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[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110287734.2在审
发明人：林宏升 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2021-03-17 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供衬底，包括NMOS区和PMOS区；在NMOS区和PMOS区的衬底上形成分立的沟道结构，沟道结构包括一个或多个堆叠的沟道叠层，每个沟道叠层包括牺牲层以及位于牺牲层上的沟道层，NMOS区中沟道层的高宽比小于PMOS区中沟道层的高宽比，沿沟道结构的延伸方向，沟道结构包括沟道区；去除沟道区的牺牲层；去除沟道区的牺牲层后，在沟道区中，形成环绕覆盖沟道层的栅介质层；形成横跨沟道层的栅极结构在NMOS区中，通过使沟道层的高宽比较小，以便于增大沟道层的宽度，从而有利于增大NMOS的工作电流，而在PMOS区中，通过使沟道层的高宽比较大，以便于增大沟道层的高度，从而有利于增大PMOS的工作电流。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]薄膜晶体管、显示面板和显示装置-CN202110450346.1在审
发明人：李东华;魏晓丽 -专利权人：厦门天马微电子有限公司
申请日： 2021-04-25 - 公布日： 2021-07-02 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜晶体管、显示面板和显示装置，涉及显示技术领域，薄膜晶体管包括：源极、漏极、栅极和有源层；有源层包括源极区、漏极区和沟道区，源极区与源极电连接，漏极区与漏极电连接，有源层与栅极的重叠部分为沟道区，沟道区位于源极区和漏极区之间；沟道区包括第一沟道区和第二沟道区，第一沟道区位于源极区和第二沟道区之间，第二沟道区位于第一沟道区和漏极区之间，第一沟道区的面积小于第二沟道区的面积。
薄膜晶体管显示面板显示装置

[发明专利]半导体器件的沟道结构以及制作方法-CN202210682323.8在审
发明人：陈鲲;杨静雯;徐敏;王晨;张卫;徐赛生;吴春蕾 -专利权人：上海集成电路制造创新中心有限公司;复旦大学
申请日： 2022-06-16 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件的沟道结构，包括：第一沟道区以及第二沟道区，所述第一沟道区与所述第二沟道区均形成于所述GAA器件的源区和漏区之间；所述第一沟道区形成于衬底的第一区域上；所述第二沟道区形成于所述衬底的第二区域上；所述第一沟道区包括：沿远离所述衬底方向上依次形成的第一沟道层以及若干第二沟道层，各第二沟道层之间以及所述若干第二沟道层与所述第一沟道层之间均不接触；所述第二沟道区包括：形成于所述衬底上的所述第一沟道层解决了如何利用简洁的工艺制作半导体器件的沟道结构的问题，实现了工艺的简化以及减小器件缺陷的效果。
半导体器件沟道结构以及制作方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201110376996.2有效
发明人：三重野文健 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2011-11-24 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：根据本发明的半导体器件包括：在衬底上形成的一个或更多个鳍片，所述鳍片具有由半导体材料形成的第一半导体层，并且所述第一半导体层具有：源区和漏区；在源区和漏区之间的沟道区，所述沟道区具有第一导电类型；以及沟道控制区，其与沟道区邻接以用于控制沟道区，所述沟道控制区至少形成在所述第一半导体层的沿着所述沟道区的沟道方向的两个侧面的部分表面中，并且与所述沟道区的沿着所述沟道方向的两个侧面的至少部分表面邻接，所述沟道控制区具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型；以及栅极，其从所述沟道控制区的外侧与所述沟道控制区邻接。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种显示背板的制作方法、显示背板及显示装置-CN202110180434.4有效
发明人：王晶;田宏伟;刘明;赵佳;孟秋华;韩子昂 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2021-02-09 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明通过在衬底基板上形成第一有源层和第二有源层，形成覆盖第一有源层和第二有源层的第一栅绝缘层，在第一栅绝缘层上形成第一栅极，对第一非沟道区、第二非沟道区和第二沟道区进行离子注入，以降低第一非沟道区、第二非沟道区和第二沟道区的氧空位浓度通过在形成第一栅极后，对第一非沟道区、第二非沟道区和第二沟道区进行离子注入，占据第一非沟道区、第二非沟道区和第二沟道区的氧空位，使得第一非沟道区、第二非沟道区和第二沟道区的氧空位浓度降低，降低开关晶体管的漏电流
一种显示背板制作方法显示装置

[发明专利]一种半导体结构及其制作方法-CN202210989437.7在审
发明人：唐怡;何政 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-08-17 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及其制作方法，其中，半导体结构包括：有源柱，有源柱包括沟道区以及分别位于沟道区两侧的第一掺杂区以及第二掺杂区，沟道区包括第一沟道区和第二沟道区，第一沟道区与第一掺杂区相邻接，第二沟道区与第二掺杂区相邻接且位于第一沟道区与第二掺杂区之间，第一掺杂区、第二沟道区以及第二掺杂区均具有第一掺杂类型，第一沟道区具有第二掺杂类型，第一掺杂类型为N型或者P型中的一者，第二掺杂类型为N型或者P型中的另一者；栅极，栅极位于沟道区的表面。
一种半导体结构及其制作方法

[发明专利]SiC MOSFET结构及其制造方法-CN201210143467.2有效
发明人：赵猛 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-05-09 - 公布日： 2013-11-13 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明提供一种SiC MOSFET结构及其制造方法，在原SiC沟道区的基础上形成SiC-SiGe堆叠沟道结构，同时形成SiGe源区和SiGe漏区，利用SiC、SiGe之间的晶格位错增大沟道区应力，提高沟道区载流子迁移率；进一步的，在原SiC沟道区的基础上形成SiC-SiGe-Si堆叠沟道结构，增强沟道应力，在通过在SiC沟道区注入氮、氟等离子来改善SiC沟道区的界面缺陷，抑制源区和漏区的Ge扩散，改善短沟道效应，增大载流子迁移率
sic mosfet 结构及其制造方法

[发明专利]一种围栅隧穿场效应晶体管以及制作方法-CN202211566349.2在审
发明人：吴春蕾;许煜民;沈伯佥;赵斐;杨子辰;张卫 -专利权人：复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供了一种围栅隧穿场效应晶体管，包括：衬底；衬底上包括：第一外延区、第二外延区、第一沟道区、第二沟道区以及第三沟道区；第一外延层形成于第一外延区；第二外延层形成于第二外延区；若干第一沟道层沿远离衬底的方向上堆叠，且相邻两第一沟道层之间通过沟道空腔间隔；其中，第一沟道层包括第一沟道部、第二沟道部以及第三沟道部；内侧墙；填充于第一沟道区和第三沟道区的沟道空腔中；第二沟道层、栅介质层以及控制栅；均形成于第二沟道区中；其中，第一沟道部中掺杂有第一离子，第二沟道层中掺杂有第二离子；第一离子和第二离子的类型不同；以解决如何增大围栅隧穿场效应晶体管的开态电流的问题。
一种围栅隧穿场效应晶体管以及制作方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201110339415.8有效
发明人：殷华湘;罗军;赵超;刘洪刚;陈大鹏 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-11-01 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：半导体衬底；半导体衬底上的沟道区，所述沟道区包括量子阱结构；位于沟道区两侧的源极区和漏极区；沟道区上的栅极结构；其中，所述沟道区、源极区和漏极区的材料的能带互不相同；在源极区与沟道区之间存在隧穿势垒结构
半导体器件及其制造方法

[发明专利]阵列基板及显示面板-CN202211051193.4在审
发明人：罗传宝 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种阵列基板及显示面板，阵列基板包括基板、氧化物半导体层、栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层和源漏极金属层，氧化物半导体层包括沟道区和导体化区，沟道区包括第一沟道区和第二沟道区，第一沟道区位于第二沟道区和导体化区之间；栅极绝缘层包括第一子部和第二子部，第一子部对应第一沟道区，第二子部对应第二沟道区，第一子部的厚度小于第二子部的厚度。通过将栅极绝缘层进行厚度差异化设计，有利于降低栅极绝缘层向氧化物半导体层中的导体化区与沟道区之间的搭接区域(第一沟道区)内的氢扩散，增大了有效沟道区的长度，有利于实现窄沟道。
阵列显示面板

[发明专利]JFET及其制造方法-CN201610194142.5有效
发明人：钱文生 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2016-03-30 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开了一种JFET，JFET集成于LDMOS中，JFET的栅极区埋在JFET的漂移区中；由横向位置和JFET的栅极区相同的JFET的漂移区组成JFET的沟道区，JFET的栅极区在沟道区中呈悬浮式结构，JFET的沟道区在纵向上被栅极区隔开成上沟道区和下沟道区，JFET的沟道区的宽度为上下沟道区的宽度和。本发明能在栅极区的结深发生改变时，使沟道区的宽度保持不变，从而能使器件的夹断电压和导通电流保持不变，提高器件的性能的均匀性。
jfet 及其制造方法

[发明专利]一种复合沟道的隧穿双栅场效应器件及其制造方法-CN201910387293.6在审
发明人：何进;任源;李春来;胡国庆;刘京京;潘俊;王小萌;何箫梦 -专利权人：北京大学深圳研究院
申请日： 2019-05-10 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明涉及一种复合沟道的隧穿双栅场效应器件，包括源区、复合沟道区、漏区、栅电极、栅介质层和衬底，衬底位于源区、复合沟道区、漏区、栅电极、栅介质层的下方，复合沟道区的两端设有源区和漏区，复合沟道区的下方为衬底，复合沟道区的外侧被栅介质层包裹，栅介质层的外侧为栅电极；复合沟道区由两段同类且掺杂的部分构成，复合沟道中靠近源区的为第一沟道区LI，靠近漏区的为第二沟道区L2；源区和漏区分布在复合沟道区两端，重掺杂后与金属接触形成器件的两端电接触本发明的有益效果：通过在隧穿双栅场效应器件中设由两段同类且掺杂的部分构成的复合沟道区，从而提高T‑FinFET类型器件的开态电流，最终达到驱动芯片工作的目的。
一种复合沟道隧穿双栅场效应器件及其制造方法

[实用新型]一种薄膜晶体管、阵列基板及显示屏-CN201820380735.5有效
发明人：陈红;周茂清;张德强 -专利权人：昆山国显光电有限公司
申请日： 2018-03-20 - 公布日： 2018-09-25 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：薄膜晶体管包括沟道区、源区和漏区，源区和漏区设置于沟道区的周侧，沟道区上设置有沟道；沟道包括至少三条子段，沟道的每一子段均自源区或漏区向沟道区方向延伸，沟道的每一子段均至少与另外两条子段在沟道区相连。现有技术中，通过沟道区只有两条或三条依次相连的子段，首尾两条子段分别连接源区和漏区，即薄膜晶体管只有一条沟道路径。本实用新型中，沟道包括至少三条子段，通过冗余设计，形成了数条或多条的沟道路径，当薄膜晶体管弯折时，只要在源区和漏区之间还具有一条可以导通的沟道路径，薄膜晶体管就可以导通，以此提高薄膜晶体管的可靠性。
薄膜晶体管沟道沟道区漏区条子源区子段本实用新型阵列基板导通显示屏方向延伸冗余设计显示面板依次相连连接源弯折自源首尾

[发明专利]应用于射频功率放大的双埋沟RFLDMOS器件-CN202011259316.4在审
发明人：岳丹诚;彭虎;莫海锋 -专利权人：苏州华太电子技术有限公司
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种应用于射频功率放大的双埋沟RFLDMOS器件，其包括：衬底、外延层、源极、漏极和栅极，所述外延层内分布有漂移区、阱区、第一沟道区、第二沟道区，所述漂移区内形成有漏区，所述阱区内形成有源区和掺杂区，所述第一沟道区分别与所述源区、漂移区相邻接，所述第二沟道区分别与所述源区、阱区、漂移区相邻接；所述栅极自所述第一沟道区、第二沟道区的上方延伸至所述漂移区的上方，被所述栅极覆盖的所述第一沟道区、第二沟道区内均形成有埋沟；其中，所述衬底、外延层、阱区和掺杂区均为第一掺杂类型，所述漂移区、第一沟道区、第二沟道区、源区、漏区均为第二掺杂类型。
应用于射频功率放大双埋沟 rfldmos 器件

[发明专利]具有悬空沟道的MOSFET及其形成方法-CN201210413989.X有效
发明人：乔治斯·威廉提斯;马克·范·达尔;布兰丁·迪里耶 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-10-25 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种器件包括半导体衬底以及位于半导体衬底上方的晶体管的沟道区。沟道区包括半导体材料。气隙设置在沟道区的下方并且与沟道区对准，其中，沟道区的底面暴露于气隙。绝缘区设置在气隙的相对侧上，其中，沟道区的底面高于绝缘区的顶面。晶体管的栅极电介质设置在沟道区的顶面和侧壁上。晶体管的栅电极位于栅极电介质上方。本发明提供具有悬空沟道的MOSFET及其形成方法。
具有悬空沟道 mosfet 及其形成方法

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