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[发明专利]栅线预制结构及其制备方法、异质结电池的制备方法-CN202210383400.X在审
发明人：符欣;陈志;周肃;金礼发;龚道仁 -专利权人：安徽华晟新能源科技有限公司
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明涉及异质结电池技术领域，具体提供一种栅线预制结构及其制备方法、异质结电池的制备方法。该栅线预制结构包括：支撑部，支撑部具有开设在支撑部的部分深度的网格状的凹槽；金属网格，金属网格嵌入至凹槽内，金属网格的厚度小于凹槽的深度；导电粘接层，导电粘接层设置于凹槽内且位于金属网格的表面。金属网格适于作为异质结电池的栅线，因此采用栅线预制结构进行栅线的制备无需使用低温固化银浆，降低生产成本；而且栅线可提前预制，提高生产效率。
预制结构及其制备方法异质结电池

[发明专利]异质结遂穿场效应晶体管及其制备方法-CN201780005921.9有效
发明人：李伟;徐挽杰;徐慧龙;张臣雄 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2017-08-18 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种异质结遂穿场效应晶体管及其制备方法，包括：第一绝缘层覆盖在衬底的上表面，第一异质结材料层覆盖在第一绝缘层的上表面上用于设置源极的一端，源极设置在第一异质结材料层的一端，第一异质结材料层另一端周围设置有第二绝缘层，隔离层设置在异质结层上，隔离层覆盖在源极的内侧；第二异质结材料层覆盖在第一异质结材料层的另一端、第二绝缘层以及第二绝缘层上，与第一异质结材料层形成异质结，漏极设置在第二异质结层上与源极相对的另一端；栅介质层覆盖在第二异质结材料层上位于源极和漏极之间的位置，栅极设置在栅介质层上。通过设置第二绝缘层进行隔离，显著减小边缘态导致的泄露电流，并利用二维材料形成异质结，避免了因晶格不匹配导致的界面缺陷。
异质结遂穿场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]异质结电池、光伏组件及该异质结电池的制备方法-CN202111053914.0在审
发明人：吴新正;马建伟 -专利权人：南京苏煜新能源科技有限公司
申请日： 2021-09-09 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本申请提供了一种异质结电池、光伏组件及该异质结电池的制备方法，所述异质结电池包括硅基底、依次层叠设置在所述硅基底一侧表面的第一本征非晶硅层、第一掺杂非晶硅层、第一透明导电层与第一金属电极，所述第一金属电极包括第一主栅及第一副栅，所述第一主栅设置为银主栅；所述第一副栅包括复合导电颗粒，所述复合导电颗粒包括芯体及包覆在所述芯体外周表面上的壳体，所述芯体采用石墨或由铜、镍、锌、铝中的至少一种构成的金属材料制得，所述壳体采用银或氧化铟锡制得本申请通过对异质结电池的电极结构及金属化的材料与制程进行创新设计，保持电流传输性能及电池效率的同时，降低银浆耗量与材料成本，有助于异质结电池的产业化发展。
异质结电池组件制备方法

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202010824843.9有效
发明人：黎子兰;张树昕 -专利权人：广东致能科技有限公司
申请日： 2020-08-17 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件，包括：第一沟道层，其包括第一沟道区、第一栅掺杂区、和第二沟道区，其中所述第二沟道区在所述第一沟道区之上，所述第一栅掺杂区在所述第一沟道区和所述第二沟道区之间；第一势垒层，其中在第一沟道层与第一势垒层之间形成具有垂直界面的第一异质结，在所述第一异质结内形成垂直的2DEG或2DHG；第一电极，其在所述第一栅掺杂区下方与所述第一异质结内的2DEG或2DHG电接触；第二电极，其在所述第一栅掺杂区上方与所述第一异质结内的2DEG或2DHG电接触；以及第三电极，其在所述第一栅掺杂区与所述第一异质结内的2DEG或2DHG电接触。
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种异质结太阳电池的电极栅级制作方法-CN202111329610.2在审
发明人：何广东;庄辉虎;陈伟文;傅松楠;谢延权 -专利权人：福建金石能源有限公司
申请日： 2021-11-11 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种异质结太阳电池的电极栅级制作方法，在硅片经过清洗制绒、沉积非晶硅、沉积透明导电层后，再沉积一层金属导电层，然后在金属导电层上制作掩膜并固化稳定，再进一步使用激光刻划掉部分掩膜形成所需的电极栅线图形，然后对片子进行清洗和干燥使电极栅线图形下的金属导电层裸露出来，再然后进行电镀形成电极栅线，最后将掩膜去掉并刻蚀掉除电极栅线外的金属导电层，制作出成品电池。本发明成本较低，且制作的电极栅线导电性好，电池转换效率高，在目前银金属价格上涨导致银栅线异质结电池成本上涨的现状下具有积极意义，且低成本高效异质结电池的制作方法有利于推进异质结电池的产业化发展。
一种异质结太阳电池电极制作方法

[发明专利]异质结晶体管及制备方法-CN202210110063.7在审
发明人：李黄龙;杨逸飞 -专利权人：清华大学
申请日： 2022-01-29 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请涉及一种异质结晶体管及制备方法。该晶体管包括：栅氧层，异质结，至少部分异质结设置在栅氧层的沟道区，异质结包括第一导电部和第二导电部，其中，第一导电部和第二导电部部分交叠形成交叠区域，且第一导电部和第二导电部的导电类型不同；电极部，包括源电极、漏电极和栅电极，其中，栅电极设置在栅氧层远离异质结的表面上；源电极设置在第一导电部远离交叠区域的一侧；漏电极设置在第二导电部远离交叠区域的一侧。
结晶体制备方法

[发明专利]一种低耗银异质结太阳能电池的制作方法-CN202210116665.3在审
发明人：谢艺峰;黄巍辉;张超华 -专利权人：福建金石能源有限公司
申请日： 2022-02-07 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明公开一种低耗银异质结太阳能电池的制作方法，它的步骤为，A、制备待形成金属栅线的异质结太阳能电池；B、采用含银量为90％‑97％的银浆在经步骤A获得的异质结太阳能电池的第一主面和第二主面分别形成第一银浆电极细栅线和第二银浆电极细栅线；C、采用银铜浆料、镍浆、铜浆或含银量为30％‑60％的银浆在经步骤B处理的异质结太阳能电池的第一主面和第二主面分别形成第一银浆电极主栅线和第二银浆电极主栅线。本发明的目的在于提供一种低耗银异质结太阳能电池的制作方法，既可保证电极的导电性能及电极与焊带间的焊接能力，同时大幅减少了银浆使用量，从而降低电池的栅线电极成本，大幅度减少了太阳能电池片生产成本。
一种低耗银异质结太阳能电池制作方法

[发明专利]异质结电池组件的制作工艺-CN202010763029.0在审
发明人：鲁乾坤;彭刘辉 -专利权人：苏州沃特维自动化系统有限公司
申请日： 2020-08-01 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种异质结电池组件的制作工艺，其包括如下步骤：S1、提供其上具有TCO导电膜的异质结电池片，将异质结电池片分割为适于串焊的N个电池片单元；S2、在各个电池片单元的正面和背面均设置细铜丝，任一面的细铜丝交叉形成网格形状；S3、将各个电池片单元通过叠焊的方式串接在一起，形成所述异质结电池组件。本发明的异质结电池组件的制作工艺通过利用细铜丝网替代了原本电池片上面的收集电流的所有栅线，实现了无栅设计。且由于不采用银栅线，大幅地降低了产品的成本，取得了较好的经济效益。同时，替代栅线的多根细铜丝交织形成了高效的电流收集网格结构，可提高组件效率，降低电池片局部损坏带来的不良影响，提高组件的可靠性。
异质结电池组件制作工艺

[发明专利]一种栅线制备方法、异质结电池的制备方法及异质结电池-CN202310636875.X在审
发明人：王伟;黎力;田宏波;李世岚;宿世超 -专利权人：国家电投集团新能源科技有限公司
申请日： 2023-06-01 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池技术领域，具体公开了一种栅线制备方法、异质结电池的制备方法及异质结电池，包括制备异质结电池基底，并在异质结电池基底正背面沉积透明导电薄膜层；在沉积透明导电薄膜层表面沉积金属种子层；在正面金属种子层表面印刷感光油墨，采用投影扫描曝光电池正表面制备正面掩膜；采用显影液对第二电池片中间体正面未曝光的栅线显影出栅线图形；在电池片背面及侧面采用热熔蜡进行喷墨使在背面及侧面制备掩膜；并进行电镀使电池片正背面得到铜栅线；除去第三电池片中间体正背侧面掩膜，用氧化物及稀硫酸蚀刻电镀金属种子层，上述方法有效降低电池片生产成本，同时提高电池生产良率，工艺更加简单，异质结电池制备效率更高。
一种制备方法异质结电池

[发明专利]一种硅异质结太阳能电池及其制作方法-CN201410798442.5有效
发明人：张树旺;杨富琨;李宝胜;蔡明;李立伟;郭铁 -专利权人：新奥光伏能源有限公司
申请日： 2014-12-19 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： H01L31/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅异质结太阳能电池及其制作方法，该硅异质结太阳能电池包括：晶硅衬底，在晶硅衬底的入光侧依次设置的第一非晶硅层、前电极层和前栅线，焊接或粘贴在前栅线上的第一互联条，在晶硅衬底的背光侧依次设置的第二非晶硅层、第一透明导电氧化物薄膜和银薄膜，以及焊接或粘贴在银薄膜背离晶硅衬底一侧的第二互联条；与现有的硅异质结太阳能电池在背电极层上设置背栅线的结构相比，省去利用银浆材料制作的背栅线，在银薄膜上直接焊接或粘贴第二互联条，这样，不仅可以简化硅异质结太阳能电池的制作工艺，还可以降低硅异质结太阳能电池的制作成本。
硅异质结太阳能电池衬底晶硅互联条银薄膜粘贴非晶硅层依次设置制作背栅前栅焊接透明导电氧化物薄膜背光背电极层前电极层银浆材料直接焊接制作工艺背离

[发明专利]一种集成异质结续流二极管碳化硅槽栅MOSFET-CN201810920890.6有效
发明人：易波;张丙可 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-08-14 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明涉及功率半导体领域，提供一种集成异质结续流二极管碳化硅槽栅MOSFET，用以克服现有的集成了续流二极管的碳化硅槽栅MOSFET元胞面积大、集成度低的缺点；本发明提供碳化硅槽栅MOSFET的元胞结构中，通过在异质结二极管阳极区正下方设置P+型电场屏蔽区，在集成异质结二极管的同时实现了其所需的电场屏蔽效果；其中异质结二极管阳极区可采用不同掺杂类型和浓度的多晶硅来调节异质结二极管导通压降；本发明不仅在碳化硅槽栅MOSFET上集成了续流二极管，且具有低导通损耗和低开关损耗，同时具有高集成度和降低面积成本的优点。
一种集成异质结续流二极管碳化硅 mosfet

[发明专利]一种窄带隙二维磁性薄膜异质结非制冷红外探测器-CN202110400291.3有效
发明人：龙明生;王瑞洁;单磊;李峰;韩涛 -专利权人：安徽大学
申请日： 2021-04-14 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：一种基于层状材料异质结的光电探测器，包括在衬底上设有自下到上的结构：衬底绝缘层，底面反射电极层，所述电极层置于所述衬底绝缘层上；异质结包括n‑型二维层状薄膜材料薄膜，p‑型二维层状薄膜材料薄膜层在上述n‑型二维层状薄膜材料薄膜层上，上述二维层状异质结置于所述底电极层上，其中异质结结区与底面反射电极层重合且紧密接触；顶电极层，所述顶电极层设置在所述p‑n结上方p‑型二维材料的一侧或部分区域；透明顶栅绝缘层，所述透明顶栅绝缘层覆盖在整个异质结器件正上方，透明顶栅绝缘层包括高介电材料如二氧化铪和PMMA；所述的透明顶栅电极设置在p‑n结正上方，包含石墨烯、ITO等透明材料。
一种窄带二维磁性薄膜异质结非制冷红外探测器

[发明专利]一种体异质结有机场效应晶体管存储器及其制备方法-CN202110917167.4在审
发明人：李志刚;杨永豪;路通 -专利权人：鲁东大学
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L27/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种体异质结有机场效应晶体管存储器，自下到上依次包括：栅电极、栅绝缘层、电荷传输层、缓冲层、有机体异质结半导体层，有机体异质结半导体层上面分别沉淀有源极和漏极，有机体异质结半导体层包括n型半导体和p型半导体，n型半导体和p型半导体皆为有机材料，有机体异质结半导体层采用协同蒸发n型半导体和p型半导体制得。本发明可以制备工艺相较于多层结构有机异质结器件更为简单，通过电编程即可实现双极性存储特性，可以在空气中稳定运行，不受使用环境限制，有效的降低了制备成本。本发明还公开了制备上述体异质结有机场效应晶体管的方法。
一种体异质结有机场效应晶体管存储器及其制备方法

[发明专利]确定GaN异质结场效应晶体管栅下势垒层应变的方法-CN201310682762.X有效
发明人：林兆军;赵景涛;栾崇彪;吕元杰;杨铭;周阳;杨琪浩 -专利权人：山东大学
申请日： 2013-12-13 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： G01B7/16 文献下载
摘要：确定GaN异质结场效应晶体管栅下势垒层应变的方法，属微电子技术领域，该方法的基本原理是首先使用半导体参数测试仪直接得到GaN异质结场效应晶体管栅极和源极间的电容-电压（C-V）和正向电流-电压（I-V）特性曲线，结合势垒层电容分析得到栅下总的极化电荷密度，然后结合GaN异质结材料的自发极化和压电极化理论，分析得到GaN异质结场效应晶体管栅下势垒层应变。本发明与现有测试技术相比较，测试方法更加容易、直接、准确，分辨率也更高，而且解决了现有测试方法无法测试栅下势垒层应变的问题。
确定 gan 异质结场效应晶体管栅下势垒层应变方法

[发明专利]硅异质结太阳能电池的退火、制备方法和电池-CN201410798296.6有效
发明人：张树旺;李宝胜;蔡明;杨富琨;李立伟;郭铁 -专利权人：新奥光伏能源有限公司
申请日： 2014-12-19 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种硅异质结太阳能电池的退火、制备方法和硅异质结太阳能电池，涉及太阳能技术领域，用以提高硅异质结太阳能电池中的电极栅线的抗拉性和电学性能。在本发明实施例中，将印制有电极栅线的硅晶衬底置于密闭容器内；采用第一温度、第一气压，对所述密封容器内的印制有电极栅线的硅晶衬底进行退火处理；其中，所述第一温度的取值范围为100℃～300℃；所述第一气压大于1个标准大气压且小于10个标准大气压；从而提高了硅异质结太阳能电池中的电极栅线的抗拉性和电学性能。
硅异质结太阳能电池退火制备方法电池