专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]包含LDMOS晶体管的半导体器件-CN202310937332.1在审
  • 肖莉红;司伟 - 荣芯半导体(淮安)有限公司
  • 2023-07-27 - 2023-10-27 - H01L29/78
  • 本发明涉及一种包含LDMOS晶体管的半导体器件。所述半导体器件中,所述LDMOS晶体管包括由构成多晶硅栅极的多晶硅条沿宽度方向扩展至漂移区场氧化层表面形成的场极板,并且,第一栅极金属接触对应于所述场极板形成于所述多晶硅条顶表面,栅电压通过所述第一栅极金属接触施加在所述场极板和所述多晶硅栅极上,对于多晶硅栅极和场极板的控制能力较强,可以有效控制场极板下方的漂移区表面电场,使漂移区的表面电场得到有效弱化,能够优化表面电场分布,有利于提高LDMOS晶体管的击穿电压以及降低导通电阻,有助于提高LDMOS晶体管的综合性能。
  • 包含ldmos晶体管半导体器件
  • [发明专利]碳化硅半导体功率晶体管及其制造方法-CN202210854892.6在审
  • 陈伟梵;蔡国基 - 力拓半导体股份有限公司
  • 2022-07-18 - 2023-10-27 - H01L29/78
  • 本发明提供一种碳化硅半导体功率晶体管及其制造方法。所述碳化硅(SiC)半导体功率晶体管,包括由SiC制成的衬底、衬底平面上的漂移层、漂移层中的多个井区、井区内的多个源极区、漂移层上的多个栅极、漂移层和每个栅极之间的栅极绝缘层,以及漂移层中的多个井拾取区(well pick‑upregions)。漂移层中形成有多个V形槽,且每个V形槽的底部和侧壁被每个井区包围。每个V形槽的底部与每个源极区直接接触。栅极位于V形槽之间,并延伸至其两侧的V形槽的侧壁。井拾取区位于每个V形槽的底部下方,且每个井拾取区穿过源极区并与井区接触。
  • 碳化硅半导体功率晶体管及其制造方法
  • [发明专利]一种N型金刚石横向MOSFET器件及其制备工艺-CN202311222593.1在审
  • 王刚;李成兵 - 深圳市港祥辉电子有限公司
  • 2023-09-21 - 2023-10-27 - H01L29/78
  • 本发明公开了一种N型金刚石横向MOSFET器件及其制备工艺,涉及半导体功率器件技术领域,该器件从上到下包括三层区域,所述的三层区域具体包括以下部分:上层区域的源极金属层、高K栅极绝缘层以及其上方的栅极金属、漏极金属层;中层区域的源极石墨烯层、沟道区和漏极石墨烯层;底层区域的金刚石绝缘衬底。该N型金刚石横向MOSFET器件及其制备工艺,通过将器件的石墨烯层通过催化制造,不需离子注入等手段,减少材料损伤,还与金刚石材料兼容,使得电子迁移率高,电阻小;将器件的栅极绝缘介质采用高K介质二氧化铪,增加栅极绝缘介质的厚度,减少栅极漏电,金刚石绝缘衬底使得漏电概率极小,器件特性仅受结构影响,非理想效应小。
  • 一种金刚石横向mosfet器件及其制备工艺
  • [发明专利]场效应晶体管-CN202180095363.6在审
  • 高谷秀史 - 株式会社电装
  • 2021-10-08 - 2023-10-27 - H01L29/78
  • 一种场效应晶体管(10),其具有多个p型深层(36)。所述p型深层从体层(34)向下侧突出,以在从上侧观察半导体基板(12)时与沟槽(14)交叉的方式延伸,且在位于所述体层的下侧的所述沟槽的侧面及底面与栅极绝缘膜(16)相接。所述各p型深层具有低浓度区域(36a)和高浓度区域(36b)。所述各低浓度区域从下侧与所述体层相接,且在位于所述体层的下侧的所述沟槽的所述侧面与所述栅极绝缘膜相接。各高浓度区域从下侧与对应的所述低浓度区域相接。
  • 场效应晶体管
  • [发明专利]一种环栅晶体管-CN202311161002.4在审
  • 李永亮;雒怀志 - 中国科学院微电子研究所
  • 2023-09-08 - 2023-10-27 - H01L29/78
  • 本发明公开了一种环栅晶体管,涉及半导体技术领域,用于增强栅堆叠结构对每层纳米结构沿长度方向两侧边缘部分的控制能力,利于提升环栅晶体管的驱动性能。所述环栅晶体管包括:半导体基底、源区、漏区、至少一层纳米结构、栅堆叠结构和内侧墙。上述源区、漏区和至少一层纳米结构形成在半导体基底上。至少一层纳米结构位于源区和漏区之间。栅堆叠结构环绕在每层纳米结构的外周。内侧墙位于栅堆叠结构与源区之间、以及栅堆叠结构与漏区之间。内侧墙具有靠近栅堆叠结构的内侧壁,内侧壁沿栅堆叠结构宽度方向的中部区域的表面相对于边缘区域的表面向内凹入或向外凸出。
  • 一种晶体管
  • [发明专利]LDMOS器件及其形成方法-CN202311010208.7在审
  • 金锋;张晗;何兴月 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2023-08-10 - 2023-10-27 - H01L29/78
  • 一种LDMOS器件及其形成方法,其中结构包括:衬底,衬底为第一导电类型;位于衬底内漂移区和第一体区,第一体区为第一导电类型,漂移区为第二导电类型,第一导电类型与第二导电类型不同;位于部分漂移区上的第一场氧层,第一场氧层在远离第一体区的一侧具有第一侧壁,第一侧壁与衬底表面之间的夹角范围为80度至90度;位于部分第一场氧层上的第一栅极层,第一栅极层还延伸至部分第一体区表面;位于第一场氧层的第一侧壁一侧的漂移区内的漏区,漏区为第二导电类型;位于第一场氧层另一侧的第一体区内的第一源区,第一源区为第二导电类型,利于形成较短漂移区的低压LDMOS器件,提高工艺窗口。
  • ldmos器件及其形成方法
  • [发明专利]半导体器件及其制备方法-CN202311037731.9在审
  • 黄鑫;陈旋旋;袁梦洁;吴家伟 - 福建省晋华集成电路有限公司
  • 2023-08-17 - 2023-10-27 - H01L29/786
  • 本发明提供了一种半导体器件,包括衬底、位于衬底上的源极结构、位于源极结构上的漏极结构、贯穿漏极结构并延伸至源极结构内的通道孔、覆盖通道孔的内壁上露出的源极结构和/或漏极结构的金属硅化物层、覆盖通道孔的内壁及金属硅化物层的通道层以及位于通道层上并填充通道孔的栅极结构。栅极结构可作为闸极,并由通道层环绕在栅极结构的外侧壁上,通道层作为闸极通道,在缩小器件几何尺寸的基础上能够保证器件的性能。金属硅化物层可以降低漏极结构和/或源极结构与通道层之间的肖特基势垒,从而进一步提高器件的性能。相应的,本发明还提供了该半导体器件的制备方法。
  • 半导体器件及其制备方法
  • [发明专利]制造方法及半导体装置-CN202280010919.1在审
  • 堤田和三;上久胜义;村山启一 - 新唐科技日本株式会社
  • 2022-09-27 - 2023-10-27 - H01L29/78
  • 一种半导体装置(1)的制造方法,包括:对半导体层(40)形成深度H的第1槽(71)的工序;将第1槽(71)用氧化膜填充,在半导体层(40)的上表面形成厚度a的表面氧化膜(34)以使其高度与氧化膜一致的工序;形成距第3氧化膜(7)的最上表面为比a深的深度h的第2槽(72)的工序;对半导体层(40)形成比深度H深的栅极沟槽(17)的工序;堆积多晶硅直到多晶硅至少被填充到栅极沟槽(17)及第2槽(72)中的工序;向堆积在第2槽(72)中的多晶硅注入杂质而形成周边元件(51)的工序;以及将堆积在栅极沟槽(17)中的多晶硅与堆积在第2槽(72)中的多晶硅并行地除去以使其高度一致,使周边元件(51)的厚度与深度h一致的工序。
  • 制造方法半导体装置
  • [发明专利]沟槽栅极式半导体装置及其形成方法-CN202210673206.5在审
  • 许忠龙;陈旷举;刘汉英 - 新唐科技股份有限公司
  • 2022-06-15 - 2023-10-27 - H01L29/78
  • 本发明公开了一种沟槽栅极式半导体装置及其形成方法。该沟槽栅极式半导体装置,包括具有一沟槽的一外延层,以及设置于沟槽的下部的一遮蔽电极。遮蔽电极具有一第一侧壁及与其相对的一第二侧壁,且第一侧壁及第二侧壁的顶部各自具有一第一凹槽。上述装置也包括设置于沟槽的下部且隔开外延层与遮蔽电极的一下层介电层。下层介电层的一上表面具有一阶梯形轮廓自沟槽的一侧壁向下延伸至第一侧壁及第二侧壁各自的第一凹槽。上述装置也包括覆盖遮蔽电极的顶部及第一侧壁及第二侧壁各自的第一凹槽的一电极间介电层,以及设置于沟槽的一上部且覆盖阶梯形轮廓及电极间介电层的一栅极电极。
  • 沟槽栅极半导体装置及其形成方法
  • [发明专利]半导体元件结构-CN202211254501.3在审
  • 陈昱频;黄崇勋 - 南亚科技股份有限公司
  • 2022-10-13 - 2023-10-27 - H01L29/78
  • 一种半导体元件结构,包括一基底、一第一栅极结构、一第二栅极结构、一第一井区,以及一第一结构。该基底具有一第一表面和与该第一表面相对的一第二表面。该第一栅极结构设置在该第一表面上。该第二栅极结构设置在该第一表面上。该第一井区位于该基底中,并在该第一栅极结构和该第二栅极结构之间。该第一结构设置在该第一井区中。该第一结构的形状具有一锐角。
  • 半导体元件结构

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