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[发明专利]一种异质结电池用单层粘接膜-CN202110412303.4在审
发明人：李晓昱 -专利权人：李晓昱
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： C09J7/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种异质结电池用单层粘接膜，所述单层粘接膜的粘流态转变温度Tf为60～200℃，透光率85％，所述的单层粘接膜与异质结电池片的剥离强度≥20N/cm。本发明的单层粘接膜可以与金属线热压粘接，减少银栅线使用量，而且该单层粘接膜通过设计合理的粘流态转变温度Tf，既能起到支撑金属线的作用，又能和异质结电池实现良好的粘接。
一种异质结电池单层粘接膜

[实用新型]一种基于二硫化钼与二硒化钨垂直异质结的铁电存储器-CN201820452438.7有效
发明人：谭秋红;任文萍;王前进;刘应开;蔡武德 -专利权人：云南师范大学
申请日： 2018-04-02 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型属于存储器技术领域，具体涉及一种基于二硫化钼与二硒化钨垂直异质结的铁电存储器，包括栅电极、铁电绝缘层、二硫化钼和二硒化钨垂直异质结沟道层、金源电极和金漏电极，所述栅电极上设置有铁电绝缘层，绝缘层上设置有二硫化钼与二硒化钨垂直异质沟道层，二硫化钼与二硒化钨垂直异质沟道层上分别设置有金源电极和金漏电极。
二硫化钼二硒化钨垂直沟道层异质结本实用新型铁电存储器铁电绝缘层金漏电极金源电极栅电极异质绝缘层存储器技术领域载流子迁移率开关电流比器件功耗光开关抗疲劳响应

[发明专利]一种异质结沟槽T型栅功率MOSFET器件及其制备方法-CN202210143112.7在审
发明人：贾仁需;赵淑婷;元磊;张玉明 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-02-16 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结沟槽T型栅功率MOSFET器件及其制备方法，包括：衬底、异质外延缓冲层、外延沟道层、源区重掺杂欧姆接触区、漏电极和栅电极；异质外延缓冲层的材料为β‑Ga2O3；异质外延缓冲层内分别设有源区电流阻挡层；异质外延缓冲层内设有外延沟道层；外延沟道层的材料为掺杂的β‑Ga2O3；外延沟道层上开设有沟槽；外延沟道层上和沟槽的内壁上设有第一栅氧化层；第一栅氧化层的表面设有第二栅氧化层，第二栅氧化层的表面设有第三栅氧化层；异质外延缓冲层上设有钝化层；栅电极的两侧分别设有源电极；述源电极下端连接有源区重掺杂欧姆接触区。本发明提高了β‑Ga2O3MOSFET击穿电压，减少栅漏电流，改善器件高温可靠性，实现增强型MOSFET。
一种异质结沟槽功率 mosfet 器件及其制备方法

[发明专利]AlGaN/GaN异质结增强型器件及其制作方法-CN201210476553.5有效
发明人：王冲;郝跃;何云龙;郑雪峰;马晓华;张进城 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2012-11-21 - 公布日： 2013-02-20 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种AlGaN/GaN异质结增强型高电子迁移率晶体管制作方法。主要解决目前增强型高电子迁移率晶体管阈值电压均匀性及工艺重复性差的问题。其制作过程为：(1)在SiC或蓝宝石基片上生长AlGaN/GaN异质结，AlGaN势垒层厚度为8~16nm，Al组分为25~35％；(2)在AlGaN势垒层表面淀积SiN层进行覆盖，并进行栅槽刻蚀露出栅区域；(3)在露出栅区域的AlGaN层表面淀积的金属Ni；(4)在800℃~860℃下采用快速热退火炉进行氧气环境的高温热处理，形成NiO层；(5)在AlGaN层上进行有源区台面隔离，完成源、漏欧姆接触电极，并在NiO层上制作栅电极。本发明具有器件阈值电压高，栅泄漏电流小，制作过程简单，工艺重复性和可控性高的优点，可用于高工作电压增强型AlGaN/GaN异质结高压开关，以及GaN基组合逻辑电路的基本单元。
algan gan 异质结增强器件及其制作方法

[发明专利]高电子迁移率晶体管制作方法-CN201410431329.3在审
发明人：梁永齐;伽内什·萨姆德拉;黄火林 -专利权人：苏州工业园区新国大研究院;新加坡国立大学
申请日： 2014-08-28 - 公布日： 2016-03-02 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：一种高电子迁移率晶体管制作方法，包括步骤：在制作了源、漏欧姆接触电极的基异质结材料整体表面沉积半导体钝化层材料后，刻蚀形成刻蚀深度小于设定深度阈值的浅凹栅槽，并对浅凹栅槽底部表面进行低功率氟基等离子体处理；在低功率氟基等离子体处理后的基异质结材料整体表面沉积至少一层高介电常数栅极介质层，并在每次沉积高介电常数栅极介质层后进行低功率氟基等离子体处理；在沉积了至少一层高介电常数栅极介质层的基异质结材料表面沉积高介电常数栅极介质层后，淀积栅金属形成凹栅及第一场板；制作第二场板，制作源、漏欧姆接触引线及焊盘。
电子迁移率晶体管制作方法

[发明专利]丝网印刷版组、丝印方法及异质结太阳能电池的制备方法-CN202210473174.4在审
发明人：任法渊;黄金;鲍少娟;王继磊;杨骥;杨文亮;师海峰;张娟;李莎 -专利权人：晋能光伏技术有限责任公司;晋能清洁能源科技股份公司
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： B41F15/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种丝网印刷版组、丝印方法及异质结太阳能电池的制备方法，属于太阳能电池制备技术领域。包括使用铜浆进行一次丝网印刷的第一丝网印刷版和使用银浆进行二次丝网印刷的第二丝网印刷版。通过设置丝网印刷版组包括第一丝网印刷版和第二丝网印刷版，在进行丝网印刷时先通过第一丝网印刷版使用铜浆进行一次丝网印刷后，通过第二丝网印刷版使用银浆进行二次丝网印刷，形成正背面金属电极，使得正背面金属电极中的铜栅线被银铜栅包裹住，铜栅线完全不与外界环境接触，阻止了铜栅线的氧化，保持了异质结太阳能电池的转换效率，而且，使用铜浆料极大地降低了异质结太阳能电池丝网印刷的浆料成本。
丝网印刷丝印方法异质结太阳能电池制备

[实用新型]一种太阳能电池、异质结电池及光伏组件-CN202221276036.9有效
发明人：袁志林;刘宝信;刘亚锋;葛俊达;余张文;运晓静 -专利权人：东方日升新能源股份有限公司
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种太阳能电池、异质结电池及光伏组件，涉及太阳能电池领域。太阳能电池包括电池片和设置于电池片表面的栅线，电池片和栅线之间还设置有TCO导电膜，TCO导电膜按其表面分为对应栅线的电极区域和非电极区域，电极区域的TCO导电膜为ITO导电膜，非电极区域的TCO导电膜为太阳能电池、异质结电池及光伏组件中的TCO导电膜是由对应栅线区域的ITO导电膜和非电极区域的FTO导电膜组成，兼顾了高可靠性、低成本、良好导电率的效果。
一种太阳能电池异质结电池组件

[发明专利]GaN基的p-GaN增强型HEMT器件及其制作方法-CN201711278188.6在审
发明人：赵杰;付凯;宋亮;郝荣晖;陈扶;于国浩;蔡勇;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2017-12-06 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：所述器件包括：隧道结构，其包括异质结，所述异质结包括沟道层和势垒层，且所述异质结内形成有二维电子气；帽层，其至少对隧道结构的局部区域形成三维包覆，并至少用以将所述异质结内分布于栅下区域的二维电子气耗尽；
异质结隧道结构帽层增强型HEMT器件二维电子气包覆三维厚度要求局部区域阈值电压沟道层势垒层下区域漏极源极耗尽制作掺杂

[发明专利]一种异质结电池片及其叠瓦组件的制备方法-CN202110940326.2在审
发明人：刘云磊;欧衍聪;戴珍林 -专利权人：江苏爱康科技股份有限公司;江苏爱康能源研究院有限公司;浙江爱康光电科技有限公司
申请日： 2021-08-17 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明涉及的一种异质结电池片及其叠瓦组件的制备方法，一种异质结电池片及其叠瓦组件的制备方法，包括以下内容：激光切割：选取基材硅片通过激光切割成两分片或者三分片，切割深度采用60%以上的深度进行切割，然后让硅片自动裂片；清洗；非晶硅薄膜沉积；TCO导电膜制备；印刷；固化使得银栅线与TCO导电膜之间形成良好的欧姆接触；测试分档。本发明通过对工艺流程的优化，解决大尺寸异质结电池制作由于硅片翘曲导致的电池效率损失问题和减少切割带来的异质结叠瓦组件的功率损失，从而提升组件功率。
一种异质结电池及其组件制备方法

[发明专利]异质结太阳能电池及其制备方法-CN201310511273.8有效
发明人：陈剑辉;李锋;沈燕龙;赵文超;李高非;胡志岩;熊景峰 -专利权人：英利集团有限公司
申请日： 2013-10-25 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明提供了一种异质结太阳能电池及其制备方法。其中异质结太阳能电池包括衬底，形成在衬底上表面的TCO，以及形成在TCO上的栅极，TCO包括：第一TCO，依据栅线排布结构设置在衬底的上表面；第二TCO，围绕第一TCO覆盖在衬底的上表面，栅极排布在支撑栅极本发明所提供的异质结太阳能电池，通过将位于衬底正面的TCO采用具有不同透光率和电导率的两部分组合形成，进而改善n型异质结太阳能电池的FF和jsc，从而降低材料方阻，提高光电转换效率。
异质结太阳能电池及其制备方法

[实用新型]一种异质结太阳能电池-CN202120274607.4有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：宣城睿晖宣晟企业管理中心合伙企业（有限合伙）
申请日： 2021-01-30 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本申请公开了一种异质结太阳能电池，一种异质结太阳能电池，包括硅片，镀附于所述硅片一面的本征非晶硅薄膜层、N型非晶硅/微晶硅薄膜层、透明导电层，镀附于所述硅片另一面的本征非晶硅薄膜层、P型非晶硅/微晶硅薄膜层、透明导电层，以及位于所述透明导电层上的电极，所述电极为栅线，至少部分嵌入到所述透明导电层的内部。上述异质结太阳能电池，能够提高电池填充因子，同时制作方法简单，对现有异质结电池的制程干扰有限，简便易行。
一种异质结太阳能电池

[发明专利]基于背栅控制的增强型器件及其制备方法-CN202210806525.9在审
发明人：宁殿华;田伟;熊正兵;黄小蕾;李荷琴;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：苏州英嘉通半导体有限公司
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明揭示了一种基于背栅控制的增强型器件及其制备方法，所述增强型器件包括：衬底；位于衬底上的异质结，异质结包括沟道层及势垒层，沟道层中形成有二维电子气；位于异质结上的介质层；源极、漏极及栅极，所述源极和漏极位于势垒层及部分沟道层中，栅极位于源极和漏极之间的介质层上；背栅，形成于栅极下方区域的衬底上，所述背栅上施加有负偏压以耗尽栅极区域下方的二维电子气，从而将耗尽型器件转变为增强型器件。本发明在常规耗尽型器件的基础上增加背栅结构，通过在背栅上施加负偏压以耗尽栅极区域下方的二维电子气，从而达到载流子沟道常关的效果，将耗尽型器件转变为增强型器件。
基于控制增强器件及其制备方法

[实用新型]基于背栅控制的增强型器件-CN202221767736.8有效
发明人：宁殿华;蒋胜;田伟;熊正兵;黄小蕾;李荷琴 -专利权人：苏州英嘉通半导体有限公司
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本实用新型揭示了一种基于背栅控制的增强型器件，所述增强型器件包括：衬底；位于衬底上的异质结，异质结包括沟道层及势垒层，沟道层中形成有二维电子气；位于异质结上的介质层；源极、漏极及栅极，所述源极和漏极位于势垒层及部分沟道层中，栅极位于源极和漏极之间的介质层上；背栅，形成于栅极下方区域的衬底上，所述背栅上施加有负偏压以耗尽栅极区域下方的二维电子气，从而将耗尽型器件转变为增强型器件。本实用新型在常规耗尽型器件的基础上增加背栅结构，通过在背栅上施加负偏压以耗尽栅极区域下方的二维电子气，从而达到载流子沟道常关的效果，将耗尽型器件转变为增强型器件。
基于控制增强器件

[发明专利]一种以氢化非晶氮氧化硅薄膜为钝化层的异质结太阳电池-CN202010369102.6在审
发明人：杨杰;李正平;刘超;任栋樑;徐小娜;周国平;陈昌明 -专利权人：熵熠(上海)能源科技有限公司
申请日： 2020-05-02 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明公开了一种以氢化非晶氮氧化硅薄膜为钝化层的异质结太阳电池，其特征在于，包括n型单晶硅片，n型单晶硅片的正表面依次形成氢化非晶氮氧化硅薄膜层、p型氢化非晶硅薄膜层、透明导电氧化物薄膜层和金属栅线电极；所述n型单晶硅片的背表面依次形成氢化非晶氮氧化硅薄膜层、n型氢化非晶硅薄膜层、透明导电氧化物薄膜层和金属栅线电极。本发明通过以氢化非晶氮氧化硅薄膜作为异质结太阳电池的本征钝化层，对晶硅表面具有优良的钝化效果，从而减少界面载流子复合，提高异质结电池转换效率。
一种氢化非晶氮氧化薄膜钝化异质结太阳电池

[发明专利]一种以非晶氧化硅薄膜为本征钝化层的异质结太阳电池-CN202010369109.8在审
发明人：李正平;刘超;杨杰;任栋樑;陈昌明;徐小娜;周国平 -专利权人：熵熠(上海)能源科技有限公司
申请日： 2020-05-02 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种以非晶氧化硅薄膜为本征钝化层的异质结太阳电池，其特征在于，包括在n型单晶硅片的正表面依次形成的非化学计量氢化非晶氧化硅薄膜层、p型氢化非晶硅薄膜层、透明导电氧化物薄膜层和金属栅线电极，在n型单晶硅片的背表面依次形成的非化学计量氢化非晶氧化硅薄膜层、n型氢化非晶硅薄膜层、透明导电氧化物薄膜层和金属栅线电极。本发明通过以非化学计量氢化非晶氧化硅薄膜作为异质结太阳电池的本征钝化层，对晶硅表面具有优良的钝化效果，从而减少界面载流子复合，提高异质结电池转换效率。
一种氧化薄膜钝化异质结太阳电池