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[实用新型]一种针对叠瓦组件制程的硅基异质结（HJT）太阳能电池的金属电极-CN201821810614.6有效
发明人：黄信二;郑佳毅 -专利权人：研创应用材料（赣州）股份有限公司
申请日： 2018-11-05 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：一种针对叠瓦组件制程的硅基异质结(HJT)太阳能电池的金属电极，所述金属电极由不止一块电池小片连接而成，每块电池小片包括多根彼此等距平行的等长栅线；每块电池小片任意面上的栅线的任意一端，涂敷有导电胶，导电胶连接导电胶线，导电胶线与小电池片上所有栅线的同一端连接，导电胶线完全覆盖所有栅线的端头，保证没有端头超越栅线，与之相邻的另外一电池小片的非涂胶面的非涂胶端的位置与导电胶重叠，同时保证导电胶线完全覆盖所有栅线的端头，保证没有端头超越栅线。本实用新型降低了制备叠瓦组件用硅基异质结太阳能电池的贵金属消耗，降低生产成本；同时也减少了重叠区域厚度，降低了叠瓦过程中的破片风险。
栅线导电胶线端头硅基异质结太阳能电池金属电极瓦组件电池导电胶涂胶制程本实用新型导电胶连接等距平行小电池片重叠区域贵金属同一端保证等长破片涂敷制备消耗

[发明专利]AlGaAs/GaAs高电子迁移率晶体管及制备方法-CN202010350285.7有效
发明人：陈凯;化宁;沈晓唯;章泉源;王佳;尚会锋;姚崇斌;王茂森;张瑞珏;戴杰;黄硕 -专利权人：上海航天测控通信研究所
申请日： 2020-04-28 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了AlGaAs/GaAs高电子迁移率晶体管，自下而上依次包括GaAs或锗衬底、若干层AlGaAs/GaAs异质结、GaAs帽层、SiN钝化层、源电极、漏电极和栅电极，其中，栅鳍采用上下不同鳍宽的叠层结构，上层鳍宽较下层鳍宽窄；栅电极与若干层AlGaAs/GaAs异质结的侧墙之间包括绝缘介质层，本发明提供的高电子迁移率晶体管采用三维叠层鳍式结构，使得不同鳍宽的栅极区域对器件沟道进行复合控制，相当于不同阈值器件的并联，施加栅极电压，器件跨导特性展宽，改善线性工作特性；在栅鳍的侧墙引入绝缘介质层，有效降低由于鳍式结构侧栅刻蚀表面引入的泄漏电流，降低器件的静态功耗，使器件的击穿电压得到提高。
algaas gaas 电子迁移率晶体管制备方法

[发明专利]一种银用量低的异质结太阳能电池及其制作方法-CN202210122630.0在审
发明人：杨与胜;谢艺峰;张超华 -专利权人：福建金石能源有限公司
申请日： 2022-02-09 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明涉及一种银用量低的异质结太阳能电池制作方法，在待形成电极的电池片背面依次形成金属导电层、抗氧化保护层和焊盘组件。本发明的目的在于提供一种银用量低的异质结太阳能电池及其制作方法，采用金属导电层替代银浆栅线，并设置焊盘保证焊接拉力，大幅降低生产成本。
一种用量异质结太阳能电池及其制作方法

[发明专利]半导体异质结场效应晶体管栅结构的制备方法-CN201110266824.X无效
发明人：朱俊;廖秀尉;郝兰众;李言荣 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2011-09-09 - 公布日： 2012-01-04 - 主分类号： H01L21/283 文献下载
摘要：半导体异质结场效应晶体管栅结构的制备方法，涉及微电子器件制备领域。本发明包括下述步骤：(1)在已制作了源电极和漏电极的GaN基半导体异质结构上涂覆正性光刻胶；(2)通过曝光和显影工艺对光刻胶进行微图形化，留下合适的区域制作MgO掩膜；(3)沉积MgO薄膜；(4)剥离光刻胶，留下直接沉积在基片上的MgO薄膜作为掩膜；(5)依次沉积铁电氧化物薄膜层和金属层；(6)剥离MgO掩膜，留下直接沉积在基片上的铁电氧化物薄膜层和金属层作为半导体异质结场效应管的栅结构。本发明制备方法简单，而且对GaN基半导体异质结构的损伤较小，不会对器件的性能造成太大的影响。
半导体异质结场效应晶体管结构制备方法

[发明专利]一种平面型绝缘栅双极晶体管及其制备方法-CN201810998569.X有效
发明人：张金平;罗君轶;赵阳;刘竞秀;李泽宏;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-08-29 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：一种平面型绝缘栅双极晶体管及其制备方法，属于功率半导体技术领域。本发明在器件靠近发射区外侧的基区上表面引入了禁带宽度相对较小的半导体层或肖特基接触金属，通过异质结或肖特基接触作为少数载流子势垒来增强电导调制效应，减小了器件导通压降、优化了器件正向压降和关断损耗的折中特性；并且由于本发明引入的异质结或肖特基接触在功能上可替代CS层，故有利于减小基区和漂移区形成PN结的电场强度以提高器件击穿电压；并使栅氧化层电场强度在安全值(3MV/cm)以下，从而保证了栅氧化层的可靠性
一种平面绝缘双极晶体管及其制备方法

[发明专利]一种沟槽型绝缘栅双极晶体管及其制备方法-CN201810998572.1有效
发明人：张金平;罗君轶;赵阳;刘竞秀;李泽宏;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-08-29 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：一种沟槽型绝缘栅双极晶体管及其制备方法，属于功率半导体技术领域。本发明在器件靠近发射区外侧的基区上表面引入了禁带宽度相对较小的半导体层或肖特基接触金属，通过异质结或肖特基接触作为少数载流子势垒来增强电导调制效应，减小了器件导通压降、优化了器件正向压降和关断损耗的折中特性；并且由于本发明引入的异质结或肖特基接触在功能上可替代CS层，故有利于减小基区和漂移区形成PN结的电场强度以提高器件击穿电压；并使栅氧化层电场强度在安全值(3MV/cm)以下，从而保证了栅氧化层的可靠性
一种沟槽绝缘双极晶体管及其制备方法

[发明专利]一种基于有机二维分子晶体的p-n异质结及其制备方法和在半波整流电路中的应用-CN202010054527.8在审
发明人：李荣金;田馨孜;牛智凯;胡文平 -专利权人：天津大学
申请日： 2020-01-17 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于有机二维分子晶体的p‑n异质结，采用机械转移法制备得到了p型有机半导体二维分子晶体在下、n型有机半导体二维分子晶体在上的垂直堆叠的p‑n异质结，实现了栅可控的整流行为；并利用简单的整流电路，实现了有机二维分子晶体p‑n异质结在半波整流电路中的应用。本发明通过机械转移二维分子晶体的方法就可以将二维有机分子晶体转移到任意衬底上，并且材料之间的选择不受转移方法的限制，有助于构建不同结构的有机异质结。
一种基于有机二维分子晶体异质结及其制备方法整流电路中的应用

[发明专利]基于蓝宝石衬底外延的准垂直器件及其制备方法-CN202311201390.4在审
发明人：张泽雨林;张春福;刘丁赫;陈大正;赵胜雷;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-09-18 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L29/267 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于蓝宝石衬底外延的准垂直器件及其制备方法，包括：衬底；p型氧化物异质外延层，位于衬底上；氧化镓外延层，位于p型氧化物异质外延层上；p型氧化物异质外延层与氧化镓外延层共同组成复合栅结构；阴极金属，位于氧化镓外延层上；阳极金属，位于p型氧化物异质外延层上，且至少部分环绕氧化镓外延层；通过阴极金属和阳极金属向复合栅结构施加偏置电压；其中，p型氧化物异质外延层、阳极金属、氧化镓外延层和阴极金属共同组成异质pn结准垂直器件。
基于蓝宝石衬底外延垂直器件及其制备方法

[实用新型]AZO-黑硅异质结太阳能电池-CN201220432470.1有效
发明人：夏洋 -专利权人：夏洋
申请日： 2012-08-28 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： H01L31/074 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种AZO-黑硅异质结太阳能电池，包括表面保护层、金属栅电极、AZO薄膜、黑硅层、晶硅层和金属背电极，所述表面保护层位于金属栅电极之上，所述金属栅电极位于AZO薄膜上，所述AZO薄膜位于黑硅层之上本实用新型的有益效果：在黑硅结构表面沉积n型AZO薄膜，形成异质结太阳能电池，提高太阳能电池的开路电压与短路电流，进而提高太阳能电池的转化效率；并简化了太阳能电池的结构，降低了生产成本。
azo 黑硅异质结太阳能电池

[实用新型]一种大栅宽的GaN基微波功率器件-CN201721577261.5有效
发明人：王洪;周泉斌 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2017-11-21 - 公布日： 2018-07-13 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种大栅宽的GaN基微波功率器件。该器件包括AlGaN/GaN异质结外延层、覆盖在AlGaN/GaN异质结外延层上的第一介质层、长条状的源电极、鱼骨状分布的漏电极、环状的栅电极、隔离上下两层电极的第二介质层、互连金属电极pad。本实用新型制备的大栅宽的GaN基微波功率器件，输入信号的相移小、器件的寄生电容小、信号增益高、功率附加效率高、输出功率高，同时，器件的制造工艺简单，节省芯片面积，重复性好，适用于高频率、高功率的无线通信
微波功率器件大栅本实用新型异质结外延介质层电极功率附加效率互连金属寄生电容上下两层输出功率无线通信信号增益制造工艺长条状高功率高频率漏电极鱼骨状源电极栅电极相移制备雷达隔离芯片覆盖

[发明专利]一种石墨烯径向异质结太阳能电池及其制备方法-CN201310122729.1无效
发明人：贾锐;乔秀梅;丁武昌;陈晨;崔冬萌;金智;刘新宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2013-04-10 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：本发明公开了一种石墨烯径向异质结太阳能电池及其制备方法，该太阳能电池包括：单晶硅衬底及形成于该单晶硅衬底上的p型或n型硅纳米柱；在该单晶硅衬底及该p型或n型硅纳米柱上依次形成的钝化膜、与硅纳米柱反型的非晶硅薄膜、石墨烯和TCO膜；在该TCO膜上制作的金属栅电极；以及在该单晶硅衬底背面制作的背电极。本发明综合了径向结电池和异质结电池的优点，利用异质结电池的高效率和低温工艺，间接降低了生产成本，同时径向结有效提高了光的吸收利用，提高光生载流子的收集效率，从而有效地提高电池的效率，同时利用异质结的低温工艺
一种石墨径向异质结太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种平面栅IGBT器件及其制备方法-CN202211021554.0在审
发明人：王二俊;田晓丽;刘新宇;白云;杨成樾;汤益丹;陈宏 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-08-24 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及一种平面栅IGBT器件，其背部存在异质结，通过异质结存储并导通过剩载流子，大大提升器件的关断速度，显著降低器件的关断时间和关断损耗，同时不影响器件的击穿电压与栅极氧化物电场强度，更好地实现了器件正向导通压降与关断损耗之间的折衷本发明还涉及平面栅IGBT器件的制备方法，其与传统的SiC IGBT制备工艺适配。
一种平面 igbt 器件及其制备方法

[发明专利]二次外延P型氮化物实现增强型HEMT的方法及增强型HEMT-CN201510229277.6在审
发明人：于国浩;张志利;蔡勇;张宝顺;付凯;孙世闯;宋亮 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2015-05-07 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：该方法包括：提供异质结构，并在所述异质结构上制作源、漏电极，使源、漏电极与异质结构表面形成欧姆接触且还均与异质结构中的二维电子气连接；对异质结构的位于栅电极正下方的势垒层(例如AlGaN层)和N型半导体层(例如i‑GaN层)的部分区域进行刻蚀，形成穿入N型半导体层内的凹槽；通过该凹槽在N型半导体层内生长P型半导体，该P型半导体能够在栅电极接零偏压时与N型半导体层形成PN结以及在栅电极接正向电压时反型而使源、漏电极导通；以及，在源、漏电极之间制作栅电极。
二次外延氮化物实现增强 hemt 方法

[发明专利]一种用于异质结太阳能电池的电镀锡液及其制备方法-CN202011288942.6有效
发明人：田志斌;邓正平;陈维速;胡明;詹益腾 -专利权人：广州三孚新材料科技股份有限公司
申请日： 2020-11-17 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： C25D3/30 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于异质结太阳能电池的电镀锡液，每升用于异质结太阳能电池的电镀锡液包括以下组分：锡盐45～50g，硫酸70～80g，光亮剂3～6g，分散剂1～2g，稳定剂2～5g，硫醛添加剂0.5～1g本发明所提供的电镀锡液在应用于异质结太阳能电池的栅状金属电极制作时具有较好的稳定性和电镀锡效果。
一种用于异质结太阳能电池镀锡及其制备方法

[实用新型]一种异质结太阳能电池及其组件-CN202123417140.3有效
发明人：王进;毛卫平;任明冲;刘霖;杨伯川 -专利权人：东方日升新能源股份有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种异质结太阳能电池及其组件。该异质结太阳能电池包括硅片以及依次层叠设置于硅片两个绒面上的本征层、掺杂层以及透明导电层，透明导电层远离掺杂层的表面还设置有多个间隔分布的氧化硅单元，相邻氧化硅单元之间设置有栅线电极，其中，氧化硅单元的折射率在空气的折射率和透明导电层的折射率之间该异质结太阳能电池的生产成本低廉，工艺简单，易实现，且具有优异的短路电流以及光电转化效率。
一种异质结太阳能电池及其组件