“栅异质结”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果203655个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种背电极异质结太阳能电池及其制备方法-CN201580085420.7在审
发明人：薛黎明;杨武保;陆钧 -专利权人：中海阳能源集团股份有限公司
申请日： 2015-12-31 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：本发明公开了一种背电极异质结太阳能电池及其制备方法，其中背电极异质结太阳能电池包括：晶硅基片、异质结部分和背电极部分，晶硅基片的正面形成有陷光层，陷光层上沉积有增透膜，异质结部分位于晶硅基片的背部，包括本征非晶硅膜层、P型非晶硅膜层和N型非晶硅膜层，P型非晶硅膜层和N型非晶硅膜层上沉积有导电膜，背电极部分沉积于所述导电膜上，本发明将背电极异质结一体化，一方面具有异质结电池制造中工艺较为简单的优点，克服了常规异质结电池存在正面栅线的缺点；另一方面保持了背电极电池没有正面栅线的优点，克服了常规背电极电池制造工艺复杂的缺点。
背电极异质结太阳能电池晶硅基片异质结沉积异质结电池正面栅线导电膜陷光层制备本征非晶硅膜电池制造工艺增透膜电池一体化制造

[发明专利]异质结太阳能电池及其制备方法-CN202310593656.8在审
发明人：高纪凡;殷志豪;杨庆贺;段誉;杨广涛;陈达明 -专利权人：天合光能股份有限公司;天合光能（常州）科技有限公司
申请日： 2023-05-24 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本公开实施例中提供异质结太阳能电池及其制备方法，在异质结太阳能电池中，异质结单元至少一侧的透明导电层设置为分区结构，包括间隔排布的第一分区和第二分区并通过第二分区与电极栅线设置为电连接，第一分区的方阻大于第二分区的方阻使用本实施例的异质结太阳能电池，由于第一分区和第二分区的方阻不同，因此其导电性不同，高方阻的第一分区可用于将光生载流子通过电连接传导到低方阻的第二分区，低方阻的第二分区可用于将载流子通过电连接再传导到相应的电极栅线，该第二分区起到副栅的汇流作用，电极栅线起到主栅作用。该异质结太阳能电池能够实现通过不设置副栅来达到节省电极栅线浆料的目的。
异质结太阳能电池及其制备方法

[发明专利]硅基异质结电池的制备方法及硅基异质结电池-CN202110109067.9在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：宣城睿晖宣晟企业管理中心合伙企业（有限合伙）
申请日： 2021-01-26 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L31/074 文献下载
摘要：本发明公开一种硅基异质结电池的制备方法及硅基异质结电池，包括硅基片以及在所述硅基片的两侧分别设置的半导体层、导电层以及栅线，所述半导体层分别设置于所述硅基片的两侧，所述导电层设置于所述半导体层的外侧，所述栅线设置在所述导电层的外侧，其中栅线采用铜线以及覆盖在铜线上的导电胶组成。该技术方案通过将印刷银电极更改为铜线电极，从而降低硅基异质结电池的成本。
硅基异质结电池制备方法

[实用新型]一种异质结无主栅电池片的串接结构-CN202120737002.4有效
发明人：傅松楠;罗骞;尤宇文;谢延权;何广东 -专利权人：福建金石能源有限公司
申请日： 2021-04-12 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L31/048 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种异质结无主栅电池片的串接结构，在异质结无主栅电池片和低熔点焊带与胶膜之间设有一层胶片保护。本实用新型防止在层压过程，出现胶膜熔融渗入电池片与焊带之间的界面层，造成焊带与电池片栅线绝缘的问题。
一种异质结无主电池结构

[实用新型]一种高效异质结太阳能电池片-CN201620793016.7有效
发明人：张杰;庄辉虎;王树林;宋广华 -专利权人：福建金石能源有限公司
申请日： 2016-07-26 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01L31/05 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高效异质结太阳能电池片，设有细栅线，在电池片主栅线位置处放置导电粘结结构，与细栅线垂直；在导电粘结结构上面设有焊带，形成电池片连接。通过这种技术方案，实现了高效异质结电池片的低温连接，保证了电池片的电学性能不受影响；以导电粘结结构为连接载体，提高了焊接跟电池片的粘结力，减少了虚焊、焊接不牢靠现象，从而提升了高效异质结组件的可靠性；节省了主栅线的银浆用量
一种高效异质结太阳能电池

[发明专利]一种异质结电池制备方法-CN201911418127.4有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：苏州联诺太阳能科技有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结电池制备方法，异质结电池包括依次顺序设置的栅电极、透明导电层、n型非晶硅层、本征非晶硅层、单晶硅基底、本征非晶硅层、p型非晶硅层、透明导电层及栅电极，制备方法包括：在进行所述透明导电层的镀膜工艺之前，对所述异质结电池的半成品所处环境进行水汽管控，使所述异质结电池的半成品所处环境中的水汽含量控制在4E‑9mbar~6E‑9mbar范围内。该异质结电池制备方法在进行透明导电层的镀膜工艺之前通过进行水汽管控，使得形成的透明导电层的方阻降低，稳定性提升，波动减少；并使得最终形成的异质结电池的转换效率提高，填充因子增加，同时降低了串联电阻值。
一种异质结电池制备方法

[实用新型]一种铜栅异质结太阳能汽车天窗-CN202120702513.2有效
发明人：黄家容 -专利权人：福建钧石能源有限公司
申请日： 2021-04-07 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L31/048 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种铜栅异质结太阳能汽车天窗，包括：铜栅异质结叠瓦电池、汇流带，汽车天窗弧形上层玻璃、汽车天窗弧形下层玻璃，利用铜栅异质结电池的超高导电性能的特点，铜栅异质结叠瓦电池片可切割成2～3片小片电池本实用新型设计在于此电池片电极选用导电率超高的铜锡栅线电极，并且整片电池分片数量为2～3片，切割后的小片电池作为最小互连单元。
一种铜栅异质结太阳能汽车天窗

[发明专利]一种嵌入层异质结隧穿场效应晶体管及其制备方法-CN201410485848.8有效
发明人：黄如;吴春蕾;黄芊芊;王佳鑫;朱昊;王阳元 -专利权人：北京大学
申请日： 2014-09-22 - 公布日： 2017-01-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开一种嵌入层异质结隧穿场效应晶体管及其制备方法，属于CMOS超大规模集成电路(ULSI)中场效应晶体管逻辑器件领域。该嵌入层异质结隧穿场效应晶体管的垂直沟道区的两侧分别设有控制栅，该控制栅为L型结构，两个控制栅与垂直沟道区之间分别设有栅介质层，在垂直沟道区的上方设有隧穿源区，隧穿源区与沟道区之间设有一嵌入层，嵌入层的厚度小于隧穿结处空间电荷区宽度，在隧穿源区与嵌入层的交界面处形成错层型异质结，在嵌入层与沟道区的交界面处形成交错型异质结。
一种嵌入层异质结隧穿场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]异质结太阳能电池及其制备方法-CN201610458899.0在审
发明人：闫丽;张闻斌;王琪;顾凯;陆军威 -专利权人：苏州协鑫集成科技工业应用研究院有限公司;协鑫集成科技（苏州）有限公司;协鑫集成科技股份有限公司
申请日： 2016-06-22 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池领域，具体公开了一种异质结太阳能电池，其包括晶体硅片；依次位于晶体硅片的一侧上的第一本征层、第一掺杂非晶硅层、第一透明导电层、及正面栅线电极；以及位于晶体硅片的另一侧的背面电极；正面栅线电极为铜纳米线电极上述异质结太阳能电池，由于未采用银栅线电极，从而解决了银栅线电极所带的问题。另外，铜纳米线电极有利于降低材料成本且导电性能满足要求。铜纳米线电极具有一定的透光性，增强进入硅的光照量。铜纳米线电极基本没有栅线展宽的问题，降低了栅线遮挡面积，进一步增强进入硅层的光照量。还有铜纳米线电极柔韧性好，利于异质结太阳能电池柔性化发展。本发明还公开了一种异质结太阳能电池的制备方法。
异质结太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种晶硅异质结太阳电池的迎光面结构-CN202210577918.7在审
发明人：赵雷;王文静 -专利权人：中国科学院电工研究所
申请日： 2022-05-25 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明涉及晶硅异质结太阳电池技术领域，尤其涉及一种晶硅异质结太阳电池的迎光面结构。本发明提供了一种晶硅异质结太阳电池的迎光面结构，包括依次层叠设置的晶硅衬底和界面钝化层；在所述界面钝化层的表面进行线状选区设置载流子选择性接触表面场层，未设置载流子选择性接触表面场层的区域设置电学隔离层；所述载流子选择性接触表面场层能够取出所述晶硅衬底中的多子；所述载流子选择性接触表面场层的表面设置透明导电电极层；所述电学隔离层和透明导电电极层的表面设置栅状金属电极；所述栅状金属电极的栅线取向与所述透明导电电极层的线取向相垂直所述晶硅异质结太阳电池的迎光面结构可以很好的提高晶硅异质结太阳电池的短路电流密度。
一种晶硅异质结太阳电池光面结构

[发明专利]基于二维半导体异质结的与/或逻辑门电路及其实现和制备方法-CN201811056234.2有效
发明人：黄如;贾润东;黄芊芊;陈亮 -专利权人：北京大学
申请日： 2018-09-11 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于二维半导体异质结的与/或逻辑门电路及其实现和制备方法。利用两个具有单向导电性的二维半导体异质PN结并联，再配合固定电阻，即可以实现与/或逻辑功能。通过栅压的改变调节二维半导体异质结的单向导电性的方向，实现从PN结到NP结的变化。当二维半导体异质结处于不同的单向导电的方向时，能够分别实现与逻辑功能，或逻辑功能，即通过改变栅压，可以实现与/或逻辑的转变。本发明器件制备工艺简单，电路实现容易，大大降低电路面积，可实现大规模集成。
基于二维半导体异质结逻辑门电路及其实现制备方法

[发明专利]多栅电极结构和具有其的异质结太阳能电池及其制备方法-CN201911204242.1在审
发明人：崔宁;黄金;王继磊;姚伟;任晋贤;贾慧君;王嘉超 -专利权人：晋能光伏技术有限责任公司
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结太阳能双面电池上的多栅电极结构，多栅电极包括多条主栅和多条副栅，主栅与副栅垂直分布；主栅上设置4‑20个焊盘，主栅的线数为5‑24，主栅的宽度为0.03‑1.1mm；具有上述多栅电极结构的异质结太阳能电池板，包括：多栅电极结构，还包括以下结构：基底，基底为晶体硅片；在晶体硅片正面及背面生长的本征非晶硅薄膜；在本征非晶硅薄膜上生长的掺杂非晶硅薄膜；在掺杂非晶硅薄膜上生长的透明导电层薄膜；及在透明导电薄膜上设置的多栅电极本发明通过增加主栅的数量并将主栅的宽度变窄，对于后期制备的异质结太阳能双面电池，实现焊带与主栅线间的充分接触，在不改变浆料本身特性的前提下实现高标准的拉力。
电极结构具有异质结太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种沉积异质结电池铜栅线的方法-CN202211014217.9在审
发明人：黄惜惜;李世宇;赵桂香;张中建;高荣刚;黄国平 -专利权人：中节能太阳能科技（镇江）有限公司
申请日： 2022-08-23 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种沉积异质结电池铜栅线的方法，包括如下步骤：S1、制绒清洗；S2、非晶硅薄膜沉积；S3、透明导电薄膜沉积；S4、沉积铜细栅线：在透明导电薄膜沉积硅片的正面或背面沉积铜细栅线，形成铜细栅线沉积硅片；S5、丝网印刷栅线；本发明中，通过在硅片上沉积铜细栅线，用铜金属代替贵重的银金属，能够有效降低异质结电池的生产成本，同时通过沉积方法形成细栅线，相比较于电镀铜，生产研发设备少，工艺流程简单，不需要处理电镀铜废液，降低电镀铜废液对环境的影响，有效保护环境，大幅降低异质结电池在生产过程中的设备成本和生产成本。
一种沉积异质结电池铜栅线方法

[发明专利]异质结太阳能电池及其制备方法-CN201610316229.5在审
发明人：闫丽;张闻斌;王琪;顾凯;陆军威 -专利权人：苏州协鑫集成科技工业应用研究院有限公司;协鑫集成科技（苏州）有限公司;协鑫集成科技股份有限公司
申请日： 2016-05-12 - 公布日： 2016-08-10 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池领域，具体公开了一种异质结太阳能电池，其包括晶体硅片，依次位于所述晶体硅片的一侧上的第一本征层、第一掺杂非晶硅层、及纳米银线薄膜，以及位于所述晶体硅片的另一侧的背电极。上述异质结太阳能电池，取消ITO层和栅线电极的设置，大大增加了太阳光的利用率，对异质结太阳能电池的光电转换效率的提升极为有利；并且还取消了ITO层的沉积工艺步骤和栅线电极的印刷工艺步骤，极大简化了异质结太阳能电池的制作工序纳米银线薄膜具有良好的柔性，还可以应用于柔性异质结太阳能电池的研究。本发明还公开了一种异质结太阳能电池的制备方法。
异质结太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种与Si‑CMOS工艺兼容的AlGaN/GaN异质结HEMT器件及其制作方法-CN201711169060.6在审
发明人：王洪;周泉斌;李祈昕 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2017-11-21 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种与Si‑CMOS工艺兼容的AlGaN/GaN异质结HEMT器件及制作方法。该器件包括AlGaN/GaN异质结外延层、钝化层、栅介质层、无金栅电极、无金源漏电极。所述AlGaN/GaN异质结外延层从下往上依次包括衬底、氮化物成核层、氮化物缓冲层、GaN沟道层、AlGaN本征势垒层和AlGaN重掺杂层，AlGaN重掺杂层通过电离施主产生电荷以补偿半导体的表面受主能级从而抑制电流崩塌本发明通过在AlGaN/GaN异质结中采用双层AlGaN层，结合无金电极工艺和低温欧姆工艺，可以有效抑制HEMT器件的电流崩塌，提高器件性能，同时降低工艺温度、简化工艺流程，解决了AlGaN/GaN异质结HEMT与Si‑CMOS工艺兼容的技术瓶颈，有助于降低AlGaN/GaN异质结HEMT的制造成本。
一种 si cmos 工艺兼容 algan gan 异质结 hemt 器件及其制作方法