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[发明专利]双大马士革结构成形方法-CN202011355394.4在审
发明人：南兑浩;李大烨;贺晓彬;丁明正;刘强;杨涛 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供的涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种双大马士革结构成形方法，包括如下步骤：在介质层上设置一层光刻胶层，在该光刻胶层上设置阻挡层，在该阻挡层上设置另一层光刻胶层，两层所述光刻胶层采用不同的显影技术；对其中一层所述光刻胶层曝光处理，并在曝光后的该光刻胶层和所述阻挡层上显影成像；对另一层所述光刻胶层曝光处理，并在曝光后的该另一层光刻胶层上显影成像。在上述技术方案中，该双大马士革结构成形方法是连续进行两次光刻工艺，光刻工艺后仅需要在进行一次刻蚀工艺即可，减少了操作的步骤，有效降低了产出和设备投资费用，降低了成本。
大马士革结构成形方法

[发明专利]屏蔽栅沟槽MOSFET ESD结构的制造方法-CN201711383776.6有效
发明人：周宏伟;杨乐;刘挺;岳玲 -专利权人：西安龙腾新能源科技发展有限公司
申请日： 2017-12-20 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及屏蔽栅沟槽MOSFET ESD结构及其制造方法，令ESD多晶硅光刻与栅极引出多晶硅光刻合并在一层栅极引出多晶硅光刻工艺下形成。本发明可以用传统的半导体制造工艺实现，由旧设计ESD多晶硅光刻和栅极引出多晶硅光刻各自单独光刻形成，优化为ESD多晶硅光刻与栅极引出多晶硅光刻合并在一层栅极引出多晶硅光刻工艺下形成，在工艺难度不增加的情况下减少一层单独的ESD掩膜板，节约ESD掩膜板成本和后续的光刻工艺成本，最终降低芯片成本。
屏蔽沟槽 mosfet esd 结构制造方法

[发明专利]使用浸没光刻工艺制造半导体器件的方法-CN200610121212.0无效
发明人：郑载昌;李晟求;潘槿道;卜喆圭;文承灿 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2006-08-17 - 公布日： 2007-02-21 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种使用浸没光刻工艺制造半导体器件的方法。该方法包括在曝光步骤之后及显影步骤之前，快速地加速晶片的旋转，以去除浸没光刻溶液，由此有效地减少水印缺陷。
使用浸没光刻工艺制造半导体器件方法

[发明专利]一种基于多目标优化的光刻工艺分辨率增强方法及装置-CN201911123888.7有效
发明人：周洁云;崔绍春;陈雪莲 -专利权人：墨研计算科学（南京）有限公司
申请日： 2019-11-18 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本申请涉及半导体生产的光刻工艺技术领域，具体而言，涉及一种基于多目标优化的光刻工艺分辨率增强方法及装置。本申请提供一种基于多目标优化的光刻工艺分辨率增强方法，包括以下步骤：通过划分多个圆重叠的方法得到照明光源的区域划分用于优化光源；确定亚分辨率辅助图形SRAF位置变量的初始位置用于优化掩膜；使用实数编码的方法建立优化变量的种群；对种群中单一染色体通过计算光刻模型确定多目标优化策略的评价标准函数；使用遗传进化算法对当前种群重复进行“评价‑选择‑交叉‑变异”计算，获得评价标准函数的迭代更新；通过解码最终种群得到多目标优化策略的解集帕累托支撑解
一种基于多目标优化光刻工艺分辨率增强方法装置

[发明专利]一种生物基水溶性负性紫外光刻胶组合物、光刻胶及其制备方法-CN201911170223.1有效
发明人：周翼;王忍;孙友松;毛国平;傅志伟 -专利权人：江苏汉拓光学材料有限公司
申请日： 2019-11-26 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G03F7/038 文献下载
摘要：本申请涉及一种生物基水溶性负性紫外光刻胶组合物，所述生物基水溶性负性紫外光刻胶组合物包括以下组分：a)室温稳定且不胶凝的明胶水溶液；b)水溶性光引发剂；以及c)可聚合单体，其包括多官能团的可交联的单体。本申请还涉及一种利用上述光刻胶组合物制备的光刻胶及其制备方法。本申请的光刻胶除了涂胶后的烘干步骤以外，全部光刻工艺过程都在室温下进行，且光刻胶和光刻工艺过程中无三废产生，节省能源且环境友好。
一种生物水溶性紫外光刻组合及其制备方法

[发明专利]曝光设备焦距监测方法-CN200810113688.9有效
发明人：肖楠 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2008-05-29 - 公布日： 2009-12-02 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种曝光设备焦距监测的方法，包括：提供具有基准标记的掩模板，通过光刻工艺和刻蚀工艺，将所述基准标记转移到基底的上，在所述基底上形成基准标记图案；提供具有测试标记的掩模板；在具有所述基准标记图案的基底上形成光刻胶层，利用所述的曝光设备执行光刻工艺，将所述测试标记转移到所述光刻胶层中，形成测试标记图案；测量所述测试标记图案与基准标记图案的偏移量；若所述的偏移量不等于目标值，则所述曝光设备偏离最佳曝光位置。本方法工艺步骤简单，测量效率较高。
曝光设备焦距监测方法

[发明专利]一种MEMS圆片双面步进光刻方法-CN201310505575.4无效
发明人：王文婧;郭群英;吕东锋;徐栋;黄斌;陈璞;陈博;王鹏;何凯旋;刘磊;庄须叶 -专利权人：华东光电集成器件研究所
申请日： 2013-10-24 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种MEMS圆片双面步进光刻方法，其特征在于包括以下步骤：a.晶圆片在投影步进光刻机进行正面光刻，制作出对准标记（a、a）以及器件结构；b.在双面光刻机中，将晶圆片背面制作出相应的对准标记（b,b）；c.在投影步进光刻机中，对准晶圆片背面的对准标记（b,b），在晶圆片背面光刻制作对应的器件结构。本发明是结合双面光刻技术，在投影步进光刻工艺加工中实现双面结构制作，采用双面光刻机在背面制作一个对准标记，圆片正反两面使用投影步进光刻机进行较高精度套刻工艺制作。
一种 mems 双面步进光刻方法

[发明专利]一种制备脊形聚合物光波导的方法-CN201310130948.4有效
发明人：时尧成;金里;戴道锌 -专利权人：浙江大学
申请日： 2013-04-16 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： G02B6/13 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备脊形聚合物光波导的方法，本发明具体包括如下步骤：步骤1.采用等离子体增强型化学气相沉积在硅衬底上生长6～8μm的二氧化硅作为波导下包层；步骤2.利用旋涂工艺获得聚合物薄膜，调整旋涂转速控制聚合物薄膜的厚度；步骤3.利用光刻工艺对整个聚合物薄膜进行空曝光，通过交联反应固化形成的脊形波导平板层；步骤4.利用旋涂工艺在脊形波导平板层3上表面获得第二层聚合物薄膜，调整旋涂转速控制该层聚合物薄膜的厚度；步骤5.利用光刻工艺，通过光刻掩膜版对第二层聚合物薄膜曝光形成聚合物脊形波导脊结构部分。本发明制作工艺简单，仅用到旋涂、光刻这些常规工艺，不需要干法刻蚀等复杂的工艺即可制备脊形聚合物光波导。
一种制备聚合物波导方法

[发明专利]铜互连工艺的制造过程-CN201910788021.7在审
发明人：曾翔旸;叶荣鸿;刘立尧;胡展源 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2019-08-26 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及铜互连工艺的制造过程，涉及半导体集成电路制造工艺，藉由UTM介质阻挡层沉积工艺；UTM通孔氧化层沉积工艺；UTM介质阻挡层沉积工艺；UTV光刻工艺；UTV刻蚀工艺；UTV湿法清洗工艺；UTM通孔氧化层沉积工艺；UTM介电抗反射层(DARC)沉积工艺；UTM光刻工艺；UTM刻蚀工艺；UTM湿法清洗工艺；UTM掩埋种子层沉积工艺；UTM电镀铜工艺及铜平坦化工艺形成铜互连线，此形成铜互连工艺步骤少，成本低，且可提高铜互连的性能和可靠性
沉积铜互连湿法清洗工艺介质阻挡层光刻工艺刻蚀工艺氧化层通孔半导体集成电路制造介电抗反射层电镀铜工艺工艺步骤铜互连线制造过程平坦化种子层掩埋

[发明专利]一种实现10nm及以下分辨力的超分辨光刻工艺方法-CN202010354560.2在审
发明人：罗先刚;高平;蒲明博;李雄;马晓亮 -专利权人：中国科学院光电技术研究所
申请日： 2020-04-29 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： G03F1/80 文献下载
摘要：本发明公开了一种实现10nm及以下分辨力的超分辨光刻工艺方法，包括：步骤S1：首先制备包含牺牲材料层、硬掩模层、超衍射材料层、感光层在内的多层结构，并通过超分辨光刻工艺获得80nm‑44nm周期的初始光刻胶图形；步骤S2：其次以步骤S1获得80nm‑44nm周期的初始光刻胶图形作为掩模，采用高保真度的等离子体刻蚀工艺实现初始光刻胶图形的纵向深度放大，形成高深宽比的“核”图形；步骤S3：接着再使用四重自对准工艺，通过两次重复保形生长‑刻蚀步骤，将“核”图形的初始分辨力提高四倍；步骤S4：经过清洗和检测，得到10nm及以下分辨力的图形结构。
一种实现 10 nm 以下分辨力分辨光刻工艺方法

[发明专利]一种光刻机台的控制装置及方法-CN201010614732.1无效
发明人：詹祥宇;李劲 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2010-12-21 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： G05B19/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种光刻机台的控制装置及方法，其中装置包括：光刻机台控制模块，用于根据需要进行光刻操作的产品的描述信息，查找与该产品的描述信息对应的光刻机台控制信息；根据查找到的光刻机台控制信息，确定各光刻工步应使用的光刻机台；制造执行模块，用于根据光刻机台控制模块确定的光刻机台对该产品进行光刻工艺操作。本发明实施例提供的光刻机台的控制装置及方法，在对产品进行光刻操作之前，用户可针对不同光刻工艺要求的产品，预先设置与其对应的光刻机台控制信息，进而能够实现对不同的光刻机台，选择使用适宜其光刻工艺要求的光刻机台进行光刻，提高了对产品进行光刻的光刻机台选择的灵活性并相应地提高了光刻的准确度。
一种光刻机台控制装置方法

[发明专利]一种声表面波滤波器应用泛曝光的双层胶剥离工艺-CN201711232805.9在审
发明人：刘绍侃;张少华;李善斌;蒋燕港 -专利权人：深圳华远微电科技有限公司
申请日： 2017-11-30 - 公布日： 2018-05-15 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及电学及纳米加工技术领域，一种声表面波滤波器应用泛曝光的双层胶剥离工艺，包括如下步骤：步骤1、清洗工艺：压电材料的表面清洗：步骤2、涂胶工艺：字压电材料表面涂抹粘度为49CPS的第一层正性光刻胶；步骤3、泛曝光处理：紫外光泛曝光对整枚晶片进行全部无掩膜版无差别充分曝光，照射涂好正性光刻胶的压电材料，光刻胶曝光完全，光刻胶发生反应；步骤4、二次涂胶工艺：在第一层正性光刻胶表面涂抹粘度为14CPS的第二层正性光刻胶；步骤5、光刻工艺：紫外线透过光刻版透光区照射压电材料，第二层正性光刻胶接触到紫外线的区域发生反应；步骤6、显影工艺；步骤7、镀膜工艺：选择合适的镀膜设备蒸发镀膜；步骤8、剥离工艺。
一种表面波滤波器应用曝光双层剥离工艺

[发明专利]一种小周期阵列结构的制备方法-CN201710029268.1在审
发明人：顾长志;潘如豪;李俊杰;刘哲;唐成春;杨海方 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2017-01-16 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：所述制备方法用于在衬底上制备小周期阵列结构，包括步骤一，在衬底上旋涂光刻胶；步骤二，在光刻胶上采用电子束光刻工艺扫描曝光图形，得到光刻胶图形，其中，所述电子束光刻工艺曝光的步长为大步长，以保证两电子束斑之间的光刻胶不会被曝光；步骤三，将光刻胶图形转移到衬底上，得到样品；步骤四，将所述样品置于去胶液中，获得所述衬底上的小周期阵列结构。
一种周期阵列结构制备方法

[发明专利]一种沟槽型功率晶体管的制造方法-CN200710024504.7无效
发明人：黄清俊;陈斌;李召兵;石亮 -专利权人：和舰科技（苏州）有限公司
申请日： 2007-06-21 - 公布日： 2008-12-24 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：此方法包括两道炉管氧化步骤，四层掩膜板及四道光刻工艺步骤，所述的两道炉管氧化步骤为垫层氧化和栅极氧化生长步骤；所述的四层掩膜板及四道光刻工艺步骤分别为有源区成形步骤、接触窗沉积及成形步骤、金属层沉积及成形步骤、钝化层密封及成形步骤。该方法无需内层介电层氧化、化学机械抛光或内层介电层氧化回蚀的步骤，即可达到内层介电层平坦化的目的。
一种沟槽功率晶体管制造方法

[发明专利]一种建立光刻工艺条件的方法-CN202211522331.2在审
发明人：王雷 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种建立光刻工艺条件的方法，包括提供晶圆；提供测试掩膜板，测试掩膜板上形成有相同的设计图形，但设计图形的密度不同；对设计图形进行曝光显影，在晶圆上形成对准图形；测量对准图形的关键尺寸；判断关键尺寸是否满足设定的阈值，若不满足，调整光刻工艺，直到关键尺寸满足设定的阈值；最后确定光刻工艺条件。本发明解决了现有光刻工艺建立方法不考虑测试掩模版的设计图形密度不同造成关键尺寸有差异的问题，使得光刻工艺更加完善，减小了造成不同图形密度的设计图形和产品间存在的关键尺寸差异的可能，并且考虑到显影对关键尺寸的影响，对于关键尺寸变化要求高的工艺和设计，减小了影响。
一种建立光刻工艺条件方法