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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]形成图案的方法-CN200710001495.X无效
发明人： 林思闽 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2007-01-10 - 公布日： 2008-07-16 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明揭示一种形成图案的方法，包括下列步骤。提供一基板，基板包括一待蚀刻层；形成一第一抗蚀剂层于基板上；将第一抗蚀剂层的顶部图案化；形成一第二抗蚀剂层于图案化的第一抗蚀剂层上；移除一部分的第二抗蚀剂层；及蚀刻第二抗蚀剂层、第一抗蚀剂层、及待蚀刻层。使用本发明的方法，可形成微细图案，但是所使用的抗蚀剂层厚度不会太薄，因此，不会产生抗蚀剂层与基板的黏着问题，而且抗蚀剂层不会有不耐蚀刻而不能保护下层结构的问题。
形成图案方法

[发明专利]非破坏性检测线宽粗糙现象的方法-CN200610127480.3无效
发明人：孙介伟;洪文凯;林思闽 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2006-09-15 - 公布日： 2008-03-19 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种非破坏性检测线宽粗糙现象的方法。先提供一晶片，具有一测试键区域，其内设有多条格栅。接着，将该晶片置于光谱关键尺寸检测机台中，其配备有光源、侦检器及数据处理运算单元。使该光源所发射出的一极化光线，照射在该格栅上面，量测反射光线，将光谱数据储存在该数据处理运算单元内。将该光谱数据与一数据库进行比对分析，该数据库具有以接触洞模式建立的理论光谱数据，且该理论光谱数据含有描述不同线宽粗糙现象的参数。再将该光谱数据与数据库的各该理论光谱数据比对，找出最契合者，获得描述实际线宽粗糙度情形的该参数。
破坏性检测粗糙现象方法

[发明专利]移动气泡的方法-CN200610108231.X无效
发明人：侯雅菁;曾焕廷;林思闽;卢柏州;黄永发;尤春祺 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2006-08-01 - 公布日： 2008-02-06 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种移动气泡的方法，利用激光镊夹于光致抗蚀剂层中产生光致抗蚀剂层亮区和光致抗蚀剂层暗区，使得光致抗蚀剂层中的气泡，从光致抗蚀剂层亮区移往光致抗蚀剂层暗区。
移动气泡方法

[发明专利]浸润式光刻技术的方法-CN200610075346.3无效
发明人： 林思闽 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2006-04-10 - 公布日： 2007-10-17 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种浸润式光刻技术的方法，在施用浸润液(体)的同时，利用一预先处理程序，经由(区域性地)预先处理部分晶片表面，而使得被处理的晶片表面可轻易被后续施用的浸润液(体)所湿润。该预先处理程序包括使用一预先处理液(体)或进行一表面处理程序，以帮助强化晶片或光致抗蚀剂表面的特定区域对浸润液(体)的可湿性或亲水性。
浸润光刻技术方法

[发明专利]湿浸式光刻工艺的控制方法及其操作系统-CN200610071523.0有效
发明人：黄永发;林思闽;尤春祺;曾焕廷;卢柏州 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2006-03-29 - 公布日： 2007-10-03 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明的湿浸式光刻工艺的操作系统是依据晶片完成湿浸式光刻曝光后等候烘烤的状况来调整将晶片导入湿浸式光刻工艺的速度，以使得已完成曝光的晶片得以有效率且即时地烘烤。
湿浸式光刻工艺控制方法及其操作系统

[发明专利]提高半导体工艺的对准精确度的方法及开口的形成方法-CN200610019848.4无效
发明人： 林思闽 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2006-03-01 - 公布日： 2007-09-05 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：一种提高半导体工艺的对准精确度的方法，适用于光刻工艺中，此光刻工艺是针对覆盖有硬掩模的介电层所进行的，其中介电层底下形成有对准标记。其特征在于硬掩模具有一吸收指数及一厚度，且吸收指数与厚度的乘积是在100～750之间。因此，可决定出较佳的厚度范围，以提高对准精确度。
提高半导体工艺对准精确度方法开口形成

[发明专利]半导体曝光方法与操作半导体曝光装置的方法-CN200610051414.2无效
发明人： 林思闽;李修申 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2006-02-24 - 公布日： 2007-08-29 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：一种半导体曝光方法，适于利用一曝光机台对一晶片进行曝光。这种曝光机台至少是由一曝光镜头、用来承载晶片的一承载台以及一液体循环装置构成，其中液体循环装置在曝光期间于曝光镜头与晶片之间供应一液体，其特征在于，曝光前，利用至少一对准光源对承载台进行一对准操作，其中对准光源具有一特定波长，使液体挥发时对对准光源的影响降至最低，以防止液体影响前述对准操作。
半导体曝光方法操作装置

[发明专利]设计掩模的方法-CN200510089328.6有效
发明人：谢铭峰;林思闽;尤春祺;刘建新 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2005-08-02 - 公布日： 2007-02-07 - 主分类号： G03F1/16 文献下载
摘要：本发明提供一设计掩模(mask)的方法。首先，包括至少一个条状图案的主要图形在掩模衬底上形成，而转移机构(shift feature)附加在条状图案的一端。在主要图形的线端与线端之间的最后临界尺寸(critical dimension)可借由调整转移机构的相移量(phase shift)或透光率(optical transmission)，或两者同时调整以最佳化。因此可改善主要图形中条状图案尾端的回拉现象(pullback)。
设计方法

[发明专利]掩模的制造方法与图案化制造方法-CN200510054317.4无效
发明人： 林思闽 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2005-03-08 - 公布日： 2006-09-13 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种掩模的制造方法，此方法先于掩模材料层上形成图案化的牺牲层，且此图案化的牺牲层与掩模材料层具有不同的蚀刻选择性。然后，以图案化的牺牲层为掩模，对掩模材料层进行各向同性蚀刻工艺而形成掩模层，此掩模层的尺寸小于图案化的牺牲层的尺寸。
制造方法图案

[发明专利]应用在湿浸式光刻工艺中的湿浸介质-CN200510054310.2无效
发明人： 林思闽 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2005-03-08 - 公布日： 2006-09-13 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种应用在湿浸式光刻工艺中的湿浸介质，其中该湿浸介质填满在由一步进机的成像透镜的前表面与一光致抗蚀剂层的上表面所定义的间格空隙中，其特征在于该湿浸介质的pH值与该光致抗蚀剂层的pH值匹配，藉此避免由于该光致抗蚀剂层照光产生光酸由该光致抗蚀剂层渗出到该湿浸介质中所产生的影响。
应用湿浸式光刻工艺中的介质

[发明专利]图案光刻胶的微缩制造过程-CN03120287.X有效
发明人：张尚文;陈家桢;刘家助;林思闽;陈正中 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2003-03-10 - 公布日： 2004-09-22 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种图案光刻胶的微缩制造过程，包括：提供一半导体衬底，其上具有一光刻胶层；藉由一光学光刻工序形成多个具有第一线宽的图案光刻胶于半导体衬底上；进行一酸化工序以形成一具有酸性物质的扩散层于多个图案光刻胶上；进行一再烘烤工序以使扩散层内的酸性物质扩散至多个图案光刻胶中，同时使得酸性物质与位于其扩散深度内的多个图案光刻胶进行一链锁反应以形成多个化学反应层于多个图案光刻胶的表层中，其中，多个图案光刻胶中的酸性物质的扩散深度是取决于酸化工序的酸性物质的扩散速率；以及进行一再显影工序以去除多个化学反应层并形成多个具有第二线宽的图案光刻胶于半导体衬底上。其中上述的所有工序是藉由原位反应的方式进行的。
图案光刻微缩制造过程

[发明专利]一种缩小元件临界尺寸的方法-CN03109335.3有效
发明人： 林思闽;黄慧玲 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2003-04-07 - 公布日： 2004-06-16 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供一种缩小半导体元件临界尺寸的方法，包含有下列步骤：于一半导体层上形成一光阻层，其已至少经过曝光显影处理，构成一暴露出部分该半导体层的第一图案；进行一全面曝光(blanket exposure)步骤，以该光阻层可吸收光波长的光线照射该光阻层以及暴露出的该半导体层，以提供该光阻层一预定能量，产生光质子酸；进行一第一热制程，使前一步骤中在该光阻层产生的光质子酸进行炼反应，并且均一化该光阻层的玻璃转化温度(T_g)；然后进行一第二热制程，其中该第一热制程是在一低于该玻璃转化温度(T_g)的温度下进行的。
一种缩小元件临界尺寸方法

[发明专利]对准标记的位置设计-CN02158461.3无效
发明人：刘家助;林思闽 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2002-12-26 - 公布日： 2004-06-16 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种对准标记的位置设计，应用在已具有多层结构之基底上，此对准标记的位置设计是将对准标记设置在基底上的第一介电层中，并在第一介电层下方的另一层介电层中设置金属图案层，其中金属图案层是由多条长条形金属线所构成，并且此些长条形金属线之间的一间距小于对准用光线的波长。
对准标记位置设计

[发明专利]应用多层光致抗蚀剂层结构的光刻工艺-CN02156379.9有效
发明人： 林思闽;张尚文;刘家助;陈正中 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2002-12-18 - 公布日： 2004-02-04 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：一种应用多层光致抗蚀剂层结构的光刻工艺，其首先在一衬底上形成一第一光致抗蚀剂层，并且在第一光致抗蚀剂层上形成一抗反射层，在抗反射层上形成一第二光致抗蚀剂层。接着，对第二光致抗蚀剂层进行一第一曝光工艺之后，进行一第一显影工艺，以构图第二光致抗蚀剂层以及抗反射层。之后，以第二光致抗蚀剂层与抗反射层为掩模，进行一第二曝光工艺以及一第二显影工艺，以构图第一光致抗蚀剂层。
应用多层光致抗蚀剂层结构光刻工艺

[发明专利]相移转光罩的结构-CN03121652.8有效
发明人： 林思闽 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2003-03-13 - 公布日： 2004-01-14 - 主分类号： G03F1/08 文献下载
摘要：本发明揭示一种相移转光罩的结构。该相移转光罩包含一石英层与多组穿透率调节区域位于石英层之上。藉由使用该相移转光罩，该穿透率调节区域的材质可以不必随着光源的变化而改变不同的材质。此外，根据本发明的相移转光罩具有比现有技术中的双强度光罩与半透式相移转光罩更高的对比度。所以，本发明可以提供一种更有效率的光罩，而且根据本发明的相移转光罩可以改善微影制程的解析度。
相移转光罩结构

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