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[发明专利]一种异质结太阳电池及其制备方法-CN201611065521.0在审
发明人：许烁烁;刘良玉 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十八研究所
申请日： 2016-11-28 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： H01L31/074 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结太阳电池及其制备方法，该异质结太阳电池包括硅片基底，硅片基底上设有氧化铝薄膜，氧化铝薄膜上设有氮化镓薄膜，形成GaN/Al2O3/Si异质结结构。其制备方法包括抛光、沉积氧化铝薄膜、退火、沉积氮化镓薄膜、制备ITO透明导电薄膜及银栅线电极。本发明的异质结太阳电池，具有GaN/Al2O3/Si异质结结构，有效的解决了由于氮化镓和硅基底之间的晶格失配引起的载流子复合，大大的提高了异质结电池的少子寿命，其制备方法具有工艺简单等优点。
一种异质结太阳电池及其制备方法

[发明专利]基于沟道阵列结构的异质结场效应晶体管-CN201110083011.7有效
发明人：蔡勇;刘胜厚;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2011-04-02 - 公布日： 2011-09-28 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于沟道阵列结构的异质结场效应晶体管，其包括异质结，所述异质结包括由上到下层叠设置的第一半导体层和第二半导体层，所述第一半导体层和第二半导体层界面处形成有二维电子气，所述第一半导体层上设置有源极、漏极和栅极，所述栅极设置于源极和漏极之间，所述栅极下方的异质结内形成有一条以上沟道，且所述沟道两端分别指向源极和漏极。本发明采用基于沟道阵列的结构设计，并通过将栅金属覆盖在沟道的顶部和两边的侧壁形成环栅结构，从而增强了对沟道的调制能力。本发明适用于一切基于异质结界面处二维电子气工作的半导体电子器件，并可同时满足实际应用的各种要求。
基于沟道阵列结构异质结场效应晶体管

[发明专利]一种氮化镓基双异质结HEMT场效应迁移率的表征方法-CN202310079234.9在审
发明人：朱青;郭思音;陈怡霖;张濛;马晓华 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-02-01 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓基双异质结HEMT场效应迁移率的表征方法，包括将待测试的HEMT制备为fat‑FET结构的HEMT，其中，待测试的HEMT为氮化镓基双异质结HEMT，fat‑FET结构的HEMT为fat‑FET结构的氮化镓基双异质结HEMT。fat‑FET结构的HEMT进行沟道电导测试；对fat‑FET结构的HEMT进行CV特性曲线测试得到第一电容‑电压变化曲线；对第一电容‑电压变化曲线进行加和处理；根据预设公式得到上沟道和下沟道的场效应迁移率‑栅压曲线图；分别得到上、下沟道的电子面密度‑栅压曲线图；分别得到上、下沟道的场效应迁移率‑电子面密度曲线图。本发明能够分别表征上、下沟道具体的场效应迁移率，提高了对氮化镓基双异质结HEMT的场效应迁移率的表征精度，有益于氮化镓基双异质结HEMT的特性分析和工艺优化。
一种氮化镓基双异质结 hemt 场效应迁移率表征方法

[发明专利]从远红外到太赫兹波段连续可调的双层石墨烯光电探测器-CN202110817538.1有效
发明人：王雷;刘义俊;陈以威;黄焱 -专利权人：南京大学
申请日： 2021-07-20 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明公开了一种从远红外到太赫兹波段连续可调的双层石墨烯光电探测器，双层石墨烯电子传输层封装在上下两层六角氮化硼之间，构成范德瓦尔斯异质结；所述异质结下方放置了石墨作为背栅，异质结上方放置石墨烯作为顶栅，异质结两侧搭载有源极和漏极。本发明利用BN封装并且石墨烯透明顶栅和石墨背栅构成双栅调控，有效地提高石墨烯的载流子浓度和迁移率，极大地提高了石墨烯器件的光电响应。
红外赫兹波段连续可调双层石墨光电探测器

[发明专利]异质结太阳能电池及其制备方法-CN202110864812.0在审
发明人：龚道仁;辛科;周肃;王文静;徐晓华;李晨;程尚之;陈梦滢 -专利权人：安徽华晟新能源科技有限公司
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明提供一种异质结太阳能电池及其制备方法。该异质结太阳能电池包括：半导体衬底层；位于半导体衬底层一侧的第一透明导电复合膜；第一透明导电复合膜包括第一透明导电膜和位于第一透明导电膜背向半导体衬底层一侧表面的纳米线导电膜；位于第一透明导电复合膜背向半导体衬底层一侧表面的背栅电极本发明的异质结太阳能电池，采用透明导电复合膜，只需较少的背栅电极的数目，以减少银的消耗量且能够保持异质结太阳能电池具有良好的性能。
异质结太阳能电池及其制备方法

[发明专利]石墨烯异质结线栅偏振器-CN202310244945.7在审
发明人：祁晋林;周旭;唐志列 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2023-03-14 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： G02B5/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种石墨烯异质结线栅偏振器，包括基底和设于所述基底上的石墨烯异质结线栅，所述石墨烯异质结线栅包括多个间隔且相互平行的线栅单元；每个线栅单元是由第一石墨烯薄膜、介电薄膜和第二石墨烯薄膜组成的异质结本发明的所述石墨烯异质结线栅偏振器工作在可见光到近中红外波段工作波段宽，并且出射的偏振光的偏振态可调。
石墨烯异质结线栅偏振

[发明专利]一种太阳能电池的低温银浆栅线的制备方法及电池和组件-CN201510822560.X在审
发明人：李宝胜;刘婷婷;蔡明;李立伟;孟原;郭铁 -专利权人：新奥光伏能源有限公司
申请日： 2015-11-24 - 公布日： 2016-03-02 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅异质结太阳能电池的低温银浆栅线的制备方法，包括：S1、使用低温银浆在硅异质结太阳能电池上印刷栅线；S2、对印刷后的栅线进行烘干；S3、使用紫外光对烘干后的栅线进行照射，使得栅线中的有机溶剂完全挥发通过紫外光照射栅线，完全挥发其中含有的有机溶剂，从而避免太阳能光伏发电运行过程中有机溶剂对太阳能电池造成的污染，降低其导电性能，因此可以有效保持太阳能电池组件的发电效率。
一种太阳能电池低温银浆栅线制备方法电池组件

[发明专利]一种钝化接触背结硅异质结太阳电池及其制备方法-CN202010380493.1有效
发明人：任栋樑;陈昌明;杨杰;李正平;刘超;徐小娜;周国平 -专利权人：熵熠(上海)能源科技有限公司
申请日： 2020-05-08 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明提供了一种钝化接触背结硅异质结太阳电池，其特征在于，以n型单晶硅片为基底，在基底硅片的背面由内至外依次为背面本征非晶硅层、p型非晶硅发射极层、透明导电氧化物薄膜层和背面金属栅线电极；在基底硅片的正面由内至外依次为超薄氧化硅层、n型多晶硅层、氮化硅减反射层、正面金属电极；所述钝化接触背结硅异质结太阳电池的钝化接触层位于电池正面，包括超薄氧化硅层和n型多晶硅层；所述钝化接触背结硅异质结太阳电池的p‑n异质结位于电池背面，由p型非晶硅层与n型单晶硅片之间形成p‑n异质结。本发明在电池正面引入钝化接触结构，能实现正面良好的全面积钝化，将p‑n异质结置于电池背面，能够拓宽异质结电池的工艺窗口，有利于电池的优化设计。
一种钝化接触背结硅异质结太阳电池及其制备方法

[发明专利]一种氮面增强型氮化镓基异质结场效应管-CN201610934823.0有效
发明人：杜江锋;白智元;蒋知广;于奇 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-11-01 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：该发明公开了一种氮面增强型氮化镓基异质结场效应管，属于微电子领域，涉及半导体器件的制作工艺。针对现有技术存在的问题与不足，本发明提出了一种具有局部P型沟道层结构的氮面氮化镓基异质结场效应晶体管，通过引入局部P型沟道层，实现增强型的氮面氮化镓基异质结场效应晶体管。当栅下GaN沟道层掺P型杂质后会抬高沟道层的导带，从而使二维电子气沟道耗尽。当栅压正向增大时，栅下pn结沟道层的耗尽区变窄，从而使二维电子气沟道开启。显然本发明能解决之前氮面增强型器件的问题，在保证栅控能力的同时保证形成的局部P型沟道层与二维电子气沟道有一定距离，使沟道载流子依然有较高的迁移率。
一种增强氮化镓基异质结场效应

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200710086928.6有效
发明人：下井田良雄;林哲也;田中秀明;山上滋春;星正胜 -专利权人：日产自动车株式会社
申请日： 2007-03-22 - 公布日： 2007-09-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：减小具有异质结的半导体装置的场效应晶体管的阻抗。形成从多晶硅异质半导体区(与形成在SiC的基底区上的漏区形成异质结)的表面延伸到漏区的沟槽。此外，在远离沟槽的侧壁的位置形成栅绝缘膜、异质半导体区以及漏区相接处的场效应晶体管的驱动点。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]一种制造电子气背势垒氮化镓异质结场效应管的方法-CN201410754731.5有效
发明人：薛舫时 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2014-12-11 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明是一种制造电子气背势垒氮化镓异质结场效应管的方法，其特征是为场效应管栅电极下的内沟道和栅电极外的外沟道独立设计不同的异质结构，使大射频栅压变动下外沟道中始终保持足够的电子气密度，利用电子负电荷来产生背势垒然后减薄势垒层制作内沟道异质结，提高栅电极对内沟道电导的控制力度，实现高效的射频工作。通过自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程研究内、外沟道的相互作用，抑制器件射频工作中的能带畸变和电流崩塌。
沟道射频场效应管电子气栅电极势垒氮化镓异质结抑制器件内沟道畸变电子负电荷泊松方程电场分布电流崩塌独立设计方程研究沟道电导击穿电压异质结构势垒层异质结二维减薄求解栅压制造堵塞平衡制作

[发明专利]一种太阳能电池及其制作方法-CN202210445514.2在审
发明人：王涛 -专利权人：王涛
申请日： 2022-04-24 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池及其制作方法；属于太阳能电池技术领域，包括在电池基底上形成栅线电极，所述电池基底包括异质结基底和在异质结基底相对的两侧面上形成的透明氧化导电层；所述栅线电极包括：在透明导电氧化层上沉积形成覆盖透明导电氧化膜的种子层；在种子层上进行第一次喷墨打印形成具有栅线图案的第一掩膜层，所述栅线图案为与种子层垂直、暴露出种子层的凹槽；在第一掩膜层上，栅线图案凹槽的两侧打印第二掩膜层；在栅线图案中电镀导电栅线。
一种太阳能电池及其制作方法

[发明专利]一种异质结太阳能电池及其制备方法-CN201310312402.0无效
发明人：张东升;赵会娟 -专利权人：国电光伏有限公司
申请日： 2013-07-24 - 公布日： 2015-02-11 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结太阳能电池及其制备方法，异质结太阳能电池依次按照P层，本征层，N型硅基体，金字塔绒面，N+层和氧化硅层叠加制成，并且正面电极自背面贯穿到P层，背面电极贯穿氧化硅层，连接N+层和背面金属栅线本发明还提供了一种制备异质结太阳能电池的方法，经过槽式制绒、PECVD镀膜、激光通孔、背面电极低温银浆印刷、200℃烘干。使用本发明的异质结电池，降低银浆遮挡面积，提高异质结太阳能电池效率，本发明所采用的制备方法简单易行，切于实用。
一种异质结太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种异质结电池的制备方法及异质结电池-CN202110047038.4在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：宣城睿晖宣晟企业管理中心合伙企业（有限合伙）
申请日： 2021-01-14 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请实施例中提供了一种异质结电池的制备方法及异质结电池，属于光伏电池技术领域，该制备方法具体包括如下步骤：对硅片进行单面制绒，使硅片一侧面形成绒面，另一侧面保持抛光面；在硅片的绒面和抛光面上分别制备非晶硅层；在绒面的非晶硅层上依次层叠制备第一透明导电层和透明绝缘薄膜层，并在透明绝缘薄膜层对应金属栅线的区域裸露出第一透明导电层；在抛光面的非晶硅层上制备第二透明导电层；制备金属栅线，绒面的金属栅线穿过透明绝缘薄膜层与第一透明导电层接触，抛光面的金属栅线直接与第二透明导电层接触。通过本申请的处理方案，解决现有技术中硅片损耗较大的问题，降低异质结电池的成本。
一种异质结电池制备方法

[发明专利]一种异质结太阳电池及其制备方法和应用-CN202210496893.8有效
发明人：胡磊;施利君;屠金玲;蒋新 -专利权人：苏州晶洲装备科技有限公司
申请日： 2022-05-09 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明提供一种异质结太阳电池及其制备方法和应用，所述制备方法包括：在设有透明导电层的硅基板上以3,4‑乙烯二氧噻吩和苯乙烯磺酸类单体的组合作为单体进行聚合，得到高分子导电膜；在所述高分子导电膜上电化学沉积锡铜合金层，形成金属栅线，得到异质结太阳电池。本发明以电化学沉积工艺制备锡铜合金栅线，显著降低制造成本，并使金属栅线具有更好的导电性和稳定性，无需再设置外层的保护层。所述制备方法采用原位聚合的方式形成PEDOT:PSS高分子导电膜，其作为透明导电层与金属栅线的结合层，能够有效提高导电性和可镀性，并防止激光刻蚀中对TCO的损伤，防止铜离子向电池迁移，有效提升了异质结太阳电池的综合性能
一种异质结太阳电池及其制备方法应用

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