专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果2413个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202280017803.0在审
  • 周以伦 - 英诺赛科(苏州)半导体有限公司
  • 2022-04-12 - 2023-10-27 - H01L29/778
  • 一种半导体器件,包括成核层、缓冲层、第一氮化物基半导体层、第二氮化物基半导体层、S/D电极和栅极。成核层包括包含第一元素的组合物。缓冲层包括III‑V族化合物,所述III‑V族化合物包括第一元素。缓冲层设置在成核层上并与成核层形成界面。缓冲层具有的第一元素的浓度在缓冲层内振荡,使得第一元素的浓度作为缓冲层的厚度内的距离的振荡函数而变化。振荡函数的相邻峰之间的间隔相对于缓冲层内的第一参考点从宽变窄。第一和第二氮化物基半导体层、S/D电极和栅极设置在缓冲层上。
  • 半导体器件及其制造方法
  • [发明专利]一种准垂直型半导体器件及其制备方法-CN202311204659.4在审
  • 闫韶华;陈龙;刘庆波;黎子兰 - 广东致能科技有限公司
  • 2023-09-19 - 2023-10-27 - H01L29/778
  • 本发明涉及一种准垂直型半导体器件及其制备方法,属于半导体技术领域,用以简化制备工艺,提高电极的接触良率。所述准垂直型半导体器件包括阶梯状外延体、第一电极、第二电极和第三电极,阶梯状外延体中靠近第一垂直侧面的垂直面区域内包括垂直的二维电子气,在靠近第二垂直侧面的垂直面区域内包括垂直的二维空穴气;阶梯状外延体至少包括相邻接的第一阶梯外延体和第二阶梯外延体;第一电极提供在第一阶梯外延体顶部并形成欧姆接触;第二电极提供在第二阶梯外延体顶部并形成欧姆接触;第三电极提供在第一阶梯外延体的第一垂直侧面或第二垂直侧面并形成肖特基接触或绝缘接触。本发明的制备工艺流程简单、难度小,器件良率高。
  • 一种垂直半导体器件及其制备方法
  • [发明专利]半导体元件及其制作方法-CN202210412049.2在审
  • 陈志濠;沈依如 - 嘉和半导体股份有限公司
  • 2022-04-19 - 2023-10-27 - H01L29/778
  • 本发明公开一种半导体元件及其制作方法,其中半导体元件包含半导体叠层、绝缘结构、电极结构及保护层。绝缘结构设置于半导体叠层之上,且包含第一部分。第一部分包含第一开口,且第一开口暴露出绝缘结构的内侧壁。保护层设置于内侧壁与电极结构之间,且包含第二开口。其中,电极结构包含属材料。电极结构设置于第一开口中且接触保护层,并经由第二开口电性连接半导体叠层。绝缘结构包含第一材料,保护层包含第二材料,第二材料与金属材料之间的反应温度高于第一材料与金属材料之间的反应温度。
  • 半导体元件及其制作方法
  • [发明专利]一种P沟道半导体器件及其制备方法-CN202311204573.1在审
  • 陈龙;闫韶华;黎子兰 - 广东致能科技有限公司
  • 2023-09-19 - 2023-10-27 - H01L29/778
  • 本发明涉及一种P沟道半导体器件及其制备方法,属于半导体技术领域,用于解决P沟道器件制备难度大的问题。本发明提供的P沟道半导体器件包括由沟道层和势垒层构成的外延体,势垒层自沟道层的第一垂直界面外延得到;沟道层包括自下向上排列的N型半导体层和P型半导体层;外延体自顶部分隔为并列的第一外延体和第二外延体,第一外延体中垂直的二维空穴气和第二外延体中垂直的二维空穴气绝缘隔离;第一电极提供在第一外延体的顶部;第二电极提供在第二外延体的顶部;第三电极提供在外延体侧面的自第一垂直界面外延的势垒层上。本发明提供的增强型P沟道半导体器件能够提供垂直的高密度空穴气,降低了P沟道器件的制备难度。
  • 一种沟道半导体器件及其制备方法
  • [发明专利]漏极阶梯场板结构射频HEMT器件及其制备方法-CN202110180160.9有效
  • 孙慧卿;黄志辉;丁霄;王鹏霖;郭志友 - 华南师范大学
  • 2021-02-08 - 2023-10-27 - H01L29/778
  • 本发明涉及一种漏极阶梯场板结构射频HEMT器件及其制备方法,该器件包括依次层叠于衬底上的背势垒层、沟道层和势垒层,源极、p型区域以及漏极间隔设置于势垒层表面的第一钝化层中,第一水平漏场板沿漏极的部分表面延伸靠近p型区域;栅极设置于p型区域的表面;第二水平漏场板沿第一水平漏场板的部分表面延伸靠近栅极;第一垂直漏场板自势垒层延伸至背势垒层中;第二垂直漏场板沿第一垂直漏场板下表面侧向衬底方向延伸;第三垂直漏场板沿第二垂直漏场板下表面侧向衬底方向延伸;本发明具有阶梯状漏场板结构射频HEMT器件能够保持器件的导通电阻不变,相比于传统的HEMT,本发明的器件结构具有更小的栅漏电容,表现出更高的截止频率。
  • 阶梯板结射频hemt器件及其制备方法
  • [发明专利]高电子迁移率晶体管器件-CN202210374281.1在审
  • 陈纪孝;郑子铭;陈威任;李凯霖 - 联华电子股份有限公司
  • 2022-04-11 - 2023-10-24 - H01L29/778
  • 本发明提供一种高电子迁移率晶体管(HEMT)器件及其制造方法。HEMT器件包括衬底、沟道层、阻挡层、栅极、源极、漏极与源极场板。沟道层位于衬底上。阻挡层位于沟道层上。栅极位于阻挡层上,且具有彼此相对的第一侧与第二侧。源极位于栅极的第一侧。漏极位于栅极的第二侧。源极场板连接于源极。源极场板包括第一场板部、第二场板部与第三场板部。第一场板部连接于源极,且位于栅极的第一侧。第二场板部位于栅极的第二侧。第三场板部连接于第一场板部的末端以及第二场板部的末端。源极场板具有位于栅极的正上方的第一开口。第一开口位于第一场板部与第二场板部之间。第三场板部的俯视图案与栅极的俯视图案部分重叠。HEMT器件可降低功率损耗并提升器件速度。
  • 电子迁移率晶体管器件
  • [发明专利]半导体元件及其制作方法-CN202210377055.9在审
  • 陈志濠;沈依如 - 嘉和半导体股份有限公司
  • 2022-04-11 - 2023-10-24 - H01L29/778
  • 本发明公开一种半导体元件及其制作方法,其中半导体元件包含基板、半导体叠层、绝缘结构以及电极。半导体叠层设置于基板之上,且包含二维电子气区域。绝缘结构设置于半导体叠层之上,且包含第一绝缘层和第二绝缘层。第一绝缘层包含第一开口,第一开口暴露出第一绝缘层的第一内侧壁。第二绝缘层设置于第一绝缘层之上,且覆盖住第一绝缘层的第一内侧壁。第二绝缘层包含第二开口,位于第一开口内且暴露出第二绝缘层的第二内侧壁。第二绝缘层包含阶梯轮廓,且阶梯轮廓的梯缘重合第二内侧壁。电极设置于绝缘结构之上,且位于第二开口内。
  • 半导体元件及其制作方法
  • [发明专利]高电子迁移率晶体管及其制造方法-CN202310915038.0在审
  • 黄兴杰;郝荣晖;陈扶;赵杰;黄敬源 - 英诺赛科(珠海)科技有限公司
  • 2023-07-24 - 2023-10-20 - H01L29/778
  • 本申请提供高电子迁移率晶体管及其制造方法,涉及半导体技术领域,高电子迁移率晶体管包括:衬底;外延层,安置在衬底上;衬底和外延层形成原始结构;原始结构被分为第一结构、第二结构和离子隔离区;第一结构和第二结构中的任一结构均包括衬底和外延层;第一结构的外延层上安置有栅极结构、源极和漏极;第二结构的外延层上安置有第一电极和第二电极;其中,第二结构作为结温测试结构,第一电极和第二电极之间的电阻用于反馈第一结构的结温。本申请的高电子迁移率晶体管中包括作为结温测试结构的第二结构,第二结构的第一电极和第二电极之间的电阻可以反馈第一结构的结温,从而实现高电子迁移率晶体管工作温度的原位实时检测。
  • 电子迁移率晶体管及其制造方法
  • [发明专利]氮化镓器件-CN202311156996.0在审
  • 文豪;庞振江;洪海敏;周芝梅;温雷;顾才鑫;廖刚 - 深圳智芯微电子科技有限公司;深圳市国电科技通信有限公司
  • 2023-09-06 - 2023-10-20 - H01L29/778
  • 本发明提供了氮化镓器件。该氮化镓器件包括:第一介质层设置在基板的一侧;第一钝化层设置在第一介质层远离基板的一侧,第一钝化层具有第一通孔;栅极填充在第一通孔中,多层第二钝化层均具有第二通孔,相邻两个第二通孔连通且在基板上的正投影有部分交叠区域,第二通孔与第一通孔连通,且在基板上的正投影与第一通孔在基板上的正投影有部分交叠区域;多层场板分别填充在第二通孔,以及设置在与第一钝化层距离最远的第二钝化层远离基板的表面上,与第一钝化层接触设置的第二钝化层中的第二通孔中填充的场板与栅极接触设置。通过设置多层场板,可以降低氮化镓器件漏极附近的电场峰值,提高氮化镓器件的击穿电压。
  • 氮化器件

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top