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[发明专利]VDMOS分压环的制造方法-CN201510363478.5有效
发明人：马万里;张立荣;任春红 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2015-06-26 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种VDMOS分压环的制造方法，包括：在N型外延层上形成垫氧化层，在所述垫氧化层上形成氮化硅层；通过光刻、刻蚀和P型离子注入工艺，在所述N型外延层中形成分压环；在高温炉管中对所述分压环进行驱入本发明提供的VDMOS分压环的制造方法，仅在P型离子注入前需要进行光刻工艺，在N型离子注入前不需要进行额外的光刻工艺，节省了步骤，提高了VDMOS的制作效率，并且节约了成本。
vdmos 分压环制造方法

[发明专利]一种叠层电感的制作方法及制得的器件-CN201910658933.2有效
发明人：林豪;王潮斌;詹智梅;肖俊鹏;陈东仰;郑育新;林张鸿;林伟铭 -专利权人：福建省福联集成电路有限公司
申请日： 2019-07-22 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明公开一种叠层电感的制作方法及制得的器件，其中方法包括如下步骤：涂布第一光阻，进行增强型栅极底部及电感第一金属层底部光刻工艺；涂布第二光阻，进行增强型栅极顶部及电感第一金属层顶部光刻工艺；沉积金属，形成增强型栅极和电感第一金属层；对增强型栅极和电感第一金属层进行钝化工艺，形成第一钝化层；对耗尽型栅极及与电感第二金属层连接处的氮化物的第一钝化层进行蚀刻开口；涂布第三光阻，进行耗尽型栅极及电感第二金属层光刻工艺且与现有的晶体管工艺同时进行，不增加工艺成本。
一种电感制作方法器件

[发明专利]基于二茂金属化合物的光刻胶及其制备方法和应用-CN201911167289.5有效
发明人：杨国强;玉佳婷;陈龙;王亚飞;郭旭东;胡睿;王双青 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2019-11-25 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： C07F17/00 文献下载
摘要：本发明属于光刻胶技术领域，具体涉及基于二茂金属化合物的光刻胶及其制备方法和应用。本发明的二茂金属化合物采用金属为中心核结构，因此具有较高的熔点和玻璃化转变温度，能够满足光刻技术要求，且结构稳定，在高温烘烤中薄膜结构无变化。此外，本发明的光刻胶组合物可以用于248nm光刻、193nm光刻、极紫外(EUV)光刻、纳米压印光刻(NIL)和电子束光刻(EBL)等现代光刻工艺中。尤其适合使用于极紫外(EUV)光刻工艺中。
基于金属化合物光刻及其制备方法应用

[发明专利]一种掩模参数的优化方法及装置-CN201810967757.6在审
发明人：何建芳;韦亚一;董立松;赵利俊 -专利权人：中国科学院微电子研究所;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2018-08-23 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： G03F1/38 文献下载
摘要：其中初始掩模三维参数包括初始掩模厚度和初始掩模侧壁角，根据初始掩模三维参数，可以获取多组可行掩模三维参数，其中可行掩模三维参数包括可行掩模厚度和可行掩模侧壁角，基于测试图形和初始光源参数，得到每组可行掩模三维参数对应的可行光刻工艺窗口，将可行光刻工艺窗口作为衡量参考，其中，可行光刻工艺窗口最大值对应的可行掩模三维参数即可认为是本次优化的最优掩模三维参数。本申请实施例中，对初始掩模三维参数以及初始光源参数进行了优化，可以获得更高的光刻分辨率，因此得到更大的光刻工艺窗口和更好的曝光分辨率。
三维初始掩模掩模光刻工艺窗口光源参数测试图形掩模参数侧壁角优化光刻分辨率曝光分辨率最优掩模申请参考衡量

[发明专利]具有内置二极管的IGBT器件背面工艺-CN201510600983.7有效
发明人：程炜涛;许剑;王海军;叶甜春 -专利权人：江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2015-09-18 - 公布日： 2017-12-12 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有内置二极管的IGBT器件背面工艺，其包括如下步骤a、得到正面元胞结构；b、对晶圆背面进行减薄；c、在离子注入后的晶圆背面上涂覆光刻胶层；d、提供光刻机；e、确定notch区坐标；f、根据上述notch区坐标、金属层套刻对位标记的中心坐标以及下基准标记确定晶圆的位置；g、根据金属层套刻对位标记以及掩膜版套刻对位标记的中心坐标，对晶圆的位置进行校正；h、对光刻胶层进行曝光显影，并在曝光显影后，对晶圆背面进行所需的二次背面离子注入；i、去除光刻胶层，并激活载流子；j、设置背面金属层。本发明能实现背面光刻工艺达到或接近正面光刻工艺的控制能力，对背面图形没有特定限制，有利于实现更多的背面图形方案。
具有内置二极管 igbt 器件背面工艺

[发明专利]一种利用电镀工艺在GaN材料上制备细栅的方法-CN201210572530.4有效
发明人：周建军;孔岑;陈堂胜 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2012-12-26 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用电镀工艺在GaN材料上制备细栅的方法，包括如下步骤：首先利用等离子体化学沉积方法在干净的AlGaN/GaN材料上生长SiN薄的介质保护层，然后利用电子束光刻工艺定义栅脚图形。利用电子束光刻工艺定义栅帽图形，然后利用电镀工艺制备栅帽，最后将电子束胶去除。本发明可以大幅降低栅的电阻，有效提高栅的稳定性。
一种利用电镀工艺 gan 材料制备方法

[发明专利]对位标记和半导体结构的形成方法、组合掩膜版-CN201911066595.X在审
发明人：巫奉伦;王嘉鸿;夏忠平;黄建维 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2019-11-04 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： G03F1/42 文献下载
摘要：通过组合使用第一掩模版和第二掩模版，以界定出对位标记的图形，从而使得所形成的对位标记的结构更为复杂且精度更高，进而基于该对位标记执行光刻工艺时，即有利于提高光刻工艺的对准精度，减小光刻工艺的对位偏差。
对位标记半导体结构形成方法组合掩膜版

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201210225965.1有效
发明人：宋化龙 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-07-02 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件及其形成方法，包括：提供半导体衬底；利用光刻工艺定义沟槽，刻蚀所述半导体衬底形成沟槽；形成覆盖所述半导体衬底的氧化硅层；移除所述沟槽内的部分氧化硅层，暴露出部分半导体衬底；在露出的半导体衬底上形成半导体层其中，利用光刻工艺所定义的沟槽，其截面宽度大于后续形成的隔离结构的截面宽度，由此降低了对光刻工艺的要求。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]用于制造半导体器件的光刻工艺的方法-CN200610074166.3有效
发明人：林水典;卢欣荣;罗益全 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2006-04-07 - 公布日： 2006-10-11 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种用于制造半导体器件的光刻工艺的方法。该方法包括如下步骤：定义一光刻掩模的测试临界尺寸目标；测量一掩模临界尺寸；比较掩模临界尺寸和该测试临界尺寸目标，并据以决定一临界尺寸误差；依据该临界尺寸误差决定一光刻光基准能量；以及依据该光刻光基准能量曝光一晶片
用于制造半导体器件光刻工艺方法

[发明专利]一种石墨烯微结构的制备方法-CN202310133630.5有效
发明人：梅林玉;栗倩男;毕开西;丑修建;牛耀楷;周思源 -专利权人：中北大学
申请日： 2023-02-20 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：其为了解决传统的石墨烯微结构的制备方法过程复杂且耗时长的问题，故提供了一种新的石墨烯微结构的制备方法，该制备方法依次包括如下步骤：使用匀胶机在硅片表面旋涂SU‑8光刻胶、使用光刻工艺制备得到图案化的SU‑8光刻胶微结构、采用电子束辐照工艺对图案化的SU‑8光刻胶微结构进行辐照。本发明中的石墨烯微结构的制备方法采用光刻工艺和电子束辐照工艺相结合，该制备方法简单易行，既避免了转移过程中易会对石墨烯造成污染，也解决了转移过程复杂且耗时长的问题，从而有效提高了石墨烯微结构的生产效率。
一种石墨微结构制备方法

[发明专利]LDMOS的制造方法-CN201610671726.7有效
发明人：钱文生 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2016-08-16 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种LDMOS的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、形成漂移区；步骤二、形成第一场氧化层；步骤三、采用同一光刻工艺同时定义出体区的形成区域以及体区外的漂移区埋层的形成区域；体区外的漂移区埋层位于第一场氧化层的底部；步骤四、进行能穿过第一场氧化层的第一次第二导电类型离子注入并同时形成体区底部的漂移区埋层和体区外的漂移区埋层；步骤五、进行不能穿过第一场氧化层的第二次第二导电类型离子注入并形成体区。本发明不需要额外的光刻工艺来形成漂移区埋层，能减少工艺成本。
ldmos 制造方法

[发明专利]一种去除光刻胶树脂中的金属杂质的方法-CN202110452965.4有效
发明人：杨鑫楷;马潇;周浩杰;杨平原;陈情丽;顾大公;毛智彪;许从应 -专利权人：宁波南大光电材料有限公司
申请日： 2021-04-26 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： B01J47/10 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种去除光刻胶树脂中的金属杂质的方法，该方法包括：S1、对预置的离子交换树脂进行活化处理；S2、将活化后的离子交换树脂与光刻胶树脂反应液在反应瓶中进行混合搅拌，搅拌结束后对混合液中的离子交换树脂进行滤除；S3、对滤除离子交换树脂后的树脂溶液进行沉淀处理、固液分离以及烘干处理；S4、再次重复步骤S3，得到去除金属杂质后的光刻胶树脂。该方法通过采用活化后的离子交换树脂去除光刻胶树脂反应液中的金属杂质，然后将树脂溶液进行沉淀处理、固液分离以及烘干，烘干完成后再次进行沉淀处理、固液分离以及烘干，便可得到符合光刻胶工艺的光刻胶树脂，极大的降低了光刻工艺的成本，同时拓宽了光刻工艺中所需原料的来源。
一种去除光刻树脂中的金属杂质方法

[发明专利]光刻工艺曝光焦距的监测方法-CN201510680498.5在审
发明人：汪武平;毛智彪;杨正凯 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2015-10-19 - 公布日： 2015-12-09 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种光刻工艺曝光焦距的监测方法，包括：第一步骤：提供具有相位转移特性的基准套刻标记的掩模版；第二步骤：通过光刻工艺，将所述基准套刻标记转移到产品晶圆的光刻胶上以形成光阻图形；第三步骤：通过掩模版的相位转移特性，把曝光机的焦距变化转移到与曝光机焦距方向正交的方向上的距离变化；第四步骤：量测光阻图形的与曝光机焦距方向正交的方向上的距离变化；第五步骤：根据掩模版的相位转移特性确定的所述焦距变化与所述距离变化之间的对应关系，利用第四步骤量测到的距离变化确定光阻图形的套刻精度的偏移，从而确定曝光机曝光过程中的焦距的偏移情况。
光刻工艺曝光焦距监测方法

[发明专利]栅极形成方法-CN200810043942.2有效
发明人：陈华伦;陈雄斌;陈瑜;熊涛;罗啸 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2008-11-18 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种栅极形成方法，在衬底上淀积用作栅氧的二氧化硅之后，包括如下步骤：1)在所述二氧化硅上淀积一层多晶硅，而后在多晶硅上淀积另一层二氧化硅作为二氧化硅保护层；2)接着对所述多晶硅进行掺杂以达到预定的多晶硅的阻值；3)采用光刻工艺定义出栅极位置；4)利用步骤3中光刻工艺后留下的光刻胶图形为掩膜，将栅极位置处的去除所述多晶硅上的所述另一层二氧化硅，之后去胶清洗；5)进行金属硅化物形成工艺，在露出的多晶硅上形成金属硅化物
栅极形成方法

[发明专利]一种半导体集成电路制造中光刻工艺的优化调度方法-CN201810598361.9在审
发明人：钱斌;谷慧敏;胡蓉 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2018-06-12 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： G05B19/418 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体集成电路制造中光刻工艺的优化调度方法，属于生产车间智能优化调度技术领域。本发明通过确定光刻工艺过程调度模型和优化目标，并使用基于鲸鱼优化算法的优化调度方法对优化目标进行优化；其中调度模型依据每个半导体材料在各台机器上的加工完成时间来建立，优化目标为最小化最大完工时间。本发明使得光刻工艺过程的表达清晰准确，调度方法合理高效；在种群的更新过程中，通过WOA与“Insert”等局部操作方式的结合对全局搜索找到的优质区域进行扰动和探索，充分利用优势个体的信息来指导搜索方向，最大程度上使得光刻工艺流程的最大完工时间最小化，能提高加工效率，缩短加工生产周期，可降低加工成本。
优化调度优化目标半导体集成电路制造光刻工艺过程调度模型光刻工艺半导体材料时间最小化调度技术更新过程加工生产加工效率局部操作全局搜索生产车间搜索方向优化算法智能优化工艺流程最小化扰动光刻加工种群调度清晰优化探索