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[发明专利]一种基于量子阱自对准栅的多沟道异质结器件及制作方法-CN202310601377.1在审
发明人：芦浩;邓龙格;周立坤;杨凌;马晓华;侯斌;张濛;武玫;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于量子阱自对准栅的多沟道异质结器件及制作方法，包括：自下而上的衬底层、缓冲层、第一沟道层、第二沟道层和势垒层，以及设置于势垒层上的源电极、漏电极、第一和第二栅电极；从俯视角度看，第一和第二栅电极之间，以沟道区域为中心，对称分布有钝化区域、沟道隔离区域、栅区域；沟道区域和栅区域自下到上包括缓冲层、第一沟道层、第二沟道层和势垒层，且栅区域为锯齿结构；沟道隔离区域为凹槽结构；钝化区域包括沟道区域两侧的钝化层和沟道区域势垒层上的钝化层；沟道区域和栅区域通过沟道隔离区域隔离并形成栅控MOS电容；钝化区域用于钝化沟道区域及调控栅控MOS电容的电容值。本发明提高了器件的频率特性。
一种基于量子对准沟道异质结器件制作方法

[实用新型]一种便于在野外固定的全站仪-CN202321235100.3有效
发明人：张濛;尹鸥 -专利权人：辽宁国沣矿产勘查开发有限责任公司
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： F16M11/38 文献下载
摘要：本实用新型属于全站仪领域，具体涉及一种便于在野外固定的全站仪，解决了现有技术中存在不方便更改高度，三脚架固定不牢靠的问题，包括底座，底座的顶部分别通过螺丝固定连接有下立板和两个对称布置的下竖块，底座上安装有水平尺，两个下竖块上共同转动安装有移动螺杆，移动螺杆的一端通过螺丝固定连接有摇柄，两个下竖块上共同通过螺丝固定连接有下滑杆，下滑杆上滑动装配有下滑块，通过摇柄、移动螺杆等结构的设置，转动摇柄，移动螺杆转动的时候带动下滑块在下滑杆上面滑动，第一支撑杆和第二支撑杆通过上立板和上滑块共同支撑放置台上升，放置台上安装的光测仪本体跟随上升，实现了方便更改高度的效果。
一种便于野外固定全站仪

[发明专利]一种基于GaN基凹槽MIS结构的SRAM芯片-CN202310581183.X在审
发明人：侯斌;杨凌;王博麟;牛雪锐;马晓华;张濛;武玫;芦浩;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H10B10/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于GaN基凹槽MIS结构的SRAM芯片，包括：第一反相器包括晶体管P1和N1；P1和N1的栅极相连形成第一反相器的输入端，漏极相连形成第一反相器的输出端；第二反相器包括晶体管P2和N2；P2和N2的栅极相连形成第二反相器的输入端，漏极相连形成第二反相器的输出端；第一控制读写晶体管的栅极连接字线，源极连接第一位线，漏极连接第一反相器的输出端以及第二反相器的输入端；第二控制读写晶体管的栅极连接字线，源极连接第二位线，源极连接第二反相器的输出端以及第一反相器的输入端；P1和P2均为P沟道增强型异质结晶体管；其余晶体管均为N沟道增强型异质结晶体管。
一种基于 gan 凹槽 mis 结构 sram 芯片

[发明专利]一种基于增强型N沟道与增强型P沟道GaN基晶体管的SRAM存储单元电路结构-CN202310581347.9在审
发明人：侯斌;牛雪锐;杨凌;马晓华;张濛;王博麟;武玫;芦浩;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G11C11/417 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于增强型N沟道与增强型P沟道GaN基晶体管的SRAM存储单元电路结构，包括：第一控制读写晶体管N3、第一反相器、第二控制读写晶体管N4和第二反相器；第一反相器的输出端与第二反相器的输入端和第一控制读写晶体管N3的漏端相连；第二反相器的输出端与第一反相器的输入端和第二控制读写晶体管N4漏端相连；第一反相器的P沟道晶体管P1和第二反相器的P沟道晶体管P2均为氮化镓P沟道增强型异质结晶体管；第一反相器的N沟道晶体管N1、第二反相器的N沟道晶体管N2、第一控制读写晶体管N3和第二控制读写晶体管N4均为氮化镓N沟道增强型异质结晶体管。本发明提高了GaN基SRAM存储单元电路的工作效率的同时降低了静态功耗。
一种基于增强沟道 gan 晶体管 sram 存储单元电路结构

[实用新型]大蜂窝铝板安装结构-CN202320977745.8有效
发明人：刘一;陈丽;付志杰;张濛 -专利权人：武汉建工集团装饰工程有限公司
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： E04F13/076 文献下载
摘要：本申请涉及蜂窝铝板技术领域，具体公开了一种大蜂窝铝板安装结构，其包括两铝板本体，还包括承托条，所述承托条与两所述铝板本体的板面相抵接，所述承托条上的设置有连接条，所述连接条穿设于两所述铝板本体之间，且所述连接条与两所述铝板本体相抵接，所述连接条的相对两侧上均滑移安装有抵压条，所述抵压条与所述铝板本体的板面活动抵接，所述连接条上设置有用于调节所述抵压条与所述承托条之间间距的调节组件。本申请具有改善利用固定卡件连接相邻两蜂窝铝板时适用性较低的效果。
蜂窝安装结构

[发明专利]漏端采用PIN二极管结构的射频前端一体化器件及制备方法-CN202310577513.8在审
发明人：张濛;邹旭;杨凌;马晓华;侯斌;武玫;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：本发明涉及一种漏端采用PIN二极管结构的射频前端一体化器件及制备方法，器件包括从下至上依次层叠设置的衬底层、缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层，所述GaN沟道层与所述AlGaN势垒层之间形成二维电子气；垂直设置的PIN二极管结构，所述PIN二极管结构位于所述AlGaN势垒层的一端之上；漏电极，所述漏电极位于所述PIN二极管结构上，当所述漏电极施加直流正电压时，PIN二极管结构呈导通状态，当所述漏电极施加直流负电压，PIN二极管结构呈关断状态。本发明将射频开关和功率放大器通过在漏极处形成垂直的PIN二极管结构的方法，集成在一个器件上，可以极大地减少射频前端器件的数量，芯片面积得到大幅度缩减。
采用 pin 二极管结构射频前端一体化器件制备方法

[发明专利]用于抑制短沟道效应的高电子迁移率晶体管及制备方法-CN202310396528.4在审
发明人：朱青;陈怡霖;郭思音;张濛;宓珉瀚;祝杰杰;马晓华 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于抑制短沟道效应的高电子迁移率晶体管及制备方法，包括：从下至上依次层叠设置的衬底层、缓冲层和沟道层；分别设置在沟道层两端的源极和漏极；设置在沟道层上的插入层；设置在插入层上的势垒层；设置在势垒层上的钝化层；沿着栅宽方向，设置有多个间隔排列的预设结构；沿着栅宽方向，在所有预设结构上设置有栅槽；设置于预设结构的内壁和栅槽中的势垒层上的介质层；设置于预设结构中、栅槽中和部分钝化层上的栅极。本发明的高电子迁移率晶体管能更好的避免DIBL所引起的阈值漂移，能更好地抑制短沟道效应所引起的大泄漏电流。
用于抑制沟道效应电子迁移率晶体管制备方法

[发明专利]视频播放方法、装置、设备及存储介质-CN202310789189.6在审
发明人：张濛 -专利权人：北京奇艺世纪科技有限公司
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H04N21/472 文献下载
摘要：本申请涉及一种视频播放方法、装置、设备及存储介质，所述方法包括：当视频应用程序启动时，创建全局唯一的播放内核，实时监测是否有页面访问所述播放内核，当监测到页面访问播放内核时，控制页面获取播放内核中唯一的实例进行视频播放。本申请创建了全局唯一的播放内核，不需要对每个视频播放页面都创建对应的多个播放器，当监测到页面访问播放内核时，控制页面获取播放内核中唯一的实例进行视频播放，通过一个播放内核便可承载视频应用程序内所有页面的播放任务，极大地节约了内存和CPU的占用空间，提高视频应用程序运行流畅度。
视频播放方法装置设备存储介质

[发明专利]单期扫描影像图像质量控制方法、装置、电子设备及存储介质-CN202310437809.X在审
发明人：李真林;曾文;梁泽军;张雨;张艺腾;谭裕奇;吕欣阳;张濛;史睿琼;于宁;张文渊 -专利权人：四川大学华西医院;北京绪水互联科技有限公司
申请日： 2023-04-21 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G06T11/00 文献下载
摘要：本发明公开一种单期扫描影像图像质量控制方法、装置、电子设备及存储介质，其方法包括：对当前最新获取的实时扫描影像进行第一分析处理，获取第一分析结果；在第一分析结果符合第一预设条件时，获取实时扫描影像对应的影像检查的各历史扫描影像对应的第二分析结果；在第一分析结果和第二分析结果符合第二预设条件时，根据第一分析结果、实时扫描影像、第二分析结果、以及实时扫描影像对应的影像检查的各历史扫描影像生成第一反馈结果输出，所述第一反馈结果为合格的扫描影像。本发明能有效减少患者的重复扫描，减少影像检查对患者的影响，节约影像检查资源和时间。
扫描影像图像质量控制方法装置电子设备存储介质

[发明专利]基于AlScN钝化的AlGaN-GaN HEMTs器件及制作方法-CN202310541776.3在审
发明人：杨凌;周立坤;芦浩;邓龙格;张濛;侯斌;武玫;马晓华;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-05-12 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于AlScN钝化的AlGaN‑GaN HEMTs器件及制作方法，包括：外延生长由下到上叠层的衬底层、GaN缓冲层、AlGaN势垒层；在AlGaN势垒层上沉积AlScN钝化层；利用过曝光光刻方式在AlScN钝化层形成比源电极和漏电极区域略大的开孔区域，并刻蚀开孔区域的AlScN钝化层直至AlGaN势垒层；在AlGaN势垒层上的源电极和漏电极图形区域蒸发欧姆金属并退火形成欧姆接触，得到源、漏电极；在AlScN钝化层上刻蚀形成栅槽，在栅槽两侧的AlScN钝化层上光刻出栅电极区域，在栅槽内和栅电极区域蒸发栅金属形成T型栅电极。本发明进一步提高了AlGaN/GaN HEMTs器件性能。
基于 alscn 钝化 algan gan hemts 器件制作方法

[发明专利]安全驾驶评估方法、装置、电子设备和存储介质-CN202310738440.6在审
发明人：杨乐;陈玉龙;潘伟;李晨;刘硕;徐劲;贾伟;孙晨钊;张濛;马美辰;乔康健;韩国玉;楚慧杰;李双;任海阳;王亚南;郑文辉;徐文锋;王忠杰;陈超;朱文龙;刘云;王慧雯;陶娇;刘丛琳;杨子申 -专利权人：太极计算机股份有限公司
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G06Q10/0639 文献下载
摘要：本申请提出一种安全驾驶评估方法、装置、电子设备和存储介质，其中，该方法包括：获取城市轨道列车的驾驶员在岗前的预设时间段内的生理指标数据、心理健康测评结果、业务能力测试结果，并根据生理指标数据确定驾驶员在健康评估维度上的第一分值结果，根据心理健康测试结果确定驾驶员在心理健康评估维度上的第二分值结果，根据业务能力测试结果确定驾驶员在业务能力评估维度上的第三分值结果，并结合上述三个分值结果生成驾驶员是否适合驾驶城市轨道列车的目标评估结果。由此，结合驾驶员在岗前的预设时间段内的生理指标数据、心理健康测评结果和业务能力测试结果，智能对驾驶员是否合适驾驶城市轨道列车进行了客观评估，提高了评估的准确性。
安全驾驶评估方法装置电子设备存储介质

[发明专利]一种面向农业产业互联网的知识化推荐方法及系统-CN202310645598.9在审
发明人：李华锋;杨乐;张国强;陈玉龙;周朋飞;李婧;陶娇;吴永招;贾伟;孙晨钊;马美辰;张濛;韩金良;段舰航;延伟伟;王正康;任海阳;王亚南;郑文辉;陈超;朱文龙;刘云;刘丛琳;杨子申;秦艺丹;李双;楚慧杰 -专利权人：太极计算机股份有限公司
申请日： 2023-06-02 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G06F16/9535 文献下载
摘要：本发明提出一种面向农业产业互联网的知识化推荐方法及系统，涉及智能推荐技术领域。其中，方法包括：提取农业场景中的知识本体和历史农业数据，根据历史农业数据、知识本体构建农业产业知识库；历史农业数据为历史的农业场景下各环境指标在各物候期的标准数据；采集监测数据，与农业产业知识库中对应的历史农业数据进行比对，以确定监测数据的偏差程度；根据偏差程度以及监测数据对农业场景进行管理决策推荐。通过农业互联网对现代农业的整体产业进行管理指导，推动现代农业的全自动进程，利用互联网管控农业生产经营的整体过程，形成互联网与现代农业深度融合的产业链模式。
一种面向农业产业互联网知识化推荐方法系统

[发明专利]一种氮化镓基双异质结HEMT场效应迁移率的表征方法-CN202310079234.9在审
发明人：朱青;郭思音;陈怡霖;张濛;马晓华 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-02-01 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓基双异质结HEMT场效应迁移率的表征方法，包括将待测试的HEMT制备为fat‑FET结构的HEMT，其中，待测试的HEMT为氮化镓基双异质结HEMT，fat‑FET结构的HEMT为fat‑FET结构的氮化镓基双异质结HEMT。对fat‑FET结构的HEMT进行沟道电导测试；对fat‑FET结构的HEMT进行CV特性曲线测试得到第一电容‑电压变化曲线；对第一电容‑电压变化曲线进行加和处理；根据预设公式得到上沟道和下沟道的场效应迁移率‑栅压曲线图；分别得到上、下沟道的电子面密度‑栅压曲线图；分别得到上、下沟道的场效应迁移率‑电子面密度曲线图。本发明能够分别表征上、下沟道具体的场效应迁移率，提高了对氮化镓基双异质结HEMT的场效应迁移率的表征精度，有益于氮化镓基双异质结HEMT的特性分析和工艺优化。
一种氮化镓基双异质结 hemt 场效应迁移率表征方法

[实用新型]一种河道修复用淤泥清除装置-CN202320496962.5有效
发明人：张民;吴哲涛;张濛 -专利权人：杭州恒祥水利建设有限公司;鼎正（杭州）检测科技有限公司;浙江泓沄生态建设有限公司
申请日： 2023-03-10 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： E02F5/28 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种河道修复用淤泥清除装置，具体涉及河道修复领域，包括船体，所述船体的顶部安装有升降机构组件，所述船体的外底壁固定连接有伸缩固定缸，且伸缩固定缸的外壁固定连接有推铲，所述推铲的外壁安装有保护壳，且推铲的内壁通过开设的孔贯穿连接有抽淤软管，所述抽淤软管的另一端安装有抽淤泵，且抽淤泵的输出口贯穿连接有储存箱，且储存箱的一侧安装有排水管。该用于河道修复用淤泥清除装置，通过设置的升降机构组件、推铲、一号电机、淤泥破碎辊筒的配合使用，使淤泥可以先收集在推铲内部，在淤泥被破碎后可以更高效的从河底抽除，进而保护抽淤软管不会被大块淤泥及异物堵塞，从而防止了设备因管道堵塞而造成的损坏。
一种河道修复淤泥清除装置

[发明专利]基于循环刻蚀技术的多晶金刚石薄膜与GaN HEMT集成制备方法-CN202310219302.7在审
发明人：武玫;孙浩伦;马晓华;王平;杨凌;侯斌;张濛;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-03-08 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于循环刻蚀技术的多晶金刚石薄膜与GaN HEMT集成制备方法，包括：在AlGaN/GaN外延片上依次生长介质层、金刚石散热层和硬掩模层；采用循环刻蚀技术在源极区域、漏极区域和台面隔离区域内循环刻蚀掉硬掩模层和金刚石散热层，并刻蚀掉介质层，形成源电极图形、漏电极图形和台面隔离图形；在源电极图形内制备源电极，在漏电极图形内制备漏电极；刻蚀台面隔离图形内的AlGaN势垒层和部分GaN缓冲层，形成台面隔离；采用循环刻蚀技术在栅极区域内循环刻蚀掉硬掩模层和金刚石散热层，并刻蚀掉介质层，形成栅电极图形；在栅电极图形内制备栅电极。该方法消除了微掩膜以及金刚石毛刺，得到了平滑的表面。
基于循环刻蚀技术多晶金刚石薄膜 gan hemt 集成制备方法

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