09-16 - 主分类号： H01L21/8249 文献下载
摘要：一种金属氧化物半导体P-N结萧基二极管结构及其制作方法，该方法包含步骤：提供一基板；于基板上形成一第一掩模层；进行一第一光刻蚀刻工艺，形成一沟渠结构；于第一沟渠结构内进行第一离子注入工艺；进行一第二光刻蚀刻工艺，形成一侧壁结构；于该沟渠结构的底部与该侧壁结构上形成一第二掩模层；对基板进行一第三光刻蚀刻工艺，于沟渠结构中形成一栅极结构；于沟渠结构内进行一第二离子注入工艺；于去除光致抗蚀剂后在该沟渠结构内进行一第三离子注入工艺；进行一第四光刻蚀刻工艺；于所得结构的栅极的表面上形成一金属层；以及进行一第五光刻蚀刻工艺，去除掉部分金属层。
金属氧化物半导体结萧基二极管结构及其制作方法

[发明专利]一种新型的利用曝光后烘烤的OPC模型检验光刻工艺的方法-CN201110250286.5有效
发明人：魏芳;张辰明 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-08-29 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： G03F7/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型的利用曝光后烘烤的OPC模型检验光刻工艺的方法，其中，包括以下步骤：建立光刻工艺，确定光刻工艺条件；采集原始光刻版图数据；确定一烘烤上限温度，对光刻胶进行曝光、烘烤，采集曝光后烘烤的数据，建立第一OPC模型；确定一烘烤下限温度，对所述光刻胶进行曝光、烘烤，采集曝光后烘烤下限温度数据，建立第二OPC模型；利用原始光刻版图数据，分别对所述第一OPC模型、所述第二OPC模型进行光刻规则检查，确定是否存在光刻缺陷。本发明通过建立曝光后不同烘烤温度下的OPC模型，可以确定在温度不同时光刻后图形所产生的变化，一旦缺陷或尺寸变化存在很严重的问题时，可以进一步调整温度，确立新的工艺条件。
一种新型利用曝光烘烤 opc 模型检验光刻工艺方法

[发明专利]光刻胶去除方法和光刻工艺返工方法-CN201310596199.4在审
发明人：杨彦涛;江宇雷;钟荣祥;崔小锋;吴继文;袁媛 -专利权人：杭州士兰集成电路有限公司
申请日： 2013-11-21 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明提供了一种光刻胶去除方法和光刻工艺返工方法，利用正性光刻胶曝光后再显影实现光刻胶的去除，同时在此去胶方法上实现光刻工艺返工方法，以解决现有技术中，正性光刻胶的去胶效果稳定性不佳，不仅无法达到去胶效果，还给返工工艺带来风险的问题。进一步的，在去除正性光刻胶的过程中曝光、显影条件是对产品通常光刻工艺中曝光、显影条件做相应优化，去除正性光刻胶过程比传统方法更迅速、有效，在此光刻胶去除方法上进行的光刻工艺返工方法，可避免由于光刻胶残留导致的重复返工特别的，在光刻胶去除方法和光刻工艺返工方法中，对曝光对准系统没有精度要求，从而使得工艺简便。
光刻去除方法工艺返工

[发明专利]改进的光刻方法-CN202010302191.2在审
发明人：田范焕;梁时元;贺晓彬;杨涛;李俊峰;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-04-16 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种改进的光刻方法，所述方法包括：提供一光掩模板；测量所述光掩模板上光刻标记的放置误差；根据所述放置误差执行光刻工艺的校准流程。本申请通过测量光刻标记在光掩模板上的放置误差，并将放置误差应用到后续使用光掩模板的光刻工艺流程中的校准流程，以提高光刻工艺流程中的校准准确性。执行光刻工艺的校准流程。
改进光刻方法

[发明专利]一种深度加速集成电路版图光刻工艺热点检查的方法-CN202111436108.1有效
发明人：朱忠华;魏芳;曹云 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种深度加速集成电路版图光刻工艺热点检查的方法，包括：提供具有目标图形数据的待光刻工艺热点检查的集成电路设计版图；基于设计规则，按线宽(W)与间距(S)选择二维版图图形；将二维版图图形按照归类半径R1进行图形匹配；按照半径R2截取二维版图图形，并生成热点检查设计版图；对热点检查设计版图进行改变设计图形目标、光学邻近效应修正；进行工艺偏差图形模拟；进行光刻工艺热点检查并标识各热点；在待光刻工艺热点检查的集成电路设计版图中匹配热点，获得潜在的光刻工艺之热点；待光刻工艺热点检查的集成电路设计版图产生光刻工艺热点索引文件。本发明不仅极大缩短了软件计算时间，降低了生产成本，而且能精确定位到版图中的光刻工艺热点。
一种深度加速集成电路版图光刻工艺热点检查方法

[发明专利]具有键合至产酸剂的感光剂的新光刻胶-CN201610669564.3有效
发明人：陈彦豪;王建惟 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-08-15 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明涉及光刻胶以及使用光刻胶实施光刻工艺的方法。光刻胶包括聚合物以及光生酸剂。光生酸剂包括感光剂组分、产酸剂组分和键合所述感光剂组分与所述产酸剂组分的键合组分。键合组分可为单键或共轭键。光刻工艺可为EUV光刻工艺或电子束光刻工艺。本发明涉及一种具有键合至产酸剂的感光剂的新光刻胶。
具有键合至产酸剂感光剂光刻

[发明专利]光刻工艺方法-CN201911053214.4在审
发明人：官锡俊 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种光刻工艺方法，包括步骤：步骤一、计算光刻工艺中曝光的最佳焦距和聚焦深度；步骤二、在第一晶圆上涂布第一光刻胶，第一光刻胶的厚度大于聚焦深度；步骤三、从第一光刻胶的底部开始进行多次曝光，最后一次曝光之前的各次曝光分别处理第一光刻胶中的厚度为DOF的一子层且各子层从第一光刻胶的底部到顶部依次叠加，各子层的叠加厚度小于第一光刻胶的厚度且在第一光刻胶的顶部形成剩余的最顶子层，最顶子层的厚度小于等于DOF，最后一次曝光实现对最顶子层的处理；步骤四、对第一光刻胶进行显影。本发明能增加厚光刻胶制程的聚焦深度，提高分辨率和工艺窗口。
光刻胶顶子子层光刻工艺一次曝光聚焦曝光工艺窗口依次叠加最佳焦距分辨率厚光胶制晶圆显影叠加

[发明专利]一种增加高深宽比层次光刻工艺窗口的方法-CN201710987034.8在审
发明人：朱琪;王晓龙;李德建;吴鹏 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-10-20 - 公布日： 2018-03-13 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提出一种增加高深宽比层次光刻工艺窗口的方法，包括下列步骤将光刻的工艺要求分割成两次光刻的组合；利用光罩对工艺图形进行第一次光刻处理；利用光罩对工艺图形进行第二次光刻处理；其中，所述第一次光刻处理和第二次光刻处理的工艺窗口叠加部分为工艺要求的关键尺寸本发明提出一种增加高深宽比层次光刻工艺窗口的方法，针对高深宽比的层次，当像素尺寸逐渐减小，目标线宽减小的情况下，采用双重图形技术结合PSM光罩的工艺方式，增加2D图形的工艺窗口。
一种增加高深层次光刻工艺窗口方法

[发明专利]根据光刻胶形貌快速确定光刻工艺条件的方法-CN202310423475.0在审
发明人：郑鸿柱;郭纹辰;张利东 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种根据光刻胶形貌快速确定光刻工艺条件的方法，提供至少一晶圆，在晶圆上形成光刻胶层，在不同的曝光区域上利用不同光刻工艺条件进行多次曝光；之后获取每个曝光区域上的光刻胶形貌图片；根据光刻胶形貌图片获取光刻胶轮廓，切割光刻胶轮廓形成多个切割段，之后计算每个切割段的形貌偏差值；以光刻工艺条件的参数及其对应的形貌偏差值进行模型训练得到机器学习模型；随机形成多组光刻工艺条件的测试参数，利用机器学习模型得到每组测试参数的形貌偏差值；选择符合判定值的形貌偏差值对应的测试参数作为最终光刻工艺条件。本发明通过生成光刻胶形貌偏差对光刻胶形貌定量描述，通过模型预测最佳工艺条件，节约了时间。
根据光刻形貌快速确定工艺条件方法

[发明专利]一种航天器太阳帆加工方法及太阳帆-CN202310461238.3在审
发明人：任仲靖;李承阳;谢可才;孙首禹;徐阳;许泽昊;闫鹏 -专利权人：山东大学
申请日： 2023-04-23 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种航天器太阳帆加工方法及太阳帆，包括以下步骤：在硅片上旋涂底层，然后在底层上旋涂柔性基底薄膜；使用光刻工艺在柔性基底薄膜上形成第一沉积区，在第一沉积区内沉积薄膜电极；对完成薄膜电极沉积后的整体结构使用光刻工艺形成第二沉积区，然后在第二沉积区沉积合金梁，合金梁沉积在相邻两个薄膜电极之间；使用光刻工艺在合金梁上形成第三沉积区，在第三沉积区沉积反射梁，去除合金梁和柔性基底薄膜、薄膜电极之间因光刻工艺残留的光刻胶和牺牲层，将柔性基底薄膜从底层上剥离
一种航天器太阳帆加工方法

[发明专利]增强光刻工艺能力的装置及利用该装置进行的光刻工艺-CN201310264730.8有效
发明人：毛智彪 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-06-27 - 公布日： 2013-10-02 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种增强光刻工艺能力的装置及利用该装置进行的光刻工艺，根据光刻工艺需求，调整多灰度圆环形照明光圈的相关参数，从而使得入射光线经过该多灰度圆环形照明光圈后，以符合工艺需求的曝光量照射至硅片表面，进而使得硅片表面的光刻胶形成最终图形，进一步的完成光刻工艺；本发明提供的增强光刻工艺能力的装置及利用该装置进行的光刻工艺，能够有效提高各种不同尺寸的图形的综合分辨率和工艺窗口，平衡了各种不同尺寸图形的线宽尺寸，且避免了多次曝光工艺的成本增加和产出量降低的问题，进而提高了生产效率和降低了制造成本，且提高了器件的良率。
增强光刻工艺能力装置利用进行

[发明专利]提高光刻工艺中图形关键尺寸的均匀性的方法-CN201710530447.3有效
发明人：王雷 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2017-06-30 - 公布日： 2018-08-21 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高光刻工艺中图形关键尺寸的均匀性的方法，包括如下步骤：步骤一、测量各种不同的图形周期下，各种不同的局部图形密度对相应的图形周期下的图形关键尺寸的影响，并根据测量结果建立光刻工艺调整规则；步骤二、对已经设计好的产品版图的本层图形进行局部图形密度统计；步骤三、根据本层图形的局部图形密度分布，按照光刻工艺调整规则对本层图形的各图形对应的光罩关键尺寸进行调整。
提高光刻工艺图形关键尺寸均匀方法

[发明专利]用于优化光刻工艺窗口的方法及装置、计算机存储介质-CN202110034008.X在审
发明人：张双;韦亚一;张利斌;盖天洋;何建芳 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-01-11 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明能够提供用于优化光刻工艺窗口的方法及装置、计算机存储介质。用于优化光刻工艺窗口的方法包括：获取理想光刻条件下的理想光源信息和理想掩模信息，依据理想光源信息和理想掩模信息生成理想光刻条件下的工艺窗口信息；基于工艺窗口信息得到用于优化当前光刻工艺窗口的像差系数组合；其中，在当前光刻过程中使用与理想光源信息对应的光源以及与理想掩模信息对应的掩模。本发明能够快速地确定像差系数组合，以利用该像差系数组合提高光刻成像质量，进而提高半导体器件制造的良率。本发明能够有效解决非理想光刻机系统或非理想工艺条件下的光刻工艺匹配问题，可达到与理想光刻机、理想光刻工艺相当的工艺窗口。
用于优化光刻工艺窗口方法装置计算机存储介质

[发明专利]用于光刻工艺的清洗基底的方法-CN202210406464.7在审
发明人：丁杰 -专利权人：上海图灵智算量子科技有限公司
申请日： 2022-04-18 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本申请实施例涉及一种用于光刻工艺的清洗基底的方法。根据本申请的一些实施例，一种清洗基底的方法包括：提供用于光刻工艺的基底，其中所述基底上有沟槽结构；在进行所述光刻工艺之前使用与所述光刻工艺相匹配的显影液进行清洗；以及去除所述显影液。本申请实施例还提供包含上述清洗基底方法的半导体工艺方法及芯片制造方法。本申请实施例提供的用于光刻工艺的清洗基底的方法可有效解决传统技术中遇到的问题。
用于光刻工艺清洗基底方法