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[发明专利]射频开关器件及其形成方法-CN201610160489.8有效
发明人：刘张李 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2016-03-21 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种射频开关器件及其形成方法，其中，射频开关器件包括：基底；栅极结构，位于所述基底上；源区和漏区，分别位于所述栅极结构两侧的基底中；源金属层，位于所述基底上，所述源金属层与所述源区对应连接；漏金属层，位于所述基底上，所述漏金属层与所述漏区对应连接，所述源金属层上和所述漏金属层上具有介质层；金属层，在所述介质层上，且所述金属层至少投影到部分源金属层和部分漏金属层的顶部表面。所述射频开关器件增强了在关态下漏金属层和所述源金属层的隔离性能。
射频开关器件及其形成方法

[发明专利]一种显示基板和显示装置-CN202110230986.1在审
发明人：苌川川;栾兴龙;冯京;王志冲;刘鹏 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2021-03-02 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：显示基板包括衬底、源漏金属层、半导体层和栅金属层，源漏金属层形成于衬底上，源漏金属层包括数据线图形，且数据线图形与半导体层相连，半导体层位于源漏金属层远离衬底的一侧，栅金属层位于半导体层远离衬底的一侧。本发明实施例通过将半导体层设置于源漏金属层远离衬底的一侧，栅金属层设置于半导体层远离衬底的一侧，也就是说，源漏金属层更靠近衬底，制作过程中，首先制作源漏金属，接下来制作半导体层，最后制作栅金属层，源漏金属层和衬底之间的结构相对较少，如果源漏金属层存在残留，对于源漏金属层的修复对其他结构造成的影响相对较小，有助于提高显示基板的可修复性，从而提高产品的良品率。
一种显示显示装置

[发明专利]半导体装置-CN201710073456.4有效
发明人：林立凡;杨竣杰 -专利权人：台达电子工业股份有限公司
申请日： 2017-02-10 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种半导体装置包含主动层、源极电极、漏极电极、栅极电极、第一绝缘层、栅极金属层、贯穿结构、第一源极金属层、漏极金属层与第二源极金属层。源极电极、漏极电极与栅极电极置于主动层上。栅极电极置于源极电极与漏极电极之间。第一绝缘层置于源极电极、漏极电极与栅极电极上。栅极金属层置于栅极电极与第一绝缘层上。栅极金属层包含窄部与宽部。贯穿结构置于栅极金属层与栅极电极之间。第一源极金属层置于源极电极与第一绝缘层上。漏极金属层置于漏极电极与第一绝缘层上。第二源极金属层置于栅极金属层与漏极金属层之间。
半导体装置

[发明专利]一种PMOS晶体管、PMOS晶体管的制备方法及电子设备-CN201910680902.7在审
发明人：毛淑娟;罗军;许静 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-07-26 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种PMOS晶体管，包括：衬底，依次叠置在衬底上且彼此邻接的第一源/漏区、沟道区和第二源/漏区，围绕在沟道区外围形成有栅堆叠；其中，在第一源/漏区和第二源/漏区上叠置有金属硅化物层，在金属硅化物层上叠置有金属层；金属硅化物层与第一源/漏区、第二源/漏区之间形成的肖特基势垒低于金属层与第一源/漏区、第二源/漏区之间形成的肖特基势垒。本发明所述PMOS晶体管，在金属层与第一源/漏区、第二源/漏区之间，分别插入一层金属硅化物层，相比现有PMOS晶体管中形成的金属层与第一源/漏区、第二源/漏区接触，能有效降低PMOS晶体管中源漏区接触电阻
源/漏区金属硅化物层金属层叠置肖特基势垒沟道区衬底电子设备接触电阻晶体管源漏区栅堆叠邻接制备外围

[发明专利]晶体管的形成方法-CN201510292729.5在审
发明人：李勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2015-06-01 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种鳍式场效应晶体管的形成方法，包括：提供具有鳍部的半导体衬底，形成横跨鳍部的栅极结构，栅极结构覆盖鳍部的顶部和侧壁；在栅极结构两侧的鳍部形成源极材料层和漏极材料层；在衬底、栅极结构、源极材料层和漏极材料层上形成介质层；在介质层内形成底部露出源极材料层的源极通孔和底部露出漏极材料层的漏极通孔；在源极通孔底部的源极材料层上形成源极金属硅化物层；在漏极通孔底部的漏极材料层上形成漏极金属硅化物层；在源极金属硅化物层和漏极金属硅化物层上形成金属层，金属层的功函数小于源极金属硅化物层和漏极金属硅化物层的功函数；对金属层进行退火处理；之后，将所述金属层去除。
晶体管形成方法

[发明专利]一种新型的射频晶体管版图结构-CN201410216642.5在审
发明人：张炯;廖英豪;徐帆;程玉华 -专利权人：上海北京大学微电子研究院
申请日： 2014-05-22 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了射频MOS管，以提高射频MOS管的工作速度及降低其射频MOS管栅极寄生电阻导致的噪声恶化以及可靠性；该射频MOS管包括：源极、漏极和栅极，衬底，所述栅极由子栅和连接子栅的侧栅构成，还包括连接源极及源端的源金属层、连接漏极及漏端的漏金属层和连接侧栅及栅输入端的侧栅金属层，其中源金属层覆盖并延伸出源极，其在有源区的投影与漏极和子栅无交叠；漏金属层覆盖并延伸出漏极，其在有源区的投影与源极和子栅无交叠；侧栅金属层覆盖并延伸出侧栅，其在有源区的投影与源极和漏极无交叠；以及源金属层、漏金属层及栅金属层中，由相同层金属形成的部分无交叉。
一种新型射频晶体管版图结构

[发明专利]射频金属-氧化物-半导体场效应晶体管-CN201010113496.5无效
发明人：廖英豪;傅春晓;程玉华 -专利权人：上海北京大学微电子研究院
申请日： 2010-02-25 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了射频MOS管，以提高射频MOS管的工作速度及降低其射频MOS管栅极寄生电阻导致的噪声恶化以及可靠性；该射频MOS管包括：源极、漏极和栅极，衬底，所述栅极由子栅和连接子栅的侧栅构成，还包括连接源极及源端的源金属层、连接漏极及漏端的漏金属层和连接侧栅及栅输入端的侧栅金属层，其中源金属层覆盖并延伸出源极，其在有源区的投影与漏极和子栅无交叠；漏金属层覆盖并延伸出漏极，其在有源区的投影与源极和子栅无交叠；侧栅金属层覆盖并延伸出侧栅，其在有源区的投影与源极和漏极无交叠；以及源金属层、漏金属层及栅金属层中，由相同层金属形成的部分无交叉。
射频金属氧化物半导体场效应晶体管

[发明专利]功率元件封装结构-CN201110455882.7无效
发明人：林孟辉 -专利权人：富鼎先进电子股份有限公司
申请日： 2011-12-27 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：一种功率元件封装结构，包含一基材、一源极层、一栅极层、一漏极层、一介电层、至少一漏极焊垫、至少一源极焊垫、至少一栅极焊垫、至少一漏极金属柱、至少一源极金属柱、以及至少一栅极金属柱。源极层与栅极层设置于基材的一第一表面。漏极层设置于基材的一第二表面。介电层覆盖源极层、栅极层及基材的第一表面。漏极焊垫、源极焊垫与栅极焊垫均设置于介电层上，并分别通过漏极金属柱、源极金属柱、与栅极金属柱各自连接至漏极层、源极层及栅极层。
功率元件封装结构

[发明专利]半导体器件-CN202111052909.8有效
发明人：林坤;杨天应;刘丽娟;吴文垚 -专利权人：深圳市时代速信科技有限公司
申请日： 2021-09-09 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：该半导体器件包括衬底、位于衬底上的半导体叠层、位于半导体叠层上且间隔排布的源极欧姆金属和漏极欧姆金属、与源极欧姆金属接触连接的源极互连金属、与漏极欧姆金属接触连接的漏极互连金属、位于源极互连金属与漏极互连金属之间且与半导体叠层接触连接的栅极金属，以及位于半导体叠层上且与源极互连金属形成金属互连的源场板；其中，源场板位于源极互连金属和漏极互连金属之间，源场板至漏极欧姆金属的距离小于源场板至漏极互连金属的距离。该半导体器件能够在不额外增加器件面积的条件下减小源极和漏极之间的寄生电容，从而提高器件的漏极效率。
半导体器件

[发明专利]柔性显示面板及其制作方法-CN202010341431.X有效
发明人：赵慧慧 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2020-04-27 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明提供一种柔性显示面板及其制作方法，柔性显示面板包括衬底基板、无机层、有机填充层、源漏极金属层走线以及平坦层，源漏极金属层走线包括位于弯折区的第一源漏极金属层走线和位于非弯折区的第二源漏极金属层走线，第一源漏极金属层走线为弯曲状走线；使得柔性显示面板在进行弯折时，源漏极金属层走线交替受到压应力和张应力，并可实现压应力和张应力的中和抵消，降低应力，从而可减小弯折所带来的源漏极金属层走线的电阻变化，进而降低因电阻变化而导致的光学变化；同时能够降低源漏极金属层走线发生断裂的风险，提升了柔性显示面板的产品性能。
柔性显示面板及其制作方法

[发明专利]半导体器件中的金属至源极/漏极插塞的间隙图案化-CN202110019008.2在审
发明人：黄玉莲;傅劲逢;林焕哲;李富生;何彩蓉;谢博全;陈冠亘;王冠人 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-07 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件中的金属至源极/漏极插塞的间隙图案化。一种方法可以包括在提供在第一源极/漏极和第二源极/漏极上的第一电介质层的顶部上提供掩模层，以及在掩模层和第一电介质层中创建暴露第一源极/漏极和第二源极/漏极的部分的开口。该方法可以包括用覆盖第一源极/漏极和第二源极/漏极的暴露部分的金属层填充开口，以及在金属层中形成间隙以创建第一金属接触件和第二金属接触件。第一金属接触件可以电耦合至第一源极/漏极，并且第二金属接触件可以电耦合至第二源极/漏极。间隙可以使第一金属接触件与第二金属接触件分开小于十九纳米。
半导体器件中的金属至源极漏极插塞间隙图案

[实用新型]一种阵列基板和显示装置-CN201620080911.4有效
发明人：冯玉春;郭会斌;王守坤;李梁梁 -专利权人：北京京东方显示技术有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2016-01-27 - 公布日： 2016-08-17 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：所述阵列基板包括：第一玻璃基板、源漏金属层和绝缘吸光层，绝缘吸光层设置在第一玻璃基板和源漏金属层之间。本实用新型通过在第一玻璃基板和源漏金属层之间设置绝缘吸光层，使得外界光线无法照射到源漏金属层，避免了源漏金属层反光，提高了阵列基板的显示效果。
一种阵列显示装置

[实用新型]阵列基板、显示面板和显示装置-CN202121751647.X有效
发明人：鲜济遥;刘凯军;周佑联;许哲豪;郑浩旋 -专利权人：北海惠科光电技术有限公司;惠科股份有限公司
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请公开了一种阵列基板、显示面板和显示装置，阵列基板包括衬底以及依次设置在衬底上的半导体有源层、栅极绝缘层、栅极金属层、源极金属层、漏极金属层、绝缘保护层以及像素电极，源极金属层和漏极金属阻层设置在半导体有源层上，且位于栅极绝缘层的两侧，栅极绝缘层设置在半导体有源层的中部，绝缘保护层设置栅极金属层、源极金属层和漏极金属层的上方。本申请阵列基板上形成的顶栅结构的薄膜晶体管，由于栅极绝缘层对应栅极金属层的位置比对应源极金属层和漏极金属层的位置要高，因而即使是同层形成的栅极金属层、源极金属层和漏极金属层，也可以保证改善栅极金属层、源极金属层和漏极金属层的短接问题
阵列显示面板显示装置

[发明专利]一种阵列结构及其制作方法、阵列基板和显示装置-CN201310571411.1有效
发明人：史大为;冀新友;李付强;郭建 -专利权人：北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2013-11-15 - 公布日： 2017-02-01 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：本发明公开了一种阵列结构及其制作方法、基于该阵列结构的阵列基板和显示装置，其中阵列结构的制作方法是在栅绝缘层上形成源漏极金属层之前还包括对源漏极金属信号接入端子所在位置对应的栅绝缘层进行刻蚀，在栅绝缘层上形成过孔结构；或者在栅绝缘层上形成源漏极金属层之后还包括在源漏极金属信号接入端子所在位置对应的源漏极金属层上形成过孔结构，过孔结构的两侧具有缓和的斜坡。通过对源漏极金属层下方的栅绝缘层进行刻蚀，降低源漏极金属层上方的导电膜层的高度；或者对源漏极金属层进行刻蚀，形成两侧具有缓和斜坡的过孔结构，交替布线中SD基和Gate基上方的ITO高度相同，使得导电球受力更加均匀
一种阵列结构及其制作方法显示装置

[发明专利]一种显示基板及其制造方法、显示装置-CN202111002703.4在审
发明人：蔡璐;张瑞卿;王强;王旭东;金文强;徐国芳;景国栋;田刚;郭强;王旭;徐东;李春波;刘乐;刘静;李子华 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本公开提供一种显示基板及其制造方法、显示装置，所述显示基板包括衬底基板及由靠近所述衬底基板一侧向远离所述衬底基板一侧依次设置的源漏金属层、平坦层和电极层，所述源漏金属层至少包括被所述平坦层覆盖的第一源漏金属图案和未被所述平坦层覆盖的第二源漏金属图案，其中所述电极层包括电极图案及遮挡图案，所述电极图案位于所述平坦层之上；所述遮挡图案直接覆盖于至少部分所述第二源漏金属图案之上，并沿着所述第二源漏金属图案的图案边沿设置。本公开实施例的显示基板及其制造方法、显示装置，能够解决源漏金属图案在电极层刻蚀时出现侧面缺陷而导致不良的技术问题。
一种显示及其制造方法显示装置

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