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[发明专利]一种仅由场效应管实现的恒温电流源-CN201410150779.5有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：成都锐成芯微科技有限责任公司
申请日： 2014-04-15 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：一种仅由场效应管实现的恒温电流源，包括一电源端、一接地端、一电流输出端和一第一场效应管、一第二场效应管、一第三场效应管、一第四场效应管、一第五场效应管、一第六场效应管、一第七场效应管、一第八场效应管、一第九场效应管、一第十场效应管，所述第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管、第四场效应管和第五场效应管组合产生带温度补偿的电流源；所述第六场效应管、第七场效应管、第八场效应管、第九场效应管和第十场效应管提供必要的直流偏置
一种场效应实现恒温电流

[发明专利]一种场效应管数理模型构建方法-CN202310665287.9在审
发明人：周维;王鹏;刘亮;张宁;代振东;张广宇;陈大鹏 -专利权人：中国航空工业集团公司沈阳飞机设计研究所
申请日： 2023-06-05 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G06F30/36 文献下载
摘要：本申请属于场效应管仿真试验技术领域，具体涉及一种场效应管数理模型构建方法，分析场效应管物理机理，筛选与场效应管静态特性直接关联的主要物理参数，以该主要物理参数构建场效应管静态模型；分析场效应管物理机理，筛选与场效应管动态特性直接关联的主要物理参数，以该主要物理参数构建场效应管静态模型；以场效应管静态模型、场效应管静态模型，搭建场效应管测试电路，将仿真结果与实测数据进行对比，若不相吻合，则重新构建场效应管静态模型、场效应管静态模型。
一种场效应数理模型构建方法

[发明专利]阵列型场效应管光电传感器及未知光源波长识别方法-CN202211620769.4在审
发明人：古瑞琴;杨志博;郭海周;王庆;汪静;高胜国 -专利权人：郑州炜盛电子科技有限公司
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： G01D5/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种阵列型场效应管光电传感器及未知光源波长识别方法，所述阵列型场效应管光电传感器包括依次设置在基板上的场效应管Ⅰ、场效应管Ⅱ、场效应管Ⅲ、场效应管Ⅳ和场效应管Ⅴ，所述场效应管Ⅰ、所述场效应管Ⅱ、所述场效应管Ⅲ、所述场效应管Ⅳ和所述场效应管Ⅴ分别对应不同的峰值波长，形成2.7μm至3.9μm峰值波长梯度的阵列型场效应管光电传感器。本发明基于所述阵列型场效应管光电传感器，能够实现峰值波长在2.7μm至3.9μm内未知光源的波长及能量检测。
阵列场效应光电传感器未知光源波长识别方法

[发明专利]在分立的功率MOS场效应管集成传感场效应管的器件及方法-CN201110200041.1有效
发明人：苏毅;安荷·叭剌 -专利权人：万国半导体股份有限公司
申请日： 2011-07-06 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明涉及在不增加掩膜层以及制备工艺程序的数量的前提下，提供的一种在一个分立的功率MOS场效应管内集成一个或多个传感场效应管的功率器件及其制备方法。该半导体器件包含一个主场效应管以及一个或多个传感场效应管；传感场效应管的晶体管部分被主场效应管的晶体管包围着；包围主场效应管的电绝缘结构，使主场效应管的源极和本体区，与传感场效应管的源极和本体区电绝缘。传感场效应管源极垫位于主场效应管的边缘处，并与传感场效应管的晶体管部分分隔开；传感场效应管源极垫通过传感场效应管探针金属，连接到传感场效应管的晶体管部分；配置绝缘结构，使传感场效应管的晶体管部分以及传感场效应管源极垫位于主场效应管的有源区外部
分立功率 mos 场效应集成传感器件方法

[发明专利]高电源抑制比电压转换电流电路-CN202010169940.9有效
发明人：钟鹏飞;李斌 -专利权人：成都纳能微电子有限公司
申请日： 2020-03-16 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种高电源抑制比电压转换电流电路，包括输入端、电源模块、隔离模块、源随器模块及输出端，隔离模块包括第一场效应管、第二场效应管、与第一场效应管相连的第三场效应管、与第三场效应管相连的第四场效应管、第五场效应管、与第五场效应管相连的第六场效应管、第七场效应管、与第七场效应管相连的第八场效应管、电容、第九场效应管、与第九场效应管相连的第十场效应管、第十一场效应管、与第十一场效应管相连的第十二场效应管及第十三场效应管；源随器模块包括第十四场效应管及负载电阻；隔离模块将电源模块与源随器模块隔离使得电源噪声不会对源随器模块产生干扰，源随器模块产生高电源抑制比电压转换电流电路的输出电压。
电源抑制电压转换电流电路

[发明专利]MOS管驱动式隔离泄放电路-CN201510614315.X有效
发明人：肖立志;刘伟;朱明达;冯硕;廖广志 -专利权人：中国石油大学（北京）
申请日： 2015-09-23 - 公布日： 2017-11-14 - 主分类号： H03K19/094 文献下载
摘要：该电路包括第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管、第四场效应管和场效应管驱动器组；其中，第一场效应管的源极与第二场效应管的源极相连，第一场效应管的栅极与场效应管驱动器组相连，第一场效应管的漏极与接收电路相连；第二场效应管的栅极与场效应管驱动器组相连，第二场效应管的漏极与天线相连；第三场效应管的源极与第四场效应管的源极相连，第三场效应管的栅极与场效应管驱动器组相连，第三场效应管的漏极与发射电路相连；第四场效应管的栅极与场效应管驱动器组相连，第四场效应管的漏极与天线相连。
mos 驱动隔离电路

[发明专利]一种集成耗尽型启动器件的功率MOS场效应管-CN201510756113.9有效
发明人：丁国华;罗寅;谭在超;张海滨 -专利权人：苏州锴威特半导体有限公司
申请日： 2015-11-09 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H01L27/085 文献下载
摘要：本发明涉及一种集成耗尽型启动器件的功率MOS场效应管，包括增强型MOS场效应管、耗尽型MOS场效应管和POLY电阻，所述增强型MOS场效应管和耗尽型MOS场效应管共漏极连接，所述耗尽型MOS场效应管的栅极和源极间串接有POLY电阻，将增强型MOS场效应管和耗尽型MOS场效应管共漏极引出作为功率MOS场效应管的漏电极，将增强型MOS场效应管的栅极引出作为功率MOS场效应管的第一栅电极，将增强型MOS场效应管的源极引出作为功率MOS场效应管的第一源电极，将耗尽型MOS场效应管的源极与POLY电阻的连接端引出作为功率MOS场效应管的第二源电极，将耗尽型MOS场效应管的栅极与POLY电阻的连接端引出作为功率MOS场效应管的第二栅电极整个功率MOS场效应管低功耗，简化了设计复杂度和降低成本。
一种集成耗尽启动器件功率 mos 场效应

[实用新型]一种集成耗尽型启动器件的功率MOS场效应管-CN201520890627.9有效
发明人：丁国华;罗寅;谭在超;张海滨 -专利权人：苏州锴威特半导体有限公司
申请日： 2015-11-09 - 公布日： 2016-04-06 - 主分类号： H01L27/085 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种集成耗尽型启动器件的功率MOS场效应管，包括增强型MOS场效应管、耗尽型MOS场效应管和POLY电阻，增强型MOS场效应管和耗尽型MOS场效应管共漏极连接，耗尽型MOS场效应管的栅极和源极间串接有POLY电阻，将增强型MOS场效应管和耗尽型MOS场效应管共漏极引出作为功率MOS场效应管的漏电极，将增强型MOS场效应管的栅极引出作为功率MOS场效应管的第一栅电极，将增强型MOS场效应管的源极引出作为功率MOS场效应管的第一源电极，将耗尽型MOS场效应管的源极与POLY电阻的连接端引出作为功率MOS场效应管的第二源电极，将耗尽型MOS场效应管的栅极与POLY电阻的连接端引出作为功率MOS场效应管的第二栅电极整个功率MOS场效应管低功耗，简化了设计复杂度和降低成本。
一种集成耗尽启动器件功率 mos 场效应

[发明专利]电源欠压尖峰脉冲检测电路-CN201610917289.2在审
发明人：陈飞龙 -专利权人：成都锐成芯微科技股份有限公司
申请日： 2016-10-21 - 公布日： 2018-05-01 - 主分类号： G01R29/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种电源欠压尖峰脉冲检测电路，包括电压变化获取子电路、静态置低子电路、低功耗控制子电路以及比较器，所述电压变化获取电路包括第一场效应管、与第一场效应管相连的第二场效应管、与第二场效应管相连的第三场效应管、第一电容及第二电容；所述低功耗控制子电路包括第四场效应管、与第四场效应管相连的第五场效应管、与第五场效应管相连的第六场效应管、与第六场效应管相连的第七场效应管、与第七场效应管相连的第八场效应管、第三电容及电阻；所述静态置低子电路包括第九场效应管、与第九场效应管相连的第十场效应管及与第十场效应管相连的第十一场效应管。
电源尖峰脉冲检测电路

[发明专利]一种限流短路保护电路-CN200610063149.X有效
发明人：刘坚斌;刘军;余佳 -专利权人：深圳安凯微电子技术有限公司
申请日： 2006-10-16 - 公布日： 2008-04-23 - 主分类号： H02H3/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种限流短路保护电路，包括场效应管M0、场效应管M1、场效应管M2、场效应管M3、场效应管M4、功率管MP1、功率管MP2及电阻R3，所述场效应管M0、场效应管M1、场效应管M2组成的电流镜等比例镜像电路，所述场效应管M0、场效应管M1、场效应管M2的源极均与地连接，场效应管M1、场效应管M2的漏极分别与场效应管M3、场效应管M4的漏极相连，场效应管M3、场效应管M4组成镜像电路，电阻R3的一端与场效应管M3的源极及功率管MP1的源极相连，电阻R3的另一端与场效应管M4的源极及功率管MP2的源极相连。
一种限流短路保护电路

[发明专利]流控环形振荡器-CN201611010672.6有效
发明人：何力 -专利权人：四川和芯微电子股份有限公司
申请日： 2016-11-17 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： H03L7/099 文献下载
摘要：本发明公开了一种流控环形振荡器，包括N个依次顺序连接的延迟单元，且N为大于1的奇数，其中每个延迟单元均包括第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管、第四场效应管、第五场效应管、第六场效应管及电流源；第一场效应管、第二场效应管的栅极连接，第一场效应管、第四场效应管的源极均与电流源的一端连接，电流源另一端与外部电源连接，第一场效应管、第二场效应管的漏极连接；第二场效应管的源极与第三场效应管的漏极连接；外部电压信号输入第三场效应管与第六场效应管的栅极；第四场效应管、第五场效应管的栅极连接，第四场效应管、第五场效应管的漏极连接；第五场效应管的源极与第六场效应管的漏极连接。
环形振荡器

[实用新型]电源欠压尖峰脉冲检测电路-CN201621143979.9有效
发明人：陈飞龙 -专利权人：成都锐成芯微科技股份有限公司
申请日： 2016-10-21 - 公布日： 2017-08-29 - 主分类号： G01R29/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电源欠压尖峰脉冲检测电路，包括电压变化获取子电路、静态置低子电路、低功耗控制子电路以及比较器，所述电压变化获取电路包括第一场效应管、与第一场效应管相连的第二场效应管、与第二场效应管相连的第三场效应管、第一电容及第二电容；所述低功耗控制子电路包括第四场效应管、与第四场效应管相连的第五场效应管、与第五场效应管相连的第六场效应管、与第六场效应管相连的第七场效应管、与第七场效应管相连的第八场效应管、第三电容及电阻；所述静态置低子电路包括第九场效应管、与第九场效应管相连的第十场效应管及与第十场效应管相连的第十一场效应管。
电源尖峰脉冲检测电路

[发明专利]正反可接的低损耗LED灯具驱动电路-CN201811257186.3在审
发明人：叶姜 -专利权人：叶姜
申请日： 2018-10-26 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： H05B33/08 文献下载
摘要：一种正反可接的低损耗LED灯具驱动电路，包括P型场效应管Q1、P型场效应管Q2、N型场效应管Q3、N型场效应管Q4及至少一个发光二极管及至少一个电阻；第一直流电源端与场效应管Q1及场效应管Q3的漏极连接，与场效应管Q2及场效应管Q4的栅极连接；第二直流电源端与场效应管Q2及场效应管Q4的漏极连接，与场效应管Q1及场效应管Q3的栅极连接；场效应管Q1与场效应管Q2的源极相连；场效应管Q3与场效应管Q4的源极相连；发光二极管及电阻连接于场效应管Q1的源极与场效应管Q3的源极之间。
场效应管源极发光二极管直流电源端驱动电路栅极连接低损耗漏极发热量电阻连接整体损耗电阻反接正接电源

[实用新型]正反可接的低损耗LED灯具驱动电路-CN201821752351.8有效
发明人：叶姜 -专利权人：叶姜
申请日： 2018-10-26 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： H05B33/08 文献下载
摘要：一种正反可接的低损耗LED灯具驱动电路，包括P型场效应管Q1、P型场效应管Q2、N型场效应管Q3、N型场效应管Q4及至少一个发光二极管及至少一个电阻；第一直流电源端与场效应管Q1及场效应管Q3的漏极连接，与场效应管Q2及场效应管Q4的栅极连接；第二直流电源端与场效应管Q2及场效应管Q4的漏极连接，与场效应管Q1及场效应管Q3的栅极连接；场效应管Q1与场效应管Q2的源极相连；场效应管Q3与场效应管Q4的源极相连；发光二极管及电阻连接于场效应管Q1的源极与场效应管Q3的源极之间。
场效应管源极发光二极管直流电源端驱动电路栅极连接低损耗漏极发热量电阻连接整体损耗电阻反接正接电源

[发明专利]垂直二维互补场效应器件及其制造方法-CN202111414465.8在审
发明人：罗杰;平延磊 -专利权人：北京超弦存储器研究院
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明提供了一种垂直二维互补场效应器件及其制造方法，互补场效应器件包括基底和场效应单元，所述场效应单元包括至少两个对称设置的场效应子单元，所述每个场效应子单元包括间隔设置的一个P型场效应晶体管和一个N型场效应晶体管，所述P型场效应晶体管和所述N型场效应晶体管均包括源极、栅极和漏极，所述P型场效应晶体管和所述N型场效应晶体管之间填充有第一绝缘材料以实现相互隔离。制造方法通过设置第一成型掩膜和第一蚀刻掩模，在P型场效应晶体管和N型场效应晶体管的间隙填充前，第一蚀刻掩模给垂直二维互补场效应器件雏形保留两端形成张拉骨架结构，防止发生侧偏倒塌，以保证垂直二维互补场效应器件的质量和良品率
垂直二维互补场效应器件及其制造方法

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