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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]光刻导轨设备中分立式热板系统-CN200710094134.4无效
发明人：王雷;黄玮 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2007-10-12 - 公布日： 2009-04-15 - 主分类号： G03F7/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种光刻导轨设备中分立式热板系统。和现有的普通单一热板不同，本发明由许多分立的可以单独控制温度的热板组合形成。因为光刻工艺的表现和热板温度有直接联系，通过分立式热板对硅片不同区域分别加热，局部控温精度更好而且整体分布可控。使用了本发明的分立式热板系统后，可以大大提高光刻工艺中涂胶、显影工艺的硅片面内均一性，尤其对于越大尺寸的硅片效果越明显。同时通过分立式热板系统可以分区域控温，通过加热冷却来升高或降低热板温度以影响光刻工艺的特性，可以通过在光刻工艺中引入温度分布来降低前工程(如薄膜成长，化学机械抛光等)引入的硅片不均匀导致的光刻工艺窗口缩小，从而增加了光刻工艺窗口。
光刻导轨设备中分立式系统

[发明专利]提高多层布线通孔光刻工艺容宽的方法-CN201310700465.3有效
发明人：张世权 -专利权人：无锡中微晶园电子有限公司
申请日： 2013-12-18 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高多层布线通孔光刻工艺容宽的方法，其特征是，包括以下工艺步骤：（1）根据圆片上高、低台阶的图形制作第一通孔版和第二通孔版；（2）在需要进行通孔光刻的圆片表面涂上光刻胶；（3）采用第一通孔版对高台阶部位进行曝光，高台阶部位的光刻孔均处于同一高度、与焦距位置f1一致，曝光后尺寸一致性较好；（4）采用第二通孔版对低台部位进行曝光，低台阶部位的光刻孔均处于同一高度、与焦距位置f2一致，曝光后一致性较好；（5）显影后分别在圆片的高台阶部位和低台阶部位形成光刻孔图形，经过腐蚀形成所需的光刻孔。本发明提高了光刻孔光刻工艺容宽，保证光刻孔光刻工艺的稳定性和可重复性。
提高多层布线光刻工艺方法

[发明专利]闪存产品自对准光刻工艺测试方法-CN201410844354.4有效
发明人：熊鹏;邓咏桢;康军 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2014-12-26 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种闪存产品自对准光刻工艺测试方法，包括：第一步骤：利用闪存产品的制造工艺制造测试键结构；第二步骤：对测试键结构的电阻参数值进行测量，并且根据测量到的电阻参数值来判断自对准光刻工艺下与浮栅关联的氮化硅层的关键尺寸的精确度以及与浮栅关联的氮化硅层的前后掩模版对准情况
光刻工艺自对准闪存氮化硅层电阻浮栅测量关联测试制造测试制造工艺测试键键结构掩模版对准

[发明专利]半导体板构件-CN201010232391.1无效
发明人：李相侑;白智钦;金秀烘;刘昌佑;尹星云 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2007-09-20 - 公布日： 2010-12-08 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：一种使用各向同性蚀刻来形成精细图案的方法包括以下步骤：在半导体基片上形成蚀刻层，并且在所述蚀刻层上涂覆光致抗蚀剂层；对涂覆有所述光致抗蚀剂层的所述蚀刻层进行光刻工艺，并且对包括通过所述光刻工艺形成的光致抗蚀剂图案的所述蚀刻层进行第一各向同性蚀刻工艺；在包括所述光致抗蚀剂图案的所述蚀刻层上沉积钝化层；以及对所述钝化层进行第二各向同性蚀刻工艺。在不去除所述钝化层的所述预定部分的情况下直接进行所述第二各向同性蚀刻工艺。
半导体构件

[发明专利]用各向同性蚀刻来形成精细图案的方法-CN200780036512.1无效
发明人：李相侑;白智钦;金秀烘;刘昌佑;尹星云 -专利权人： LG麦可龙电子公司
申请日： 2007-09-20 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： H01L21/3063 文献下载
摘要：一种使用各向同性蚀刻来形成精细图案的方法包括以下步骤：在半导体基片上形成蚀刻层，并且在所述蚀刻层上涂覆光致抗蚀剂层；对涂覆有所述光致抗蚀剂层的所述蚀刻层进行光刻工艺，并且对包括通过所述光刻工艺形成饿光致抗蚀剂图案的所述蚀刻层进行第一各向同性蚀刻工艺；在包括所述光致抗蚀剂图案的所述蚀刻层上沉积钝化层；以及对所述钝化层进行第二各向同性蚀刻工艺。在不去除所述钝化层的所述预定部分的情况下直接进行所述第二各向同性蚀刻工艺。
各向同性蚀刻形成精细图案方法

[发明专利]显示装置、阵列基板及其制造方法-CN201210119036.2有效
发明人：刘翔 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2012-04-20 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明在所述制造方法中，仅通过三次光刻工艺，即可形成所需要的图案，其中，通过一次光刻工艺就形成了包括半导体层图案和刻蚀阻挡层图案，相比于现有技术采用两次光刻工艺分别形成半导体层图案和刻蚀阻挡层图案的方法，能够减少一次光刻工艺，从而可以大大降低成本并提高生产效率。
显示装置阵列及其制造方法

[发明专利]用于无掩模光刻系统的通用计量文档、协议及处理-CN201980101225.7在审
发明人：塔纳·科斯;陈正方;道格拉斯·约瑟夫·万·迪恩·布鲁克 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-10-08 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本公开内容的实施方式涉及一种光刻工艺的系统、软件应用程序及方法，利用光刻环境的每个部件可读取的文档来更新掩模图案、无掩模光刻装置参数、光刻工艺参数之中的一者或多者。光刻环境的每个部件可读取的文档储存并共享文本资料，并促进光刻环境的各个部件之间的通信，从而更新对应于要写入的图案的掩模图案，校准光刻环境的无掩模光刻装置，以及校正光刻工艺的工艺参数，以在连续的基板上精确地写入掩模图案
用于无掩模光刻系统通用计量文档协议处理

[发明专利]确定光刻工艺窗口的方法-CN201110250279.5无效
发明人：毛智彪;王剑;戴韫青 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-08-29 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提出一种确定光刻工艺窗口的方法，即一种通过对柏桑（Bossung）曲线和光刻胶线条顶部和底部线宽比的综合考量来确定光刻工艺窗口的方法。其步骤如下：用扫描式电子显微镜分别量测在不同曝光区内的选定的光刻胶线条的顶部和底部的线条线宽；计算在不同曝光区内的选定的光刻胶线条顶部和底部的线宽比；并根据可接受的底部线条线宽和光刻胶线条顶部和底部的线宽比的标准确定可用于生产的曝光量和离焦量范围本发明涉及的方法通过增加光刻胶线条顶部和底部的线宽比的条件，避免了线宽满足标准但光刻胶形貌不能满足刻蚀的情况，提高了光刻工艺窗口的准确性，保证了产品的良率和质量，非常适于实用。
确定光刻工艺窗口方法

[发明专利]连接孔的制作方法-CN200910197131.2有效
发明人：邹立;罗飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-10-13 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种连接孔的制作方法，包括如下步骤：提供基底；在基底上沉积介电层；采用光刻工艺，在介电层上形成光刻胶图案；以光刻胶图案为掩模干法刻蚀介电层出露基底，形成通孔，剥离光刻胶图案；采用PECVD工艺在介电层表面以及通孔侧壁、底部沉积修复层；采用回刻工艺去除部分修复层，出露基底，形成连接孔。采用上述方法，能对通孔侧壁顶部的缺失进行弥补，确保连接孔的开口尺寸符合工艺要求，满足电学隔离的需求。
连接制作方法

[发明专利]一种碳化硅功率件中钝化结构的制备方法-CN202210225676.5在审
发明人：周宏伟;高建宁;何欢;潘敏智 -专利权人：乐山无线电股份有限公司
申请日： 2022-03-07 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明一种碳化硅功率件中钝化结构的制备方法，主要包括以下步骤：步骤1、在芯片上淀积PA钝化层；步骤2、在PA钝化层之上涂布PI钝化层，并进行曝光、显影处理；步骤3、将所述步骤2得到的物料进行烘干处理；步骤4、将步骤3烘干后的物料进行刻蚀处理，漏出金属层。本发明公开了碳化硅功率件中钝化结构的制备方法，简化了传统的两次光刻工艺过程，一次光刻工艺即可完成，且不需要使用额外的光刻胶，降低了原料成本，绿色环保；步骤简单，有效地减小了质量控制的难度，便于推广应用。
一种碳化硅功率钝化结构制备方法

[发明专利]增强斜角离子注入阻挡能力的方法-CN201010027219.2有效
发明人：何伟明;董科 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2010-01-05 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： H01L21/266 文献下载
摘要：本发明公开了一种增强斜角离子注入阻挡能力的方法，通过多步光刻工艺形成阶梯状剖面，其中，光刻步骤大于等于2；该方法包括如下步骤：(1)第一步光刻，包括光阻涂布，曝光形成阻挡图形，显影后光阻厚度为T0；(2)紫外线照射或者高温烘烤形成表面固化层；(3)第二步光刻，包括光阻涂布，曝光形成更大尺寸的阻挡图形，形成阶梯状剖面，显影后光阻厚度为T0+T1；之后还可以增加光刻步骤，最终形成的光阻厚度为T0+T1+…该方法通过多步光刻工艺形成阶梯状剖面，在增强非注入区域抗阻挡能力的同时并不会改变注入角度和效果。
增强斜角离子注入阻挡能力方法

[发明专利]触控面板、触控显示装置及制作触控面板的方法-CN201811293794.X有效
发明人：陈智伟;周玫伶;庄尧智 -专利权人：瀚宇彩晶股份有限公司
申请日： 2018-11-01 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本发明公开了一种触控面板的制作方法包括以下步骤。在一基板上形成多个第一感测电极，第一感测电极包括一金属网格结构，且金属网格结构的制作方法包括以下步骤。首先在基板上形成一金属层，其中金属层的材料包括银。接着，在金属层的一表面上形成一光刻胶层，其中光刻胶层的材料包括硫。然后，对光刻胶层进行一光刻工艺以形成图案化光刻胶层。接着，以图案化光刻胶层作为掩模进行蚀刻工艺以形成金属网格结构。其中在形成光刻胶层之后，金属层中的银会与光刻胶层中的硫反应形成一硫化银层。
面板显示装置制作方法

[发明专利]一种用于3DNAND闪存的台阶结构成形工艺-CN201711166879.7在审
发明人：陈子琪 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2017-11-21 - 公布日： 2018-04-27 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于3D NAND闪存的台阶结构成形工艺，所述工艺包括如下步骤在衬底堆叠结构沉积形成第一掩膜层，通过光刻工艺形成掩膜图案；竖直向下刻蚀形成第1级台阶，沉积形成第二掩膜层，所述第二掩膜层包括形成于第竖直向下刻蚀第二掩膜层，直至露出所述剩余堆叠层上表面，且所述侧墙掩膜的厚度等于设计的每级台阶面的宽度；竖直向下刻蚀形成第2级台阶，重复沉积形成第二掩膜层、竖直向下刻蚀第二掩膜层和竖直向下刻蚀形成第2级台阶的步骤本发明方法中一道光刻工艺条件下可形成更多台阶结构，有利于减少3D NAND制造中的光刻工艺步骤，降低工艺成本。
一种用于 dnand 闪存台阶结构成形工艺

[发明专利]LDMOS晶体管中的沟道形成方法-CN200810043984.6无效
发明人：陈华伦;罗啸;熊涛;陈瑜;陈雄斌 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2008-11-24 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明的LDMOS晶体管中的沟道形成方法，在硅衬底上进行深阱注入之后，包括如下步骤：1)在硅表面生长一厚氧化层作为阻挡层；2)利用光刻工艺进行定义有源区，并以光刻形成的光刻胶图案为掩膜，刻蚀所述氧化层至硅表面，后去除光刻胶；3)氧化使裸露的硅表面覆盖一薄层氧化硅，接着利用光刻工艺定义出基区，以所形成的光刻胶图案为掩膜，进行离子注入形成基区，所述基区即为所述LDMOS晶体管的沟道。
ldmos 晶体管中的沟道形成方法

[发明专利]用于光致抗蚀剂的光刻工艺和极紫外（EUV）光刻工艺-CN202310002615.7在审
发明人：李贤宰;安希乘;朴仁性;韩允珠 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-01-03 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：提供了用于光致抗蚀剂的光刻工艺和极紫外(EUV)光刻工艺。所述EUV光刻工艺包括以下步骤：使用掩模顺序地对分别位于基底的第一区域至第四区域上的第一光致抗蚀剂区域至第四光致抗蚀剂区域进行光刻图案化。在光刻图案化的步骤期间，使用掩模将位于基底的第一区域上的对准区域的至少部分暴露于EUV光至少三次。
用于光致抗蚀剂光刻工艺紫外 euv

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