专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]显示面板-CN202211272822.6有效
  • 黄嘉辉;江志雄;王强;弓程;余明爵;蔡志辉 - 广州华星光电半导体显示技术有限公司
  • 2022-10-18 - 2023-03-24 - H01L27/12
  • 本申请提供一种显示面板,包括薄膜晶体管,薄膜晶体管包括:栅极;源极和漏极;以及金属氧化层,对应栅极设置,包括:下金属氧化层,下金属氧化层包括铟的氧化以及镧系元素的氧化;以及上金属氧化层,与下金属氧化层叠置且位于下金属氧化层靠近源极和所述漏极的表面上,源极和漏极与上金属氧化层连接,上金属氧化层包括铟的氧化以及镧系元素的氧化,上金属氧化层包括多晶相。金属氧化层包括下金属氧化层和上金属氧化层,下金属氧化层包括铟的氧化以及镧系元素的氧化,有利于包括下金属氧化层的薄膜晶体管实现高迁移率,上金属氧化层包括多晶相,有利于提高包括上金属氧化层的薄膜晶体管稳定性
  • 显示面板
  • [发明专利]溅射靶及其制备方法-CN201110084349.4无效
  • M·施洛特;A·赫尔佐克;S·施奈德-贝茨;白向钰;O·罗伊朵 - W.C.贺利氏有限公司
  • 2011-03-31 - 2011-10-05 - C23C14/34
  • 本发明涉及溅射靶及其制备方法,该溅射靶包含基质材料和金属成分,该基质材料含有高折射率的第一氧化。该第一氧化选自由如下氧化组成的组:任何氧化变体形式的氧化钛、任何氧化变体形式的氧化铌、任何氧化变体形式的氧化钒、任何氧化变体形式的氧化钇、任何氧化变体形式的氧化钼、任何氧化变体形式的氧化锆、任何氧化变体形式的氧化钽、任何氧化变体形式的氧化钨以及任何氧化变体形式的氧化铪、或其混合。该组合还包含第二氧化,该第二氧化为任何氧化变体形式的镧系元素氧化、或任何氧化变体形式的氧化钪、或任何氧化变体形式的氧化镧。该基质材料还包含孔隙。该溅射靶应用于高功率密度下的溅射。
  • 溅射及其制备方法
  • [发明专利]反熔丝存储器单元-CN201580002116.1有效
  • 沃德克·库尔贾诺韦茨 - 新诺普系统公司
  • 2015-04-02 - 2018-08-10 - H01L27/112
  • 一种具有可变厚度栅极氧化的反熔丝存储器单元。所述可变厚度栅极氧化通过以下步骤形成:在反熔丝晶体管的沟道区上沉淀第一氧化;从沟道区的薄氧化区移除第一氧化;以及然后在薄氧化区热生长第二氧化。剩余的第一氧化限定沟道区的厚氧化区。第二氧化生长发生在剩余的第一氧化下方,但以小于薄氧化区中氧化热生长的速率生长。这使得厚氧化区中的第一氧化和第二氧化的组合的厚度大于薄氧化区中的第二氧化
  • 反熔丝存储器单元
  • [发明专利]一种氧化在制备可激光活化选择性金属化的树脂组合中的应用-CN202111470430.6有效
  • 周涛;徐浩然;张楚虹;陈宁 - 四川大学
  • 2021-12-03 - 2023-10-24 - C08L55/02
  • 本发明提供了金属氧化作为敏化助剂在制备可激光活化选择性金属化的树脂组合中的应用。所述氧化选自镝的氧化、铥的氧化、铒的氧化、镧的氧化、铌的氧化、钕的氧化、镨的氧化、钐的氧化、铈的氧化、铽的氧化、钇的氧化、铕的氧化、镍的氧化、碲的氧化、锆的氧化中的任意一种或两种以上本发明发明人意外发现,使用上述氧化和波长190‑1064nm的激光活化树脂组合后,可以在其表面很好的进行化学镀铜。190‑1064nm几乎涵盖所有激光波长,在不同激光波长下活化树脂组合可以发挥该激光波长自身的优势。本发明在较低氧化添加量的情况下,即可获得镀层厚度、镀层强度优异的树脂组合,具有极佳的工业应用价值。
  • 一种氧化物制备激光活化选择性金属化树脂组合中的应用
  • [发明专利]混合组分材料及其制备方法-CN201710558040.1有效
  • 陈山虎;陈耀强;刘屿剑;李大成;王金凤;程永香;李云;陈启章 - 中自环保科技股份有限公司
  • 2017-07-10 - 2020-07-21 - B01J23/10
  • 本发明描述了一种混合组分材料,包括底层材料颗粒组分和外层材料颗粒组分,具有分层结构;所述底层材料颗粒组分是:铈、镨、镧等稀土金属氧化、含锆氧化、铝氧化、碱土金属氧化、碱金属金属氧化、钛氧化、硅氧化、过渡金属氧化中的一种或多种以上组分的复合组分氧化;所述外层材料颗粒组分至少有一层;所述外层材料组分是:铈、镨、镧等稀土金属氧化、锆氧化、碱土金属氧化、碱金属氧化、钛氧化、硅氧化、过渡金属氧化中的一种或多种以上组分的复合组分氧化。该混合组分材料的储氧量较高,抗老化性能好,可作为排气污染净化的功能催化材料。
  • 混合组分材料及其制备方法
  • [发明专利]一种即时的氧化氮化氧化薄膜的可靠性检测方法-CN201210162915.3在审
  • 张孟;张凌越;王慧 - 上海宏力半导体制造有限公司
  • 2012-05-24 - 2013-12-04 - H01L21/66
  • 本发明公开一种即时的氧化氮化氧化薄膜的可靠性检测方法,在晶圆上完成氧化氮化氧化薄膜的生长工艺后即进行本检测方法;该方法包含:1、从晶圆加工腔中取出分别位于顶部、中部和底部的三片控制晶圆;2、分别对位于顶部、中部和底部的三片控制晶圆上生长的氧化氮化氧化薄膜的薄膜表面粗糙度进行分析;3、通过氧化氮化氧化薄膜的薄膜表面粗糙度的分析结果,判断氧化氮化氧化薄膜的可靠性。本发明在晶圆上生长氧化氮化氧化薄膜后,即时对控制晶圆上氧化氮化氧化薄膜的薄膜表面粗糙度进行分析,即时检测氧化氮化氧化薄膜的可靠性,使氧化氮化氧化薄膜可靠性的检测工艺更快捷和方便。
  • 一种即时氧化物氮化物薄膜可靠性检测方法
  • [发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法-CN201980043643.5在审
  • 山崎舜平;马场晴之;奥野直树;小松良宽;大野敏和 - 株式会社半导体能源研究所
  • 2019-06-25 - 2021-02-09 - H01L29/786
  • 一种半导体装置,包括第一绝缘体、第一绝缘体上的第一氧化、第一氧化上的第二氧化、第二氧化上的第三氧化及第四氧化、第三氧化上的第一导电体、第四氧化上的第二导电体、第二氧化上的第五氧化、第五氧化上的第二绝缘体第五氧化与第二氧化的顶面、第一导电体的侧面、第二导电体的侧面、第三氧化的侧面及第四氧化的侧面接触。第二氧化包含In、元素M及Zn。第一氧化及第五氧化各自包含第二氧化所包含的构成要素中的至少一个。第三氧化及第四氧化各自包含元素M。第三氧化及第四氧化具有其元素M的浓度比第二氧化高的区域。
  • 半导体装置以及制造方法
  • [发明专利]作为半导体外延薄膜生长用衬底的纤锌矿结构氧化-CN96190844.0无效
  • B·H·T·切尔 - 中佛罗里达大学
  • 1996-06-10 - 2003-04-09 - H01L33/00
  • 本发明涉及作为III-V族氮化半导体薄膜淀积用晶格匹配衬底的改进的纤锌矿结构氧化。它包括锂铝氧化(LiAlO↓[2])、钠铝氧化(NaAlO↓[2])、锂镓氧化(GaAlO↓[2])、钠镓氧化(NaGaO↓[2])、锂锗氧化(Li↓[2]GeO↓[3])、钠锗氧化(Na↓[2]GeO↓[3])、钠硅氧化(Na↓[2]SiO↓[3])、锂磷氧化(Li↓[3]PO↓[4])、锂砷氧化(Li↓[3]AsO↓[4])、锂矾氧化(Li↓[3]VO↓[4])、锂锰锗氧化(Li↓[2]MgGeO↓[4])、锂锌锗氧化(Li↓[2]ZnGeO↓[4])、锂镉锗氧化(Li↓[2]CdGeO↓[4])、锂锰硅氧化(Li↓[2]MgSiO↓[4])、锂锌硅氧化(Li↓[2]ZnSiO↓[4])、锂镉硅氧化(Li↓[2]CdSiO↓[4])、钠锰锗氧化(Na↓[2]MgGeO↓[4])、钠锌锗氧化(Na↓[2]ZnGeO↓[4])和钠锌硅氧化(Na↓[2]ZnSiO
  • 作为半导体外延薄膜生长衬底锌矿结构氧化物

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