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[发明专利]一种β-Ga₂O₃基薄膜晶体管及其制备方法-CN201910055466.4在审
发明人：刘增;唐为华;李培刚 -专利权人：北京镓族科技有限公司
申请日： 2019-01-21 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明通过对介质层材质的具体选择，使得介质层与沟道层能够形成良好的异质界面，由于异质材料能带的不连续，栅介质在异质界面处具有充当载流子势垒的作用，与沟道材料形成良好异质结并具有较高导带补偿和价带补偿的栅介质能够有效约束电子和空穴的输运
介质层异质界面基薄膜栅介质晶体管制备载流子空穴薄膜晶体管沟道材料异质材料有效约束不连续沟道层异质结高导价带势垒输运

[实用新型]一种背接触异质结太阳能电池组件的结构-CN201821499655.8有效
发明人：谢志刚;辛炳奎;张超华;王树林;林朝晖 -专利权人：福建金石能源有限公司
申请日： 2018-09-13 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： H01L31/05 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种背接触异质结太阳能电池组件的结构，其包括：多个串联连接的子电池片，相邻子电池片的N型主栅线和P型主栅线电连接，其中相邻子电池片之间至少有两片为主电池片从主栅线分割而成，其中所述主电池片包括：N型背接触异质结太阳能电池片；设在太阳能电池片背面的收集电极，以及交叉排布的N型电极和P型电极，所述收集电极包括N型细栅线、N型主栅线、P型细栅线和P型主栅线，所述N型电极和N型细栅线形成电连接，P型电极和P型细栅线形成电连接，或者P型电极和N型细栅线形成电连接，N型电极和P型细栅线形成电连接，其中，N型细栅线和P型细栅线呈指状交叉排布。
细栅线电连接主栅线异质结太阳能电池背接触子电池收集电极太阳能电池片本实用新型交叉排布指状交叉电池片主电池排布分割

[发明专利]一种p型背接触太阳电池及其制备方法-CN201810759465.3在审
发明人：李华;鲁伟明;李中兰;靳玉鹏 -专利权人：泰州隆基乐叶光伏科技有限公司
申请日： 2018-07-11 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明涉及一种p型背接触太阳电池及其制备方法，上而下依次包括：正面钝化及减反射膜、p型硅基底、n型异质结区、背面钝化膜和电池电极；n型异质结区自上而下依次为背面钝化隧穿层、n型掺杂膜层；电极包括正极和负极，正极包括正极细栅线和正极连接电极，所述负极包括负极细栅线和负极连接电极；正极细栅线局域地与p型硅基底形成接触；负极细栅线局域地与n型掺杂膜层形成接触；所述正极细栅线与正极连接电极连接，并通过正极连接电极导出电流，负极细栅线与负极连接电极连接，并通过负极连接电极导出电流。
细栅线正极负极电极负极连接正极连接电极连接异质结区背接触局域地导出基底膜层制备背面钝化膜背面钝化电池电极电池性能减反射膜漏电流隧穿层钝化表现

[发明专利]N面GaN基鳍式高电子迁移率晶体管及制作方法-CN201610297803.7有效
发明人：张金风;黄旭;安阳;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2016-05-06 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： H01L29/04 文献下载
摘要：主要解决现有小尺寸高电子迁移率晶体管栅控能力差及源、漏电阻大的问题。其自下而上包括衬底、GaN缓冲层、AlGaN势垒层、GaN沟道层、栅介质层、钝化层和源、漏、栅电极。其中缓冲层和沟道层采用N面GaN材料；AlGaN势垒层包括两层AlGaN，并且第一层AlGaN材料的Al组分逐渐变化；GaN沟道层和AlGaN势垒层组成GaN/AlGaN异质结；源、漏电极分别位于势垒层和沟道层的左、右两端；栅电极覆盖在鳍型GaN/AlGaN异质结的两侧和上方。本发明器件具有源、漏电阻小、栅泄漏电流小和栅控能力好的优点，可用作小尺寸高速低功耗器件。
gan 基鳍式高电子迁移率晶体管制作方法

[实用新型]一种p型背接触太阳电池-CN201821096673.1有效
发明人：李华;鲁伟明;李中兰;靳玉鹏 -专利权人：泰州隆基乐叶光伏科技有限公司
申请日： 2018-07-11 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种p型背接触太阳电池，上而下依次包括：正面钝化及减反射膜、p型硅基底、n型异质结区、背面钝化膜和电池电极；n型异质结区自上而下依次为背面钝化隧穿层、n型掺杂膜层；电极包括正极和负极，正极包括正极细栅线和正极连接电极，所述负极包括负极细栅线和负极连接电极；正极细栅线局域地与p型硅基底形成接触；负极细栅线局域地与n型掺杂膜层形成接触；所述正极细栅线与正极连接电极连接，并通过正极连接电极导出电流，负极细栅线与负极连接电极连接
细栅线正极负极电极负极连接正极连接本实用新型电极连接异质结区背接触局域地导出基底膜层背面钝化膜背面钝化电池电极电池性能减反射膜漏电流隧穿层钝化表现

[实用新型]一种高效异质结组件-CN201721095257.5有效
发明人：张杰;宋广华 -专利权人：福建钧石能源有限公司
申请日： 2017-08-30 - 公布日： 2018-04-27 - 主分类号： H01L31/05 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高效异质结组件，包括若干片通过低温焊接相互连接的电池片，所述电池片上设有均匀分布的细栅线，所述电池片在主栅位置间隔设置有焊盘，所述电池片主栅线位置处的焊盘上放置有铜线，所述铜线外表面包覆有低温合金涂层，所述铜线跟细栅线相互垂直。本实用新型实现了高效异质结电池片的低温连接，避免了高温焊接对电池片的负面影响，以带有低温涂层的细铜线为连接载体，增加了光的吸收，降低了组件的内阻，从而提升了组件输出功率，且由于电池片主栅间隔设置焊盘，及多条铜线互联可以减少副栅的数量
一种高效异质结组件

[实用新型]一种多主栅双面发电太阳能电池及其模组-CN202021544327.2有效
发明人：林朝晖;张超华;王树林 -专利权人：福建金石能源有限公司
申请日： 2020-07-30 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多主栅双面发电太阳能电池及其模组，多主栅双面发电太阳能电池包括待形成金属电极的晶硅异质结电池，所述晶硅异质结电池正背面形成铜栅线层，所述铜栅线层表面镀一层锡层形成铜栅线层电极，模组包括太阳能电池片本实用采用镀锡金属电极，制作成模组时，与银浆栅线电极对比，镀锡金属电极与圆形焊带之间很容易焊接在一起，且连接更加牢固，从而降低串焊机技术要求，提高产品可靠性。
一种多主栅双面发电太阳能电池及其模组

[发明专利]一种减少接触电阻的异质结丝网印刷方法-CN202310762421.7在审
发明人：郭小勇;李聪;王玉峰;汤安民;杨文栋;唐旋 -专利权人：眉山琏升光伏科技有限公司
申请日： 2023-06-26 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明涉及电池片技术领域，具体公开了一种减少接触电阻的异质结丝网印刷方法，具体包括以下步骤：步骤S1:对制绒清洗后的电池片的正面和背面分别依次镀非/微晶膜层和TCO膜层；步骤S2:对电池片背面的TCO膜层上准备印刷主栅和细栅的位置进行退火处理；步骤S3：对电池背面进行主栅、细栅印刷；步骤S4:电池片翻面，对电池正面的TCO膜层上准备印刷主栅和细栅的位置进行退火处理；步骤S5：对电池正面进行主栅、细栅印刷；步骤S6:固化箱固化。本发明将有效的降低双面TCO膜层的方阻，减少TCO膜层与丝网浆料的接触电阻，从而降低电池片的串阻，提升了填充因，提升异质结电池片的制备效率。
一种减少接触电阻异质结丝网印刷方法

[发明专利]基于Ga2-CN202010126020.9有效
发明人：董志华;周明;刘辉;王育天;李仕琦;刘国华;程知群 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2020-02-27 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开了基于Ga2O3/TiO2复合悬浮栅的异质结场效应管及其制备方法和紫外探测器件，至少包括源极、漏极、悬浮栅极以及至少一异质结沟道，源极和漏极通过异质结沟道电连接。其中，AlGaN/GaN异质结构中，AlGaN厚度低于足以产生二维电子气的临界厚度，因此在天然状态下，AlGaN/GaN异质结沟道中不存在二维电子气。在Ga2O3/TiO2悬浮栅结构中，TiO2
基于 ga base sub

[发明专利]一种大栅宽的GaN基微波功率器件及其制造方法-CN201711168295.3在审
发明人：王洪;周泉斌 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2017-11-21 - 公布日： 2018-03-13 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供了一种大栅宽的GaN基微波功率器件及其制造方法。该器件包括AlGaN/GaN异质结外延层、覆盖在AlGaN/GaN异质结外延层上的第一介质层、长条状的源电极、鱼骨状分布的漏电极、环状的栅电极、隔离上下两层电极的第二介质层、互连金属电极pad。本发明制备的大栅宽的GaN基微波功率器件，输入信号的相移小、器件的寄生电容小、信号增益高、功率附加效率高、输出功率高，同时，器件的制造工艺简单，节省芯片面积，重复性好，适用于高频率、高功率的无线通信、雷达等领域
一种大栅宽 gan 微波功率器件及其制造方法

[发明专利]一种栅线制备方法、异质结电池的制备方法和异质结电池-CN202110105937.5在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：宣城睿晖宣晟企业管理中心合伙企业（有限合伙）
申请日： 2021-01-26 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种栅线制备方法、异质结电池的制备方法和异质结电池，属于太阳能电池生产方法的技术领域。所述栅线制备方法包括在硅衬底的至少一侧上制备透明导电薄膜；在所述透明导电薄膜上制备具备自钝化性能的金属导电掩膜；使得所述金属导电掩膜氧化以生成钝化氧化层；在所述钝化氧化层上制备铜种子层；以及在所述铜种子层上形成铜栅线
一种制备方法异质结电池

[发明专利]AZO-黑硅异质结太阳能电池及制备方法-CN201210311075.2有效
发明人：夏洋 -专利权人：夏洋
申请日： 2012-08-28 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种AZO-黑硅异质结太阳能电池，包括表面保护层、金属栅电极、AZO薄膜、黑硅层、晶硅层和金属背电极，所述表面保护层位于金属栅电极之上，所述金属栅电极位于AZO薄膜上，所述AZO薄膜位于黑硅层之上本发明的有益效果：在黑硅结构表面沉积n型AZO薄膜，形成异质结太阳能电池，提高太阳能电池的开路电压与短路电流，进而提高太阳能电池的转化效率；并简化了太阳能电池的结构，降低了生产成本。
azo 黑硅异质结太阳能电池制备方法

[实用新型]一种低温串接的太阳能电池组件-CN201520482529.1有效
发明人：何湘衡;贺斌;李廷凯;朱永红 -专利权人：湖南共创光伏科技有限公司
申请日： 2015-07-07 - 公布日： 2015-12-02 - 主分类号： H01L31/05 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种低温串接的太阳能电池组件，它包括若干焊带以及印有细栅线的若干双面异质结太阳能电池片，还包括若干ECA导电浆料层，所述ECA导电浆料层设置在所述细栅线上，且与细栅线垂直；所述焊带设置在所述ECA导电浆料层上方，相邻的两个双面异质结太阳能电池片之间通过焊带连接。
一种低温太阳能电池组件

[发明专利]一种石墨烯氧化钼异质结极化激元波前调控器件及方法-CN202111423638.2在审
发明人：戴庆;胡海;腾汉超;陈娜;曲云鹏 -专利权人：国家纳米科学中心
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： G02B5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种石墨烯氧化钼异质结极化激元波前调控器件及方法属于石墨烯氧化钼异质结技术领域。包括自上而下依次设置的石墨烯覆盖层、氧化钼薄层和衬底层，所述石墨烯覆盖层上设置有金属天线，本发明依靠化学掺杂或者电学栅压动态调控石墨烯的载流子浓度，从而实现异质结构中激发的双曲声子极化激元和等离激元杂化模式波前形状的动态调控以及拓扑转变依靠改变载流子浓度的手段实现了动态调控石墨烯氧化钼异质结杂化激元的波前形状，所述方法简单易行，调控手段灵活精确。
一种石墨氧化钼异质结极化激元波前调控器件方法

[发明专利]异质结太阳能电池及其制备方法-CN202111672703.5在审
发明人：王进;毛卫平;任明冲;刘霖;杨伯川 -专利权人：东方日升新能源股份有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种异质结太阳能电池及其制备方法。该异质结太阳能电池的制备方法包括以下步骤：对硅片的两面进行制绒处理，然后在绒面上依次制备本征层、掺杂层以及透明导电层；在透明导电层远离掺杂层的表面制备多个间隔分布的氧化硅单元，氧化硅单元的折射率在空气的折射率和透明导电层的折射率之间；在相邻氧化硅单元之间制备栅线电极；以及依次进行固化与光注入处理，得到异质结太阳能电池。该该制备方法的原料成本低廉，工艺简单，易实现，且利用该制备方法得到的异质结太阳能电池具有高短路电流以及光电转化效率。
异质结太阳能电池及其制备方法