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[发明专利]具有分区差异化TCO薄膜的硅异质结太阳电池-CN202111062515.0在审
发明人：赵晓霞;王伟;田宏波;王雪松;宫元波;王彩霞;宗军 -专利权人：国家电投集团科学技术研究院有限公司
申请日： 2021-09-10 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明涉及太阳电池技术领域，公开了一种具有分区差异化TCO薄膜的硅异质结太阳电池，包括硅异质结主体、第一TCO层、第二TCO层和栅线，第一TCO层设在硅异质结主体的上表面，第二TCO层设在硅异质结主体的下表面，栅线分别设在第一TCO层的上表面和第二TCO层的下表面，第一TCO层包括相连的高透TCO薄膜和低阻TCO薄膜，栅线与低阻TCO薄膜相对设置；和/或，第二TCO层包括相连的高透TCO薄膜和低阻TCO薄膜，栅线与低阻TCO薄膜相对设置。
具有分区异化 tco 薄膜硅异质结太阳电池

[发明专利]一种二维异质结隧穿场效应管免疫传感器及其制备方法-CN202010858426.6有效
发明人：潘毅;柯柯;闵泰;雷虹;吕毅 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2020-08-24 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种二维异质结隧穿场效应管免疫传感器及其制备方法，选取特定带隙的二维材料堆垛成垂直异质结作为沟道层，通过栅压控制使得器件在开态和关态时的能带结构分别为错层式排列和交错式排列，实现关态下低电流使用埋栅结构，在受栅压调制的异质结表面上用特异性抗体蛋白分子进行表面修饰。异质结作为有效检测区域，具备获得理想的栅控能力。利用多个电学参量随检测样本对检测区域的介电调控实现检测。
一种二维异质结隧穿场效应免疫传感器及其制备方法

[发明专利]场效应晶体管液体传感器及其制备方法-CN201410169651.3在审
发明人：罗卫军;陈晓娟;袁婷婷;庞磊;刘新宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2014-04-25 - 公布日： 2014-07-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种场效应晶体管液体传感器，该传感器为单栅指场效应晶体管结构，包括：衬底；衬底上的异质结，所述异质结为由GaN和AlGaN材料形成；所述异质结上的源电极、漏电极以及栅电极，栅电极为肖特基电极本发明采用由GaN和AlGaN材料形成的异质结，可以形成高浓度、高迁移率的二维电子气，由此形成的传感器具有高化学稳定性和高电子迁移率，并易于集成。
场效应晶体管液体传感器及其制备方法

[发明专利]一种基于金属氧化物半导体的半浮栅存储器及其制备方法-CN202010172770.X在审
发明人：朱宝;陈琳;孙清清;张卫 -专利权人：复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司
申请日： 2020-03-12 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种基于金属氧化物半导体的半浮栅存储器及其制备方法。本发明的半浮栅存储器包括：作为底栅的衬底；覆盖衬底的阻挡层，其为第一类绝缘介质；覆盖阻挡层的半浮栅，其为第一类金属氧化物半导体；在半浮栅表面的隧穿层，其为第二类绝缘介质；异质结，其第一端为第二类金属氧化物半导体，与隧穿层平行邻接形成在半浮栅表面，异质结的第二端为第三类金属氧化物半导体，覆盖隧穿层和异质结的第一端；源极和漏极，形成在异质结的第二端的表面；其中，第一类金属氧化物半导体、第二类金属氧化物半导体和第三类金属氧化物半导体的能带构成阶梯层状能带结构
一种基于金属氧化物半导体半浮栅存储器及其制备方法

[发明专利]一种基于GaN基HEMT器件的Fin-HEMT器件及其制备方法-CN201510844869.9在审
发明人：张鹏;何云龙;宓珉翰;张濛;马晓华;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2015-11-26 - 公布日： 2016-03-23 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于GaN基HEMT器件的Fin-HEMT器件及其制备方法，首先在GaN基异质结表面生长SiN层作为掩蔽层，然后光刻出Fin图形，并依次刻蚀SiN层和GaN基异质结层，形成Fin结构，最后在Fin结构的栅位置形成金属栅；其中，刻蚀SiN层和GaN基异质结分别在不同的刻蚀工艺气体下进行。本发明使用耐氯基气体刻蚀的SiN介质作为Fin的刻蚀掩蔽层，不但保证了Fin的有效宽度，而且能够形成侧壁陡直，形貌良好的Fin，同时SiN又是很好的GaN基异质结的钝化层，能够有效抑制GaN基HEMT器件的电流崩塌效应
一种基于 gan hemt 器件 fin 及其制备方法

[实用新型]一种与Si-CMOS工艺兼容的AlGaN/GaN异质结HEMT器件-CN201721577336.X有效
发明人：王洪;周泉斌;李祈昕 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2017-11-21 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种与Si‑CMOS工艺兼容的AlGaN/GaN异质结HEMT器件。该器件包括：AlGaN/GaN异质结外延层、钝化层、栅介质层、无金栅电极、无金源漏电极。所述AlGaN/GaN异质结外延层从下往上依次包括衬底、氮化物成核层、氮化物缓冲层、GaN沟道层、AlGaN本征势垒层和AlGaN重掺杂层，AlGaN重掺杂层通过电离施主产生电荷以补偿半导体的表面受主能级从而抑制电流崩塌本实用新型可以有效抑制HEMT器件的电流崩塌，提高器件性能，解决了AlGaN/GaN异质结HEMT与Si‑CMOS工艺兼容的技术瓶颈。
异质结本实用新型异质结外延电流崩塌重掺杂层兼容氮化物成核层氮化物缓冲层低温退火电极形成工艺兼容技术瓶颈欧姆接触器件性能受主能级有效抑制栅介质层电荷钝化层漏电极势垒层栅电极电离本征衬底金源半导体

[发明专利]异质结太阳电池金属电极及其制备方法、异质结太阳电池-CN202210729433.5在审
发明人：陈维强;黄国保;张鹤仙;韩涵;王军伟 -专利权人：陕西众森电能科技有限公司
申请日： 2022-06-24 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明涉及异质结太阳电池电极及其制备方法，具体涉及一种异质结太阳电池金属电极及其制备方法、异质结太阳电池，用于解决现有异质结太阳电池金属电极的制备方法采用电镀铜栅线技术，不仅无法降低成本，同时因电镀速率缓慢该异质结太阳电池金属电极包括导电金属丝、设置在导电金属丝与异质结太阳电池基底之间的附着层，以及电镀在导电金属丝表面、导电金属丝和附着层之间的金属层。同时，本发明提供一种上述异质结太阳电池金属电极的制备方法，以及一种异质结太阳电池。
异质结太阳电池金属电极及其制备方法

[发明专利]立体多槽栅增强型HEMT器件及其制备方法-CN201511003565.6有效
发明人：周琦;张安邦;施媛媛;刘丽;王泽恒;陈万军;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2015-12-28 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供一种立体多槽栅增强型HEMT器件及其制造方法，包括衬底、衬底上方的异质结、栅极、源极和漏极，栅极设有多个U型槽构成的立体多槽栅结构，该立体多槽栅结构通过刻蚀异质结形成，在漏极至源极方向相邻U型槽之间的距离依次减小，U型槽长度依次增大；制造方法包括：制造器件的晶圆片；定义器件的有源区以及器件之间的隔离；在源极和漏极区域淀积金属薄膜，得到器件的源极和漏极；局部刻蚀异质结层制备立体多槽栅结构，并在其上方沉积金属薄膜制得栅极；相比常规型槽栅结构，立体多槽栅结构使得栅极下方的电子浓度逐渐变化形成梯度分布，以此优化栅极区域电场分布，从而提高器件的反向耐压和在高电场下的可靠性。
立体多槽栅增强 hemt 器件及其制备方法

[发明专利]一种制备异质结太阳电池电极的方法和装置-CN202110837061.3在审
发明人：陈维强;王存辉;韩涵;黄国保;张鹤仙;范卫芳 -专利权人：陕西众森电能科技有限公司
申请日： 2021-07-23 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本申请涉及一种制备异质结太阳电池电极的方法和装置，包括使用磁吸附掩膜工装，通过真空镀膜设备在异质结太阳电池的ITO薄膜上先制备一层镍铬合金种子层栅线，再在镍铬合金种子层栅线上制备铜的金属种子层栅线，然后在金属种子层栅线上制备锡合金栅线该方法使用锡合金完全代替银浆，从原材料上降低了异质结太阳电池的制造成本，并且使用掩膜工装，通过真空镀膜设备制备种子层栅线，代替干膜光刻掩膜工艺，简化了制备种子层栅线的工艺步骤，进一步的降低了制造成本，通过在金属种子层与ITO薄膜之间增加一层合金种子层，提高了金属种子层与ITO薄膜之间的附着力，确保了后续制备的锡合金栅线与ITO薄膜的良好附着。
一种制备异质结太阳电池电极方法装置

[发明专利]一种异质结太阳电池铜电极的无掩膜制备方法-CN202110291110.8有效
发明人：俞健;李君君;陈涛;黄跃龙 -专利权人：西南石油大学
申请日： 2021-03-18 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结太阳电池铜电极的无掩膜制备方法，包括如下步骤：制备异质结电池基底，并在异质结电池基底两面上均沉积透明导电薄膜，异质结电池基底的P侧制备金属栅线，N侧浸入溶液中作为负极，P侧金属栅线与铂电极相连作为正极通过双极性脉冲电镀的方式在所形成的金属粘合层上制备金属传导层；本发明未采用任何掩膜图形就可实现金属电极的制备，能显著降低工艺复杂性，通过激光辅助的方法形成种子层，避免了掩膜去除及全面积种子层的腐蚀过程，亦可降低界面接触电阻，改善异质结电池的性能
一种异质结太阳电池电极无掩膜制备方法

[实用新型]p型栅增强型HEMT器件-CN201821443359.6有效
发明人：张宝顺;徐宁;杜仲凯 -专利权人：苏州能屋电子科技有限公司
申请日： 2018-09-04 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种p型栅增强型HEMT器件。所述p型栅增强型HEMT器件包括：包含第一半导体和第二半导体的异质结，在所述异质结中形成有二维电子气；形成于异质结上的p型半导体和高阻半导体；以及源极、漏极和栅极；所述源极、漏极与异质结形成欧姆接触，p型半导体位于栅下区域且与栅极连接，p型半导体用于耗尽栅下区域的二维电子气，高阻半导体位于p型半导体与源极、漏极中任一者之间，且高阻半导体的厚度小于p型半导体的厚度；源极与漏极能够通过二维电子气电连接。本实用新型提供的p型栅增强型HEMT器件不需要二次外延，也不需要对器件的栅下区域进行刻蚀，避免了因刻蚀工艺引入的均匀性、重复性和引入损伤问题。
增强型HEMT器件异质结漏极源极二维电子气高阻半导体下区域本实用新型半导体刻蚀工艺欧姆接触栅极连接引入电连接均匀性刻蚀耗尽损伤

[发明专利]一种埋栅硅钙钛矿太阳电池及其制备方法-CN201710435893.6在审
发明人：田汉民;苏天宇;戎小营 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2017-06-05 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明一种电极埋栅式薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池及其制备方法，涉及专门适用于将光能转换为电能的半导体器件，是一种将栅状电极直接接入电子传输层内部的薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池。本发明采用电极埋栅结构减少了太阳电池的栅状电极的宽度的同时将电极直接接入到电子传输层的内部，增大其与电子传输层的接触面积，有效的提高了电子收集能力，另一方面大大增加了太阳光照射到电池的面积，提高了现在薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池的光电转化效率
异质结太阳电池电子传输层电极钙钛矿晶硅薄膜栅状电极直接接入埋栅制备光电转化效率半导体器件太阳光照射电子收集光能转换埋栅结构硅钙钛矿电池

[发明专利]一种GaN基半导体器件及其制备方法-CN201710139161.2在审
发明人：戴亚伟;陈琳;郑亮;孙清清;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2017-03-09 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：其制备步骤包括在绝缘GaN衬底上形成多层AlGaN势垒层/GaN层异质结叠层；将多层AlGaN势垒层/GaN层异质结叠层分隔为源区和漏区；对多层AlGaN势垒层/GaN层异质结叠层进行刻蚀，得到分别连接源区和漏区中对应的GaN层并且相互隔离的多层GaN纳米线沟道；在多层GaN纳米线沟道上形成栅介质层及金属栅层；在金属栅层上形成顶栅电极；分别在源区和漏区的顶层GaN层上形成源电极、漏电极。
一种 gan 半导体器件及其制备方法

[发明专利]一种新型的AlGaN/GaN异质结场效应晶体管及应用-CN202110080815.5在审
发明人：林兆军;刘阳;吕元杰;郭硕硕;姜光远 -专利权人：山东大学
申请日： 2021-01-21 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种新型的AlGaN/GaN异质结场效应晶体管及应用，属于微电子研究技术领域，相对于传统的AlGaN/GaN异质结场效应晶体管，本发明引入了新型的开口栅结构，且具有全新的器件调控机理。开口区域的二维电子气密度不受栅偏压调控，因此器件可以在栅下电子被耗尽后继续导通，此后通过极化库仑场散射调控开口区域的电子迁移率，实现对开口区域电流的调制，从而使器件阈值电压明显降低，并且可以通过改变开口区域的宽度这种具有开口栅结构的新型AlGaN/GaN异质结场效应晶体管，更适合应用于低功耗的A类电压放大器。
一种新型 algan gan 异质结场效应晶体管应用

[发明专利]一种回收晶硅异质结太阳电池中金属银的方法-CN202011485970.7有效
发明人：赵雷;刁宏伟;王文静 -专利权人：中国科学院电工研究所
申请日： 2020-12-16 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： C22B11/00 文献下载
摘要：本发明涉及光伏组件回收技术领域，尤其涉及一种回收晶硅异质结太阳电池中金属银的方法。本发明提供了一种回收晶硅异质结太阳电池中金属银的方法，包括以下步骤：将晶硅异质结太阳电池在碱性溶液中进行浸泡，得到金属银栅；将所述金属银栅进行热处理，得到金属银。
一种回收晶硅异质结太阳电池金属方法