专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]形成半导体装置的方法及半导体装置-CN202210534933.3在审
  • 李亮;王振裕;张宏光;刘晃;辛格·芬尼尔;杨衍 - 芯合半导体有限公司
  • 2022-05-17 - 2023-10-24 - H01L21/77
  • 本发明具体公开了一种形成半导体装置的方法及半导体装置。该半导体装置包括在其基部共同具有掩埋氧化物层(BOX)的第一晶体管组和第二晶体管组,其中该第一晶体管组具有稀土氧化物。该方法包括以下步骤:在用于该第一晶体管组的第一区域和用于该第二晶体管组的第二区域内的BOX上形成鳍图案;依次在该鳍图案上形成绝缘层、在该绝缘层上形成稀土氧化物层、在该稀土氧化物层上形成第一覆盖层以及在该第一覆盖层上形成第一保护层;在该第一区域中设置第一遮罩;去除该第二区域中的该第一保护层、该第一覆盖层、该稀土氧化物层和该绝缘层。
  • 形成半导体装置方法
  • [发明专利]阵列基板的制作方法及阵列基板-CN202380009342.7在审
  • 钟德镇;张原豪;陶园 - 昆山龙腾光电股份有限公司
  • 2023-05-11 - 2023-10-24 - H01L21/77
  • 本发明公开了一种阵列基板的制作方法及阵列基板,该制作方法包括:在基底上形成扫描线和栅极,覆盖扫描线和栅极的第一绝缘层;在第一绝缘层上形成第一透明导电层和负性光阻层,对负性光阻层进行背面光刻处理,再对第一透明导电层进行第一次蚀刻;在第一绝缘层上依次形成半导体层和正性光阻层,对正性光阻层进行背面光刻处理,再对半导体层进行蚀刻;在第一透明导电层和半导体层上依次形成第二金属层和光阻层,采用半色调掩膜版对光阻层进行正面光刻处理,先对第二金属层进行第一次蚀刻以及对第一透明导电层进行第二次蚀刻,除去半光阻图案层后,再对第二金属层进行第二次蚀刻。从而可以减少掩膜版的数量,简化制作工艺,降低制作成本。
  • 阵列制作方法
  • [发明专利]P沟道DEMOS装置-CN201710266873.0有效
  • 蔡金宇;伊姆兰·汗;吴小菊 - 德州仪器公司
  • 2017-04-21 - 2023-10-20 - H01L21/77
  • 本发明提供一种p沟道漏极延伸金属氧化物半导体DEPMOS装置(100),其包含经掺杂表面层(115)、在所述经掺杂表面层内界定n阱长度及宽度方向的至少一个n阱指形件(1201)。第一p阱(125a)位于所述n阱指形件的一侧上、包含p+源极(126),且第二p阱(125b)位于所述n阱指形件的相对侧上、包含p+漏极(136)。栅极堆叠界定所述n阱指形件的在所述源极(126)与漏极(136)之间的沟道区域(120a)。场电介质层(111)位于所述经掺杂表面层的一部分上,所述部分界定有源区边界、包含第一有源区(140),所述第一有源区(140)具有包含沿着所述宽度方向的第一有源区边界(WD边界)(140a1)的第一有源区边界(140a)。所述n阱指形件包含位于所述WD边界(140a1)的一部分上方的掺杂降低指形件边缘区域(160)。
  • 沟道demos装置
  • [发明专利]一种阵列基板及其制作方法-CN202310914060.3在审
  • 霍英东;荣誉东 - 南昌虚拟现实研究院股份有限公司
  • 2023-07-25 - 2023-10-10 - H01L21/77
  • 本发明提供了一种阵列基板及其制作方法,属于显示面板领域。所述方法在衬底基板上形成具有过孔的第一有机平坦层;在第一有机平坦层上形成第一反射电极层;在第一反射电极层上形成第二有机平坦层;采用研磨设备对第二有机平坦层进行研磨,通过终点探测法以及最大研磨时间确保研磨设备接触到第一反射电极层时即刻停止研磨;在第一反射电极层上形成第二反射电极层以使整体覆盖第一反射电极层及部分第二有机平坦层;针对叠置的第一反射电极层及第二反射电极层采用同一道光罩进行一次刻蚀形成间隔且交替设置的第一像素电极及第二像素电极。通过本申请,可以解决现有技术的填孔工艺导致制程成本高以及无法真正提高过孔处反射电极的像素开口率的问题。
  • 一种阵列及其制作方法
  • [发明专利]一种顶栅结构的In-cell触控面板及制作方法-CN202010382768.5有效
  • 陈伟;黄志杰;苏智昱 - 福建华佳彩有限公司
  • 2020-05-08 - 2023-10-03 - H01L21/77
  • 本发明公开一种顶栅结构的In‑cell触控面板及制作方法,其中制作方法包括:在基板上依次制作有源层、栅极绝缘层、栅极和第一光阻,使用具有透光区、部分透光区、遮光区的灰阶光罩对栅极上的第一光阻进行曝光并显影,保留灰阶光罩的部分透光区和遮光区对应的第一光阻;去除未被保留后的第一光阻覆盖的有源层、栅极绝缘层、栅极;继续涂布第二光阻;使用所述灰阶光罩对第二光阻进行曝光;增大曝光过程中的曝光量或者曝光时间,使得半透光区完全曝光,显影后保留遮光区对应的第二光阻;去除未被第二光阻覆盖的栅极和栅极绝缘层,最后去除栅极区域处的光阻。上述技术方案通过一道灰阶光罩便可以制作数道制程,减少光罩的数量的同时,简化工艺流程。
  • 一种结构incell面板制作方法
  • [发明专利]一种基于全硅基掩膜版的薄膜器件的制备方法-CN201911084206.6有效
  • 包文中;郭晓娇;张海马;周鹏;张卫 - 复旦大学
  • 2019-11-07 - 2023-09-29 - H01L21/77
  • 本发明属于半导体工艺技术领域,具体为一种基于全硅基掩膜版的薄膜器件的制备方法。本发明方法包括:设计及制备硅基掩膜版,硅基掩膜版包括镀膜掩膜版、刻蚀掩膜版,掩膜版上设计有对准标记;准备器件基底,包括基底的选材、清洗、预处理;在器件基底上制备半导体薄膜;用高精度对准平台装置将半导体薄膜材料与相应掩膜版对准,在半导体薄膜上制备器件。本发明通过全程硅基掩膜版制备薄膜器件,不仅器件刻蚀无污染、成本和工艺简单,而且硅基掩模版具有较高重复使用性、高精度、设计自由灵活度高等优势,可实现薄膜器件的集成。
  • 一种基于全硅基掩膜版薄膜器件制备方法
  • [发明专利]转移方法及显示面板-CN202210248997.7在审
  • 盛翠翠 - 成都辰显光电有限公司
  • 2022-03-14 - 2023-09-22 - H01L21/77
  • 本申请提供了一种转移方法及显示面板,所述转移方法包括:提供驱动背板、以及提供设置有多个芯片的供体基板;其中,芯片包括位于背离供体基板一侧的芯片电极,驱动背板包括多个接收区域,每个接收区域设置有露出的接收电极;且芯片电极和/或接收电极的侧面外围设置有缓冲块;使至少部分芯片的芯片电极与接收区域的接收电极相对且间隔设置;使至少部分芯片与供体基板分离,且分离后的芯片掉落至对应位置处的接收区域内;其中,位于芯片和接收区域之间的缓冲块支撑芯片且使得芯片电极与对应位置处的接收电极之间具有间隙;使缓冲块高度降低,并使芯片电极与对应位置处的接收电极电连接。通过上述设计方式,本申请能够提高转移良率。
  • 转移方法显示面板
  • [发明专利]晶片的加工方法-CN202310194299.8在审
  • 中村胜 - 株式会社迪思科
  • 2023-03-01 - 2023-09-08 - H01L21/77
  • 本发明提供晶片的加工方法,能够解决对晶片的背面进行磨削时不再能够适当地磨削晶片的背面的问题。晶片的加工方法包含:背面膜加工工序,将包覆于晶片的背面的背面膜去除或粗糙化;保护部件配设工序,在该背面膜加工工序之前或之后将保护部件配设于晶片的正面;以及背面磨削工序,利用卡盘工作台对该保护部件侧进行保持,并利用磨削磨具对晶片的背面进行磨削而精加工成期望的厚度。
  • 晶片加工方法
  • [发明专利]阵列基板、显示面板及阵列基板的制备方法-CN202310796361.0在审
  • 请求不公布姓名;李祥远;李暻洙;王冰 - 厦门天马显示科技有限公司
  • 2023-06-30 - 2023-09-05 - H01L21/77
  • 本申请公开了一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制备方法。阵列基板包括衬底和阵列层。阵列层包括第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管的第一栅极位于第一有源层远离衬底的一侧,形成顶栅结构。第二晶体管的第二栅极位于第二有源层靠近衬底的一侧,形成底栅结构。阵列层的第一极板和第二极板形成电容,且第一极板和第二栅极同层设置,第一极板和第二栅极能够同步制备。至少部分第二极板和第二有源层同层设置,第二极板和第二有源层能够同步制备。第一极板和第二极板能够分别与第二栅极和第二有源层同步制备,减少显示面板的制程,简化制备工艺,降低成本,提升显示面板良率。
  • 阵列显示面板制备方法
  • [发明专利]带对准标记的基板的制造方法-CN201811015011.1有效
  • 前田昌纪;原义仁;大东彻;今井元;北川英树;伊藤俊克;川崎达也 - 夏普株式会社
  • 2018-08-31 - 2023-09-01 - H01L21/77
  • 缩小配置空间并且提高对准精度。阵列基板(10B)的制造方法具备:第1金属膜形成工序,通过形成第1金属膜(23)并对其进行图案化,形成具有包括开口的下层侧对准标记(39)的下层侧对准标记构成部(40);第2金属膜成膜工序,形成第2金属膜(25);光致抗蚀剂膜形成工序,通过形成光致抗蚀剂膜(41)并对其进行图案化,形成与下层侧对准标记的至少一部分重叠的下层侧对准标记重叠部(42);蚀刻工序,通过选择性地蚀刻并除去第1金属膜(23)和第2金属膜中的与光致抗蚀剂膜的下层侧对准标记重叠部不重叠的部分,形成包括第2金属膜的上层侧对准标记(38);以及光致抗蚀剂膜剥离工序,剥离光致抗蚀剂膜。
  • 对准标记制造方法
  • [发明专利]阵列基板的制作方法及阵列基板-CN202010612848.5有效
  • 李治朝;马冬冬 - 昆山龙腾光电股份有限公司
  • 2020-06-30 - 2023-08-29 - H01L21/77
  • 一种阵列基板的制作方法,包括衬底、第一金属层、栅极绝缘层、半导体层、第二金属层、第一绝缘层、保护层、第一透明电极、第二绝缘层和第二透明电极,在形成保护层后,进行第一次图案化,在保护层和第一绝缘层上形成露出栅极绝缘层的多个第一凹槽;进行第二次图案化,对应第一凹槽在保护层和栅极绝缘层上形成露出衬底的多个第二凹槽;其中,位于第二凹槽两侧未被图案化的区域形成用于对所透过光线进行折射的棱镜柱,棱镜柱包括依次叠置的栅极绝缘层、第一绝缘层以及保护层。本发明通过两次图案化工序,分别对保护层、第一绝缘层和栅极绝缘层进行图案化,在未被图案化区域形成能够对光线进行折射而呈现散射光路的棱镜柱,提高了穿透率及亮度。
  • 阵列制作方法
  • [发明专利]一种通过多次成膜避免短接的阵列基板的制造方法-CN202310228567.3在审
  • 陈伟;金剑辉 - 华映科技(集团)股份有限公司
  • 2023-03-10 - 2023-08-22 - H01L21/77
  • 一种通过多次成膜避免短接的阵列基板的制造方法,包括:在玻璃基板上形成TFT器件,所述TFT器件的绝缘层均采用的是SiOx,并在所述TFT器件上方形成相应的有机平坦层,所述有机平坦层上形成第一绝缘层;图案化出公共电极层;在所述公共电极层上采用PECVD方式沉积一层第二绝缘层作为像素电容,所述第二绝缘层分两次成膜,第一次成膜SiOx绝缘层,第二次成膜SiNx绝缘层,第二次干蚀刻第二绝缘层进行图案化,蚀刻掉未被SiNx保护的下方SiOx。本发明的绝缘层变更膜质搭配,并分两次曝光显影蚀刻,避开同一位置的光阻气泡,可有效避免此制程异常,提高产品良率。
  • 一种通过多次避免阵列制造方法

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