“硅异质结”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果405226个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]具有电极贯穿孔的硅异质结电池组及其制备方法-CN202111237278.7在审
发明人：田宏波;赵晓霞;黎力;王伟;王雪松;王彩霞;宗军;范霁红;孙金华 -专利权人：国家电投集团科学技术研究院有限公司
申请日： 2021-10-21 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L31/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有电极贯穿孔的硅异质结电池组及其制备方法，硅异质结电池组包括多个串联的硅异质结电池，硅异质结电池包括硅异质结主体、设置于硅异质结主体上表面和设置于硅异质结主体下表面的导电图形，硅异质结主体上沿其厚度方向设有电极贯穿孔，电极贯穿孔内填充有导电材料，电极贯穿孔的上端与硅异质结主体上表面的栅线相连，电极贯穿孔的下端与导电图形相连，导电图形与相邻的硅异质结电池下表面的栅线相连。本方发明实施例的硅异质结电池组可提高组件良率，还最大限度地提高了焊接性和导电性，有利于保证组件长期可靠性。
具有电极贯穿硅异质结电池组及其制备方法

[发明专利]基于天线直接匹配的锗硅异质结双极晶体管探测器-CN201811094111.8有效
发明人：孙鹏林;傅海鹏;张齐军;马建国 -专利权人：天津大学
申请日： 2018-09-19 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： G01D5/40 文献下载
摘要：一种基于天线直接匹配的锗硅异质结双极晶体管探测器，有第一锗硅异质结双极晶体管和第二锗硅异质结双极晶体管，第一锗硅异质结双极晶体管和第二锗硅异质结双极晶体管的基极分别连接天线，第一锗硅异质结双极晶体管和第二锗硅异质结双极晶体管的发射极均接地，第一锗硅异质结双极晶体管的集电极通过第一四分之一波长微带线至输出端，第二锗硅异质结双极晶体管的集电极通过第二四分之一波长微带线至输出端，第一锗硅异质结双极晶体管的基极和第二锗硅异质结双极晶体管的集电极之间连接第电容，第二锗硅异质结双极晶体管的基极和第一锗硅异质结双极晶体管的集电极之间连接第电容，天线中的直流偏置走线连接直流偏置电压。
基于天线直接匹配锗硅异质结双极晶体管探测器

[发明专利]一种基于绝缘层上硅衬底的二维材料/硅异质结阵列及其制备方法-CN202210049787.5在审
发明人：徐杨;宁浩;吴少雄;吕建杭;刘粒祥;陈丽;汪晓晨;俞滨 -专利权人：浙江大学
申请日： 2022-01-17 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于绝缘层上硅衬底的二维材料/硅异质结阵列及其制备方法，包括组成阵列的若干异质结单元。异质结单元为二维材料/硅的垂直异质结，阵列是异质结单元的面阵阵列。制备方法为在绝缘层上硅衬底上通过刻蚀顶硅的方式形成图形化的顶硅条带，再依次沉积绝缘层、制作电极、刻蚀出硅窗口及硅接触孔，再将二维材料转移至硅窗口并图形化。本发明通过二维材料与硅的垂直异质结拓宽吸收波段、增强光吸收。本发明的异质结阵列中，每一列/行异质结共用同一条顶硅条带，每一行/列异质结的二维材料接触电极相互连接，组成一条该行/列的顶电极布线。本发明实现了二维材料/硅异质结器件的阵列制作，为二维材料和硅的大规模集成提供了方案。
一种基于绝缘层上硅衬底二维材料硅异质结阵列及其制备方法

[发明专利]一种纳米硅异质结压敏二极管及纳米硅异质结压力传感器-CN200810020042.6无效
发明人：韦文生 -专利权人：韦文生
申请日： 2008-03-21 - 公布日： 2008-08-27 - 主分类号： H01L29/96 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米硅异质结压敏二极管及纳米硅异质结压力传感器，本发明的优点在于应用纳米硅/单晶硅异质结构在应力状态下的反向I－V特性，制成了敏感性、线性特性好的纳米硅/单晶硅异质结压敏二极管，并应用该纳米硅/单晶硅异质结压敏二极管而制作一种敏感性、线性特性好的纳米硅/单晶硅异质结压力传感器。
一种纳米硅异质结压敏二极管硅异质结压力传感器

[发明专利]切片硅异质结太阳能电池及制备方法、太阳能电池组件-CN202110417597.X在审
发明人：王文静;徐晓华;龚道仁;姚真真 -专利权人：安徽华晟新能源科技有限公司
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明属于太阳能电池技术领域，具体涉及切片硅异质结太阳能电池、制备方法及太阳能电池组件。该制备方法包括：对整片硅异质结太阳能电池切割形成切片硅异质结太阳能电池主体；还包括：在切片硅异质结太阳能电池主体的被切割侧表面形成侧接触含硅薄膜，侧接触含硅薄膜的介电常数范围为1－10；其中，切片硅异质结太阳能电池主体至少包括晶硅基底、本征非晶硅层、掺杂非晶硅层和透明导电层。该方法在异质结太阳能电池被切割后，通过含硅薄膜对侧表面的缺陷和悬挂键进行钝化，减少硅异质结太阳能电池效率的切割损失，提高硅异质结太阳能电池效率；同时还通过含硅薄膜取代一定厚度的透明导电层，减少使用ITO
切片硅异质结太阳能电池制备方法组件

[发明专利]一种硅基径向同质异质结太阳电池及其制备方法-CN201310278007.5有效
发明人：沈文忠;钟思华;韩旭根 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2013-07-03 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基径向同质异质结太阳电池及其制备方法。本发明提供的硅基径向同质异质结太阳电池，包括：硅衬底和所述硅衬底上的硅线阵列；所述硅线阵列中的各个硅线皆包括内层、中间层和外壳层，在各个所述硅线的所述内层和所述中间层之间形成径向PN结，在各个所述硅线的所述中间层和所述外壳层之间形成径向异质结；所述PN结为同质结，所述同质结为晶体硅PN结、PP+或NN+浓度结，所述异质结为晶体硅/非晶硅PP+、P+P++、N+N++、NN+浓度结或NI、PI结。这种电池充分结合了径向PN结电池和同质异质结电池的优势，因此可在低质量硅材料上实现较高的光电转换效率，同时能提高电池性能的稳定性。
一种径向同质异质结太阳电池及其制备方法

[发明专利]一种异质结背接触太阳能电池及其形成方法-CN202010523672.6在审
发明人：陶科;姜帅;贾锐;金智;刘新宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-06-10 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结背接触太阳能电池及其形成方法，异质结背接触太阳能电池包括但不限于半导体衬底、第一钝化层及异质结。第一钝化层形成于半导体衬底的背表面上，异质结可形成于第一钝化层背面，异质结包括N型掺杂硅薄膜和P型掺杂硅薄膜，N型掺杂硅薄膜与P型掺杂硅薄膜沿垂直方向上形成叠层结构。该异质结背接触太阳能电池的形成方法包括：在半导体衬底的背表面上形成异质结，异质结包括依次形成的N型掺杂硅薄膜和P型掺杂硅薄膜，其中，N型掺杂硅薄膜与P型掺杂硅薄膜沿垂直方向上形成叠层。本发明能够在不降低电池效率的前提下有效降低异质结背接触太阳能电池的生产成本，而且本发明光能转换效率比较高。
一种异质结背接触太阳能电池及其形成方法

[发明专利]钙钛矿/硅异质结双面叠层太阳能电池及其制备方法和太阳能系统-CN202010762388.4在审
发明人：刘祖辉;陈龙;蒋方丹 -专利权人：嘉兴阿特斯技术研究院有限公司
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L31/0725 文献下载
摘要：本发明公开了钙钛矿/硅异质结双面叠层太阳能电池及其制备方法和太阳能系统，其中，钙钛矿/硅异质结双面叠层太阳能电池的结构包括硅异质结层、顶钙钛矿层、底钙钛矿层，其中，所述顶钙钛矿层通过第一复合连接层形成在所述硅异质结层的正面，所述底钙钛矿层通过第二复合连接层形成在所述硅异质结层的背面。由于钙钛矿层材料较异质结材料成本较低，在同一硅异质结上设置上下两层钙钛矿层，可减少硅异质结的使用，降低硅片衬底的浪费，充分利用了异质结高开路电压、温度系数低、效率高的优势，同时双面叠层，也可以充分利用了太阳光
钙钛矿硅异质结双面太阳能电池及其制备方法太阳能系统

[发明专利]具有电极贯穿孔的硅异质结电池及其制备方法-CN202111226933.9在审
发明人：田宏波;赵晓霞;黎力;王伟;王雪松;王彩霞;宗军;范霁红;孙金华 -专利权人：国家电投集团科学技术研究院有限公司
申请日： 2021-10-21 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有电极贯穿孔的硅异质结电池及其制备方法，硅异质结电池包括硅异质结主体、栅线和导电图形；硅异质结主体上沿其厚度方向设有电极贯穿孔，电极贯穿孔内填充有导电材料；设置于硅异质结主体上表面和下表面的栅线，电极贯穿孔的上端与硅异质结主体上表面的栅线相连；设置于硅异质结主体下表面的导电图形，电极贯穿孔的下端与导电图形相连，导电图形适于与相邻的硅异质结电池的栅线相连。
具有电极贯穿硅异质结电池及其制备方法

[实用新型]一种晶体硅异质结太阳电池-CN201621054544.7有效
发明人：高超;黄海宾;周浪;岳之浩 -专利权人：南昌大学
申请日： 2016-09-14 - 公布日： 2017-06-20 - 主分类号： H01L31/0264 文献下载
摘要：一种晶体硅异质结太阳电池，其结构从迎光面开始依次为前电极、TiOx层、晶体硅吸收层、本征非晶硅钝化层、p型非晶硅重掺杂层、背电极。迎光面使用n型掺杂的TiOx与晶体硅形成异质结，而背面使用传统的非晶硅/晶体硅异质结结构。由于TiOx光学带隙较宽，从迎光面入射的太阳光几乎可以全部进入到晶体硅内部，从而避免了由于窗口层的吸收而导致的光生电流损失。另外，TiOx可良好钝化硅片表面且与硅形成良好异质结，有助于增加异质结电池的开路电压。因此，本实用新型所提出晶体硅异质结太阳电池可同时实现高的开路电压和短路电流，提高晶体硅异质结太阳电池的光电转换效率。
一种晶体硅异质结太阳电池

[实用新型]晶体硅-非晶硅异质结太阳电池-CN200820169329.0有效
发明人：李志强;黄岳文;易月星;唐则祁;胡宏勋 -专利权人：宁波尤利卡太阳能科技发展有限公司
申请日： 2008-11-29 - 公布日： 2009-11-18 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：一种晶体硅-非晶硅异质结太阳电池，包括第二电极(2)和设于晶体硅-非晶硅异质结太阳电池背光面(9)上的第一电极(1)，所述的第二电极(2)设于所述的晶体硅-非晶硅异质结太阳电池的背光面(9)。本实用新型晶体硅-非晶硅异质结太阳电池增加了受光面积以提高光电转换效率。
晶体非晶硅异质结太阳电池

[发明专利]异质结硅太阳能电池及其制造方法-CN200880111068.X无效
发明人：高志勋;鱼英株;金真阿;尹周焕;郑一炯;金钟焕 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2008-12-17 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：公开了一种异质结硅太阳能电池及其制造方法。根据本发明的异质结硅太阳能电池形成晶体硅基板和掺有杂质的钝化层的pn结，以使得电子和空穴的重新组合最小化，从而可以最大化异质结硅太阳能电池的效率。本发明提供一种异质结硅太阳能电池，其包括：晶体硅基板；和形成在所述晶体硅基板上并且掺有杂质的钝化层。
异质结硅太阳能电池及其制造方法

[发明专利]一种钝化接触背结硅异质结太阳电池及其制备方法-CN202010380493.1有效
发明人：任栋樑;陈昌明;杨杰;李正平;刘超;徐小娜;周国平 -专利权人：熵熠(上海)能源科技有限公司
申请日： 2020-05-08 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明提供了一种钝化接触背结硅异质结太阳电池，其特征在于，以n型单晶硅片为基底，在基底硅片的背面由内至外依次为背面本征非晶硅层、p型非晶硅发射极层、透明导电氧化物薄膜层和背面金属栅线电极；在基底硅片的正面由内至外依次为超薄氧化硅层、n型多晶硅层、氮化硅减反射层、正面金属电极；所述钝化接触背结硅异质结太阳电池的钝化接触层位于电池正面，包括超薄氧化硅层和n型多晶硅层；所述钝化接触背结硅异质结太阳电池的p‑n异质结位于电池背面，由p型非晶硅层与n型单晶硅片之间形成p‑n异质结。本发明在电池正面引入钝化接触结构，能实现正面良好的全面积钝化，将p‑n异质结置于电池背面，能够拓宽异质结电池的工艺窗口，有利于电池的优化设计。
一种钝化接触背结硅异质结太阳电池及其制备方法

[发明专利]与锗硅异质结NPN 三极管集成的PNP三极管-CN201110326307.7有效
发明人：陈帆;陈雄斌;薛凯;周克然;潘嘉;李昊;王永成 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-10-24 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：本发明公开了一种与锗硅异质结NPN三极管集成的PNP三极管。本发明通过在有源区的侧面上形成有基区引出区来引出基区，能避免在有源区的顶部形成多晶硅来引出基区，从而能不需要改变锗硅异质结NPN三极管的制作工艺就能实现PNP三极管和锗硅异质结NPN三极管的集成，能避免对锗硅异质结NPN三极管的制作产生影响，能保证不增加锗硅异质结NPN三极管的制作成本和不降低锗硅异质结NPN三极管的良率。
锗硅异质结 npn 三极管集成 pnp

[发明专利]一种高效异质结太阳能电池及其制备方法-CN201510212562.7有效
发明人：薛黎明;杨武保 -专利权人：中海阳能源集团股份有限公司
申请日： 2015-04-30 - 公布日： 2018-03-02 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：本发明公开了一种高效异质结太阳能电池及其制备方法。一种高效异质结太阳能电池，其包括晶硅层、非晶硅层、热处理硅区，所述高效异质结太阳能电池的下层为所述晶硅层，所述的高效异质结太阳能电池的上层为所述非晶硅层，在所述非晶硅层上，夹杂有热处理硅区。所述热处理硅区为薄片状，在所述非晶硅层表面投影形成的图像为平行线型、圆形、矩阵型或其他图形。本发明还公开了该高效异质结太阳能电池的制备方法。本发明的高效异质结太阳能光伏电池，消除非晶硅的衰减，消除非晶硅中光生载流子的无效复合，大幅度提高光伏效率。
一种高效异质结太阳能电池及其制备方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条