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[发明专利]保护层源-CN202180078270.2在审
发明人：戴维·马萨尤基·石川;叶芝莫兰·朗萨米;基兰·瓦查尼;苏布拉曼亚·P·赫尔勒;吉里什·库马尔·戈帕拉克里希南奈尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-11-16 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C23C14/50 文献下载
摘要：沉积模块包括沿着垂直于行进方向的横向方向并排定位的一对电子束源。
保护层

[发明专利]源层上电镀导电层的方法-CN96101196.3无效
发明人：卢载遇 -专利权人：大宇电子株式会社
申请日： 1996-02-14 - 公布日： 1997-01-08 - 主分类号： C25D5/02 文献下载
摘要：一种在具有已形成图案的源层的衬底上形成导电层的方法，包括下述步骤(a)在己形成图案的源层上和未被已形成图案的源层遮盖的那部分衬底上淀积出介电层；(d)在介电层顶面形成光刻胶层；(e)通过光刻胶层来形成图案构成掩膜；(f)藉助掩膜，对在已形成图案的源层顶面上形成的那部分介电层进行选择性腐蚀，继而显露出形成图案的源层；(g)在裸露的已形成图案的源层上电镀出导电层。
源层上电镀导电方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201210356628.6在审
发明人：李起洪;皮昇浩;田锡旼 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2012-09-19 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：第一源极层；至少一个第二源极层，所述第二源极层大体形成在第一源极层中；多个导电层，所述多个导电层大体层叠在第一源极层之上；沟道层，所述沟道层穿通多个导电层且与第二源极层耦接；以及至少一个第三源极层，所述第三源极层大体形成在第二源极层中，其中，所述第三源极层穿通第二源极层且与第一源极层耦接。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201710975019.1有效
发明人：李炫虎 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2017-10-19 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L27/11551 文献下载
摘要：该半导体装置可包括：第一源种子层；第二源种子层，其被设置在第一源种子层上方与第一源种子层间隔开的位置处，并且源区域插置在第一源种子层与第二源种子层之间；单元插塞，其被配置为穿透第二源种子层并延伸到源区域中，所述单元插塞被设置在与第一源种子层间隔开的位置处。该半导体装置还可包括层间源层，该层间源层被配置为填充源区域。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201610384209.1有效
发明人：崔康植 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2016-06-02 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：该半导体器件包括：第一源晶种层；第二源晶种层，所述第二源晶种层被设置在所述第一源晶种层上方，同时与所述第一源晶种层间隔开；堆叠结构，所述堆叠结构被形成在所述第二源晶种层上；沟道层，所述沟道层通过穿透所述堆叠结构而延伸到所述第一源晶种层内；以及夹层源层，所述夹层源层延伸到所述第一源晶种层与所述第二源晶种层之间的空间中，同时接触所述沟道层、所述第一源晶种层和所述第二源晶种层中的每一个。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201610875114.X有效
发明人：李熙烈 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2016-09-30 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：该半导体器件可以包括：多层源极层、导电图案、层间绝缘层、以及沟道柱。多层源极层可以包括：下源极层、层间源极层、以及上源极层。导电图案和层间绝缘层可以交替地设置于多层源极层上。沟道柱可以穿透导电图案。层间绝缘层、上源极层、以及层间源极层、沟道柱可以延伸到下源极层。沟道柱可以与层间源极层接触。具有各种结构的掺杂区可以形成在沟道柱的下部，从而提高半导体器件的操作可靠性。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体存储器装置及其制造方法-CN202110690672.X在审
发明人：李昌秀;杨永镐;金成淳;金熙洙;罗熙稌;张民植 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-06-22 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体存储器装置及其制造方法，该半导体存储器装置包括：第一源极层；第二源极层，第二源极层在第一源极层上；层叠物，层叠物在第二源极层上；沟道结构，沟道结构穿过层叠物和第二源极层；以及公共源极线，公共源极线穿过层叠物和第二源极层。第二源极层包括气隙和围绕气隙的导电层。
半导体存储器装置及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202010923861.2在审
发明人：呼翔 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2020-09-04 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底、栅极结构、位于栅极结构的顶部上的栅极盖帽层、位于栅极结构两侧的基底中的源漏掺杂区、以及位于栅极结构侧部基底上的底部介质层；形成贯穿源漏掺杂区顶部的底部介质层的源漏互连层，源漏互连层的顶面与相邻栅极盖帽层围成凹槽，用于形成源漏盖帽层；通过凹槽对栅极盖帽层的侧壁进行离子掺杂，适于提高源漏盖帽层和栅极盖帽层之间的刻蚀选择比；进行离子掺杂后，在凹槽中形成源漏盖帽层；形成覆盖栅极盖帽层和源漏盖帽层的顶部介质层；形成贯穿顶部介质层和源漏盖帽层的源漏接触孔；在源漏接触孔中形成源漏插塞。本发明实施例降低源漏插塞与相邻的栅极结构之间发生短接或击穿的概率。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201910696119.X有效
发明人：周飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2019-07-30 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底包括衬底以及凸出于衬底的鳍部，基底上形成有栅极结构，栅极结构横跨鳍部且覆盖鳍部的部分顶部和部分侧壁；在栅极结构两侧的鳍部中形成第一源漏掺杂层；在第一源漏掺杂层上形成至少一层第二源漏掺杂层，形成第二源漏掺杂层的步骤包括：形成位于衬底上且露出第一源漏掺杂层或位于下方第二源漏掺杂层的保护层；在保护层露出的第一源漏掺杂层或位于下方第二源漏掺杂层上形成第二源漏掺杂层；在保护层上形成覆盖第二源漏掺杂层的层间介质层；在层间介质层和保护层中形成包围第一源漏掺杂层和第二源漏掺杂层的接触孔插塞。本发明实施例有利于减小源漏掺杂层与接触孔插塞的接触电阻。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]碳化硅半导体器件-CN201911330163.5在审
发明人：田意;徐大伟 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2019-12-20 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化硅半导体器件，器件包括：N型衬底；N型漂移层，位于N型衬底上；P型阱区，位于N型漂移层中；N型源区，位于P型阱区内；栅介质层，至少横跨于N型源区及N型漂移层之间；栅极层，位于栅介质层上；隔离介质层，包覆于栅极层；源极金属层，与N型源区接触，并延伸覆盖于隔离介质层上，位于隔离介质层上的源极金属层具有贯穿源极金属层的通孔阵列，以减少源极金属层与栅极层的重叠面积。本发明在所述源极金属层中形成贯穿所述源极金属层的通孔阵列，以减少所述源极金属层与所述栅极层的重叠面积，从而降低源极金属层与栅极层之间的输入电容的面积，降低输入电容，提高器件的开关速及降低导通损耗。
碳化硅半导体器件

[发明专利]碳化硅半导体器件的制作方法-CN201911328043.1有效
发明人：田意;徐大伟 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2019-12-20 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化硅半导体器件的制作方法，包括形成以下结构：N型衬底；N型漂移层，位于N型衬底上；P型阱区，位于N型漂移层中；N型源区，位于P型阱区内；栅介质层，至少横跨于N型源区及N型漂移层之间；栅极层，位于栅介质层上；隔离介质层，包覆于栅极层；源极金属层，与N型源区接触，并延伸覆盖于隔离介质层上，位于隔离介质层上的源极金属层具有贯穿源极金属层的通孔阵列，以减少源极金属层与栅极层的重叠面积。本发明在所述源极金属层中形成贯穿所述源极金属层的通孔阵列，以减少所述源极金属层与所述栅极层的重叠面积，从而降低源极金属层与栅极层之间的输入电容的面积，降低输入电容，提高器件的开关速及降低导通损耗。
碳化硅半导体器件制作方法

[实用新型]碳化硅半导体器件-CN201922311925.9有效
发明人：田意;徐大伟 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2019-12-20 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型提供一种碳化硅半导体器件，器件包括：N型衬底；N型漂移层，位于N型衬底上；P型阱区，位于N型漂移层中；N型源区，位于P型阱区内；栅介质层，至少横跨于N型源区及N型漂移层之间；栅极层，位于栅介质层上；隔离介质层，包覆于栅极层；源极金属层，与N型源区接触，并延伸覆盖于隔离介质层上，位于隔离介质层上的源极金属层具有贯穿源极金属层的通孔阵列，以减少源极金属层与栅极层的重叠面积。本实用新型在所述源极金属层中形成贯穿所述源极金属层的通孔阵列，以减少所述源极金属层与所述栅极层的重叠面积，从而降低源极金属层与栅极层之间的输入电容的面积，降低输入电容，提高器件的开关速及降低导通损耗。
碳化硅半导体器件

[发明专利]穿隧式场效晶体管-CN201811002450.9在审
发明人：瑞姆瓦尔·彼德;麦特西亚斯帕斯拉克;吉尔本·朵尔伯斯 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-08-30 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：一种穿隧式场效晶体管包含第一源极/漏极层、第二源极/漏极层以及半导体中间层。第一源极/漏极层包含第一极性侧壁。第二源极/漏极层围绕第一源极/漏极层，第二源极/漏极层与第一源极/漏极层具相反导电类型，半导体中间层位于第二源极/漏极层与第一源极/漏极层的第一极性侧壁之间。
源极/漏极场效晶体管中间层侧壁穿隧半导体相反导电类型

[发明专利]半导体器件-CN201610424193.2有效
发明人：李起洪 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2016-06-15 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：一种半导体器件可以包括：源极层、层叠结构、沟道层、缝隙和源极拾取线。源极层可以包括在其上表面内的至少一个凹槽。层叠结构可以形成在源极层之上。沟道层可以穿过层叠结构。沟道层可以与源极层接触。缝隙可以通过穿过层叠结构而暴露出源极层的凹槽。源极拾取线可以形成在缝隙和凹槽内。源极拾取线可以与源极层接触。
半导体器件

[发明专利]半导体存储器装置及其制造方法-CN202010655499.5在审
发明人：柳丞昱;李起洪 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2020-07-09 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H01L27/11568 文献下载
摘要：半导体存储器装置包括：第一源极层；第二源极层，其在第一源极层上；层叠结构，其在第二源极层上方；以及公共源极线，其贯穿层叠结构。第二源极层包括与公共源极线接触的保护层和围绕保护层的导电层。
半导体存储器装置及其制造方法

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