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[发明专利]半导体器件的制造方法以及半导体处理系统-CN201810648614.9有效
发明人：陈裕凯;钟佳宏;高克斌;叶书佑;吴立仁;柯智佑;林明鸿 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-06-22 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：方法包含以下步骤。在光刻工具中的衬底上形成光刻胶层。使光刻胶层在光刻工具中曝光以形成曝光光刻胶层。通过使用显影剂使曝光光刻胶层显影以在光刻工具中形成图案化光刻胶层。将显影剂的氨气副产物从光刻工具中移除。
半导体器件制造方法以及半导体处理系统

[发明专利]一种芯片、半导体器件及其制备方法-CN201911074932.X在审
发明人：余兴;蒋维楠 -专利权人：芯盟科技有限公司;浙江清华长三角研究院
申请日： 2019-11-06 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：半导体器件及其制备方法；其中，所述芯片的制备方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成若干堆叠的层结构，所述层结构至少包括：走线层、介质层、以及在远离所述衬底的最外侧形成的焊垫互连层；所述走线层以及所述介质层上分别具有通过光刻工艺形成的导电连接图案；所述焊垫互连层上具有通过光刻工艺形成的焊垫图案；其中，各所述层结构的光刻工艺采用两块以上掩模版进行拼接曝光形成；在所述走线层以及所述介质层的光刻工艺中，任意两掩模版的拼接边上不具有所述导电连接图案；在所述焊垫互连层的光刻工艺中
一种芯片半导体器件及其制备方法

[发明专利]光刻前晶圆预处理方法和系统-CN202310848583.2在审
发明人：朱祎明;朱琪;李文亮 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2023-07-11 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请提供一种光刻前晶圆预处理方法和系统，该方法包括：步骤S1，对晶圆进行弱酸清洗处理；步骤S2，对晶圆进行高温烘烤处理；步骤S3，对晶圆进行冷却处理，而后即刻实施光刻制程。通过本申请，可以消除或减弱因碱性物质存在导致的光刻缺陷情况，确保光刻工艺的稳定性。
光刻前晶圆预处理方法系统

[发明专利]在第一次光刻工艺中对准方形晶圆的方法-CN201310485162.4有效
发明人：孔庆峰;郭金霞;马平;王丽;刘志强;伊晓燕;王军喜;王国宏;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-10-16 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种在第一次光刻工艺中方形晶圆对准的方法。该方法包括：步骤A，在对方形晶圆进行第一次曝光的掩模板上掩模图形的外围，制备对准标记；步骤B，在第一次曝光工艺中，利用掩模板上的对准标记，将方形晶圆限定在预设区域内，由掩模图形对方形晶圆进行曝光；以及步骤C，在第二次曝光工艺以及后续曝光工艺中，利用前一次光刻工艺留下的对准标记对方形晶圆进行对准。
第一次光刻工艺对准方形方法

[发明专利]一种用于优化光刻工艺的方法及装置、计算机存储介质-CN202110712768.1在审
发明人：范泰安;韦亚一;粟雅娟;董立松 -专利权人：广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
申请日： 2021-06-25 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明能够提供一种用于优化光刻工艺的方法及装置、计算机存储介质。该方法包括如下步骤：获取目标光刻胶的数据，目标光刻胶的数据包括光刻胶空间数据和光刻胶成分数据；根据该光刻胶空间数据对目标光刻胶占据的空间进行分割，以确定多个单元块。每个单元块上均设置有格点；根据光刻胶成分数据确定目标光刻胶上各个格点位置处的原始状态信息，根据预设工艺参数和原始状态信息确定经过曝光后的目标光刻胶上各个格点位置处的当前状态信息；通过当前状态信息预测显影后的目标光刻胶形貌；本发明能够提前预测出显影后的光刻胶形貌，以指导和优化实际光刻工艺，并有助于对新品种或新类型光刻胶的研发，推进研发进度和降低研发成本。
一种用于优化光刻工艺方法装置计算机存储介质

[发明专利]一种半导体光刻工艺-CN202211673735.1在审
发明人：刘斌;王向谦;谢明玲;谭稀;宋玉哲 -专利权人：甘肃省科学院传感技术研究所
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体光刻工艺，涉及半导体制造技术领域，该半导体光刻工艺包括以下步骤：步骤一：衬底的准备；步骤二：涂抹光刻胶；步骤三：软烘干处理；步骤四：曝光及显影；步骤五：硬烘干处理。并通过等离子体剥离的方式能够对衬底上的无机物和聚合物沉积物进行清洁，使得对衬底的清洁效果更好，并通过DELO‑MONOPOX单组分环氧胶粘合促进剂的涂抹，在提高衬底附着能力的同时，还具备着导热，绝缘的作用，之后通过甩胶法进行光刻胶溶液的涂抹，并在经过软烘干后，对半导体进行曝光和显影，最后通过硬烘干的处理，能够完成对半导体的光刻加工，使得半导体的加工质量有所提高，方便了半导体的使用。
一种半导体光刻工艺

[发明专利]使用相干反斯托克斯拉曼散射(CARS)显微术来表征材料收缩的系统和方法-CN201180072927.0无效
发明人：托马索·巴尔达基尼;鲁宾·扎多因 -专利权人：新港公司
申请日： 2011-08-18 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： G01B9/02 文献下载
摘要：本发明揭示用于在经历经界定光刻工艺的同时测量光敏材料(例如，光致抗蚀剂)的性质(例如，收缩)的系统和方法。所述系统包含适于执行所述光敏材料的经界定光刻工艺的光刻处理系统，以及适于执行所述光敏材料的所述性质的测量的相干反斯托克斯拉曼散射CARS显微术系统。在另一方面中，所述CARS显微术系统适于在通过所述光刻处理系统对所述光敏材料执行所述经界定光刻工艺的同时测量所述光敏材料的性质。在再一方面中，所述CARS显微术系统适于在对所述光敏材料的所述经界定光刻工艺暂停时测量所述光敏材料的性质。另一系统适于在制造所述光敏材料期间执行类似测量。
使用相干斯托克斯拉曼散射 cars 显微表征材料收缩系统方法

[发明专利]光刻工艺的进行方法及半导体制造的方法-CN200810000750.3有效
发明人：张庆裕;林进祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2008-01-11 - 公布日： 2008-11-12 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明涉及一种光刻工艺的进行方法及半导体制造的方法，本发明的一实施例中，提供一衬底包含一光刻胶层，并使光刻胶层曝光。曝光的光刻胶层再进行显影，应用一化学清洗步骤于此曝光的光刻胶层。此化学清洗步骤包含以一醇基的清洗溶液清洗衬底后，将衬底旋转风干。
光刻工艺进行方法半导体制造

[发明专利]最小化CD蚀刻偏差的方法-CN200780029905.X有效
发明人：贾森·普卢姆霍夫;苏尼尔·斯里尼瓦桑;大卫·约翰逊;鲁塞尔·韦斯特曼 -专利权人：奥立孔美国公司
申请日： 2007-08-07 - 公布日： 2009-08-05 - 主分类号： G03F1/08 文献下载
摘要：本发明提供一种用于在具有薄膜的光刻基板的等离子体蚀刻工艺期间改善临界尺寸性能的方法。使用第一组工艺条件将钝化膜沉积到光刻基板上。使用第二组工艺条件从光刻基板蚀刻沉积膜。使用第三组工艺条件蚀刻光刻基板的暴露表面。在光刻基板的等离子体工艺期间，监视光刻基板的临界尺寸性能，以确保通过调整光刻基板的沉积和等离子体蚀刻工艺而获得目标均匀性和特征宽度。
最小化 cd 蚀刻偏差方法

[发明专利]用于在光刻工艺中照明的白光源和照明设备-CN201980075519.7在审
发明人：金汉镀;金炳旬;崔荣植;朴漌烈;朴恩美;崔容善 -专利权人： GLBTECH株式会社
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于在光刻工艺中照明的白光源和照明设备，更特别地，涉及一种用于在光刻工艺中照明，并且即使在光刻工艺中使用有限波长的光的情况下也能够实现白光的白光源和照明设备。公开了一种用于照明执行光刻工艺的曝光室的白光照明设备，该设备包括白光源，该白光源包括：发射峰值波长为450nm至490nm的蓝色发光二极管元件；以及对该蓝色发光二极管元件进行封装的封装层，其中在该封装层中分布与蓝色发光二极管元件一起实施白光发射的一个或多个磷光体以及封阻具有光刻工艺中使用的波长的光的封阻剂，从而形成波长为450nm至490nm的第一峰值区域以及与第一峰值区域结合实现白光发射的第二峰值区域，并且限制光刻工艺中使用的波长。
用于光刻工艺照明白光照明设备

[发明专利]采用应力记忆技术的半导体器件的制造方法-CN202010336966.8有效
发明人：麻尉蔚;孙超;陆尉;徐晓林;曹亚民;周维 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2020-04-26 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用应力记忆技术的半导体器件的制造方法，包括步骤：步骤一、形成正面栅极结构；步骤二、形成侧墙，包括第一氮化硅侧墙，第一氮化硅侧墙对应的第一氮化硅层也覆盖在半导体衬底的背面的第一多晶硅层背面；步骤三、正面生长第二氮化硅层；步骤四、在完成应力转移后进行氮化硅材料刻蚀，包括：步骤41、进行正面单片湿法刻蚀；步骤42、进行酸槽湿法刻蚀将正面的第二氮化硅层完全去除以及将背面的第一氮化硅层保留部分厚度；步骤五、完成后续工艺，后续工艺中的后段工艺包括多次光刻工艺和对应的光刻前清洗工艺，背面保留的第一氮化硅层用于在清洗工艺中对半导体衬底的背面的第一多晶硅层进行保护。本发明能提高后段光刻工艺的平整度，提高产品良率。
采用应力记忆技术半导体器件制造方法

[发明专利]金属层光刻工艺热点的修复方法-CN202010884271.3在审
发明人：何大权;陈翰;赵宝燕 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： G03F1/72 文献下载
摘要：本发明提供了一种金属层光刻工艺热点的修复方法，包括以下步骤：S1：提供用于形成金属层的掩膜版图形，掩膜版图形中具有若干工艺热点区域，所述工艺热点区域包括对应金属线的第一区域及对应接触孔的第二区域；执行步骤S2，S2：获取所述第一区域的边缘线中与第二区域之间的距离小于第一设定值的部分作为扩展线段；执行步骤S3，S3：将所述扩展线段向外移动第二设定值以扩大所述第一区域，并更新所述掩膜版图形；S4：对更新后的掩膜版图形进行仿真；S5：当仿真失败时，则返回步骤S3，当仿真通过或仿真的次数达到第三设定值时，输出最新的所述掩膜版图形。本发明的金属层光刻工艺热点的修复方法可以提升金属层光刻工艺热点的修复效率。
金属光刻工艺热点修复方法

[发明专利]一种通过双重图形技术增加高深宽比光刻工艺窗口的方法-CN201710987040.3在审
发明人：张涛;王晓龙;李德建;吴鹏 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-10-20 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提出一种通过双重图形技术增加高深宽比光刻工艺窗口的方法，包括下列步骤将光刻的工艺要求分割成两次光刻的组合；利用第一光罩对工艺图形进行第一次光刻处理；利用第二光罩对工艺图形进行第二次光刻处理；其中，所述第一光罩和第二光罩组合形成的工艺窗口图形为工艺要求的像素尺寸，所述第一光罩和第二光罩为1D沟槽图形光罩。本发明提出的通过双重图形技术增加高深宽比光刻工艺窗口的方法，针对高深宽比的层次，当像素尺寸逐渐减小，目标线宽减小的情况下，采用双重图形技术将1层2D点图形拆成2层1D沟槽图形同时结合PSM光罩的工艺方式，增加高深宽比层次的工艺窗口。
一种通过双重图形技术增加高深光刻工艺窗口方法

[发明专利]覆盖形貌的光学临近效应修正方法-CN201010568915.4有效
发明人：陈福成;阚欢 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2010-12-02 - 公布日： 2012-06-06 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种覆盖形貌的光学临近效应修正方法，包括步骤：设计一组测试图形，测量当前层光刻胶图形对前层刻蚀图形的各覆盖尺寸测量值；根据各覆盖尺寸测量值、并结合光刻工艺和电性能确定当前层光刻胶图形覆盖前层刻蚀图形的覆盖尺寸规格值；根据覆盖尺寸规格值对各当前层线条图形的光刻尺寸进行调整，使当前层线条图形覆盖各不同光刻尺寸的前层线条图形覆盖尺寸都大于或等于覆盖尺寸规格值。本发明能够提高当前层光刻胶图形对前层刻蚀图形的覆盖能力、有效保证前层刻蚀图形的不同光刻尺寸的前层线条图形对应的覆盖尺寸都大于覆盖尺寸规格值，使后续的光刻工艺和电学性能满足工艺要求。
覆盖形貌光学临近效应修正方法

[发明专利]一种提升光刻胶阻挡高能注入能力的方法-CN201810612125.8在审
发明人：袁华;陈志刚;刘隽瀚 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2018-06-14 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种提升光刻胶阻挡高能注入能力的方法，在光刻工艺中先在硅片表面形成一有机涂层，再在所述有机涂层上涂布光刻胶，所述有机涂层的溶质材料为醇解度在87％～89％的聚乙烯醇。本发明在传统的光刻工艺中，在光刻胶涂布之前先增加一有机涂层，利用该有机涂层的特性对后续离子注入进行有效地阻挡，从而不需要增加光刻胶的厚度就可以达到满足要求的阻挡离子注入的能力，并且整个工艺不牺牲光刻工艺聚焦深度，也减少了光刻胶显影时发生倒胶的风险。
有机涂层光刻胶光刻工艺阻挡离子光刻胶涂布硅片表面聚乙烯醇溶质材料传统的醇解度有效地倒胶显影聚焦