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[发明专利]一种宽带放大器芯片的匹配网络设计方法-CN202310678057.6在审
发明人： 马晓华;姚广海;易楚朋;卢阳;赵子越;冯婷;刘昕;周瑞琪;姚天舜 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-06-08 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G06F30/373 文献下载
摘要：本发明公开了一种宽带放大器芯片的匹配网络设计方法，包括：获取各个频点的晶体管特性等高线图，并选择合适的回退值，以获得晶体管的最优阻抗区域；对每一频点的最优阻抗区域采用多边形的形式近似代替，构建近似最优阻抗区域；基于设计指标结合近似最优阻抗区域构建匹配网络的复合约束条件；设置权重参数，同时选择合适的匹配网络拓扑结构和元件值计算复合约束条件的值，并根据计算结果对匹配网络和元件值进行优化；基于优化结果对设计的匹配网络进行仿真，若结果不满足设计要求，则返回重新调整权重参数，直至仿真结果满足设计要求。该方法可以精确控制阻抗轨迹，最大化宽带放大器的各项性能；且可以有效提升计算速度并简化实现过程。
一种宽带放大器芯片匹配网络设计方法

[发明专利]一种基于量子阱自对准栅的多沟道异质结器件及制作方法-CN202310601377.1在审
发明人：芦浩;邓龙格;周立坤;杨凌;马晓华;侯斌;张濛;武玫;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于量子阱自对准栅的多沟道异质结器件及制作方法，包括：自下而上的衬底层、缓冲层、第一沟道层、第二沟道层和势垒层，以及设置于势垒层上的源电极、漏电极、第一和第二栅电极；从俯视角度看，第一和第二栅电极之间，以沟道区域为中心，对称分布有钝化区域、沟道隔离区域、栅区域；沟道区域和栅区域自下到上包括缓冲层、第一沟道层、第二沟道层和势垒层，且栅区域为锯齿结构；沟道隔离区域为凹槽结构；钝化区域包括沟道区域两侧的钝化层和沟道区域势垒层上的钝化层；沟道区域和栅区域通过沟道隔离区域隔离并形成栅控MOS电容；钝化区域用于钝化沟道区域及调控栅控MOS电容的电容值。本发明提高了器件的频率特性。
一种基于量子对准沟道异质结器件制作方法

[发明专利]一种复合势垒层结构的高电子迁移率晶体管及其制备方法-CN202311054555.X在审
发明人：杨林安;亢昱杰;陈尧;马晓华;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-08-21 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种复合势垒层结构的高电子迁移率晶体管及其制备方法，晶体管包括：从下至上依次层叠设置的衬底层、未掺杂缓冲层、未掺杂沟道层、未掺杂隔离层、delta‑doping平面掺杂层、复合势垒层；分别设置于第一势垒子层和第二势垒子层上的第一帽层和第二帽层；设置于第一帽层上的源极；设置于第二帽层上的漏极；设置于部分第二未掺杂势垒层上的栅极；还包括源极金属互联、漏极金属互联和栅极金属互联以及钝化层。本发明将栅极直接设置在第二未掺杂势垒层上，使栅极直接与第二未掺杂势垒层接触，从而提高肖特基势垒，进而提高器件的击穿电压；同时这种结构减小了栅极与沟道层的距离，从而增加栅控效应。
一种复合势垒层结构电子迁移率晶体管及其制备方法

[发明专利]一种GaN基准垂直结势垒肖特基二极管及其制备方法-CN202310967926.7在审
发明人：王冲;李永鑫;马晓华;李昂;刘凯;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-08-02 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN基准垂直结势垒肖特基二极管及其制备方法，该二极管包括：衬底层、缓冲层、N+传输层、N‑漂移层、阴极、阳极凹槽、P+二次外延层、介质层和阳极。本发明所制备的阳极肖特基金属深入阳极凹槽中并被P+二次外延层包围，竖状阳极肖特基金属可以有效分散器件反向偏置时的电场，提高二极管的反向耐压能力，减小反向漏电；N‑漂移层的斜面可以有效分散器件反向偏置时阳极附近的电场，增强二极管的反向耐压能力；P+二次外延层与介质层形成PiN结构，具有开启电压低、反向漏电小、耐压高和开关速率高的优点的同时，介质层可以减少漏电通路，进一步降低器件的反向漏电。
一种 gan 基准垂直结势垒肖特基二极管及其制备方法

[实用新型]一种蔬菜保鲜用喷雾加水装置-CN202320528294.X有效
发明人：李成亮;马晓华 -专利权人：安丘市太平洋食品有限公司
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： A23B7/158 文献下载
摘要：本实用新型涉及喷雾加水装置技术领域，公开了一种蔬菜保鲜用喷雾加水装置，其结构包括推车和空心杆，推车上设置有水箱和衔接轴承，水箱固定连接在推车的上表面，衔接轴承的外环固定连接在推车上表面的一侧，水箱上设置有注水斗和水泵，注水斗密封连接在水箱上表面的一侧，水泵固定连接在水箱上表面的另一侧，水泵上设置有输水软管。本实用新型有效的实现了对放置在地面、货架或传送机构上的蔬菜进行喷雾加水，增加了喷雾加水装置在对蔬菜喷雾加水时的范围，而且还能对喷雾加水装置上的雾化喷头高度和横向位置进行调节，避免了蔬菜摆放位置过高而导致雾化喷头不能对其进行喷雾加水的现象，提高了喷雾加水装置在使用过程中的便捷性。
一种蔬菜保鲜喷雾加水装置

[发明专利]通过SiN应力调制的极化匹配增强型晶体管及制备方法-CN202310877390.X在审
发明人：王冲;李嘉卯;马晓华;李昂;刘凯;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-07-17 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过SiN应力调制的极化匹配增强型晶体管及制备方法，涉及微电子技术领域，包括：依次层叠设置的衬底、缓冲层、沟道层和势垒层；氮化硅层，位于势垒层上，氮化硅层包括凹槽；介质层，位于氮化硅层上，且覆盖凹槽；栅极，位于介质层上，且栅极在衬底上的正投影与凹槽在衬底上的正投影交叠；源极和漏极，分别位于栅极的两侧，且与栅极间隔排布。本发明能够增大栅极的击穿电压，使增强型器件的工作范围增加。
通过 sin 应力调制极化匹配增强晶体管制备方法

[发明专利]基于双势阱复合沟道的高电子迁移率晶体管及制备方法-CN202310878246.8在审
发明人：杨林安;亢昱杰;陈尧;马晓华;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-07-17 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L29/201 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于双势阱复合沟道的高电子迁移率晶体管及制备方法，包括：从下至上依次层叠设置的衬底层、缓冲层、复合沟道层、隔离层、delta‑doping平面掺杂层、势垒层；设置在势垒层两端的源极帽层和漏极帽层；设置在所述源极帽层上的源极电极；设置在漏极帽层上的漏极电极；设置在势垒层上的栅极电极；连续的设置在源极电极、源极帽层、势垒层、部分漏极帽层和部分源极电极上的钝化层。本发明利用双电子势阱提高了器件的输出电流，进一步提高了器件的频率特性，又在击穿特性上获得了提升。
基于势阱复合沟道电子迁移率晶体管制备方法

[发明专利]化合物半导体与碳纳米管单片集成器件的结构及制备方法-CN202310780539.2在审
发明人：祝杰杰;马晓华;张博文;雷毅敏;魏宇翔;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明涉及一种化合物半导体与碳纳米管单片集成器件的结构及制备方法，结构包括：衬底层、成核层、缓冲层、沟道层、势垒层、电学隔离层、设置在势垒层上的碳纳米管器件、间隔设置在势垒层上的第一源极和第一漏极、设置在第一源极、第一漏极和位于电学隔离层的另一侧的势垒层上的钝化层、设置在钝化层的栅极槽内和部分钝化层上的第一栅极。本发明制备了具有较高开关速度的N沟道器件与P沟道器件，并且相比于传统的在PCB板上分立封装的结构大大节约了cmos电路芯片的面积，同时提高了电路处理数字信号的性能。
化合物半导体纳米单片集成器件结构制备方法

[发明专利]一种具有渐变凹槽终端的高电子迁移率晶体管及制备方法-CN202310891975.7在审
发明人：王冲;周璇;马晓华;李昂;刘凯;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-07-19 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有渐变凹槽终端的高电子迁移率晶体管及制备方法，晶体管包括：从下至上依次层叠设置的衬底层、缓冲层、第一沟道层和第一势垒层；N层依次层叠设置在部分第一势垒层的第一组合子层，每层第一组合子层包括层叠设置的第二势垒层和第二沟道层；N层依次层叠设置在部分第一势垒层的第二组合子层，每层第二组合子层包括层叠设置的第三势垒层和第三沟道层，从最下层的第1层第二组合子层至最上层的第N层第二组合子层中靠近第一组合层的一端呈层阶梯状结构设置。本发明通过在器件的栅极靠漏极边缘处引入渐变凹槽深度的终端结构来分散电场峰值，使得偏压较高时器件中的电场分布更加均匀，进而实现更高的击穿电压。
一种具有渐变凹槽终端电子迁移率晶体管制备方法

[发明专利]一种基于GaN基凹槽MIS结构的SRAM芯片-CN202310581183.X在审
发明人：侯斌;杨凌;王博麟;牛雪锐;马晓华;张濛;武玫;芦浩;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H10B10/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于GaN基凹槽MIS结构的SRAM芯片，包括：第一反相器包括晶体管P1和N1；P1和N1的栅极相连形成第一反相器的输入端，漏极相连形成第一反相器的输出端；第二反相器包括晶体管P2和N2；P2和N2的栅极相连形成第二反相器的输入端，漏极相连形成第二反相器的输出端；第一控制读写晶体管的栅极连接字线，源极连接第一位线，漏极连接第一反相器的输出端以及第二反相器的输入端；第二控制读写晶体管的栅极连接字线，源极连接第二位线，源极连接第二反相器的输出端以及第一反相器的输入端；P1和P2均为P沟道增强型异质结晶体管；其余晶体管均为N沟道增强型异质结晶体管。
一种基于 gan 凹槽 mis 结构 sram 芯片

[发明专利]一种基于增强型N沟道与增强型P沟道GaN基晶体管的SRAM存储单元电路结构-CN202310581347.9在审
发明人：侯斌;牛雪锐;杨凌;马晓华;张濛;王博麟;武玫;芦浩;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G11C11/417 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于增强型N沟道与增强型P沟道GaN基晶体管的SRAM存储单元电路结构，包括：第一控制读写晶体管N3、第一反相器、第二控制读写晶体管N4和第二反相器；第一反相器的输出端与第二反相器的输入端和第一控制读写晶体管N3的漏端相连；第二反相器的输出端与第一反相器的输入端和第二控制读写晶体管N4漏端相连；第一反相器的P沟道晶体管P1和第二反相器的P沟道晶体管P2均为氮化镓P沟道增强型异质结晶体管；第一反相器的N沟道晶体管N1、第二反相器的N沟道晶体管N2、第一控制读写晶体管N3和第二控制读写晶体管N4均为氮化镓N沟道增强型异质结晶体管。本发明提高了GaN基SRAM存储单元电路的工作效率的同时降低了静态功耗。
一种基于增强沟道 gan 晶体管 sram 存储单元电路结构

[发明专利]一种快速拆装柱塞泵油封的工装-CN202310902048.0在审
发明人：王世鹏;杨宝德;马锦程;刘杨;张慧娟;何志峰;马晓华;王翼;罗华丽;牛政洋 -专利权人：河南中烟工业有限责任公司
申请日： 2023-07-21 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： B25B27/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种快速拆装柱塞泵油封的工装，包括与柱塞泵活塞的直径相配合的中空的柱体，从左至右依次包括拆卸部、中间部和安装部，拆卸部的外径及安装部的外径均小于中间部的外径，在拆卸部的外周面设置有用于拆卸油封的端螺纹，在端螺纹的最下两圈端螺纹上，均匀设置有多个切削部，切削部的外径小于拆卸部的外径；且最下一圈上的切削部与第二圈上的切削部交错设置。本技术方案通过将端螺纹的最下两圈螺纹上设置交错的切削部，使得在拆卸油封时，切削部不会切削入油封凹槽的侧壁，形成了齿形结构，更便于将油封拨出，并且通过固定内筒及卡爪结构，在拆卸油封时，通过转动柱体，卡爪通过通孔伸出插入油封槽的侧壁，提高油封的拨出率。
一种快速拆装柱塞泵油封工装

[发明专利]漏端采用PIN二极管结构的射频前端一体化器件及制备方法-CN202310577513.8在审
发明人：张濛;邹旭;杨凌;马晓华;侯斌;武玫;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：本发明涉及一种漏端采用PIN二极管结构的射频前端一体化器件及制备方法，器件包括从下至上依次层叠设置的衬底层、缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层，所述GaN沟道层与所述AlGaN势垒层之间形成二维电子气；垂直设置的PIN二极管结构，所述PIN二极管结构位于所述AlGaN势垒层的一端之上；漏电极，所述漏电极位于所述PIN二极管结构上，当所述漏电极施加直流正电压时，PIN二极管结构呈导通状态，当所述漏电极施加直流负电压，PIN二极管结构呈关断状态。本发明将射频开关和功率放大器通过在漏极处形成垂直的PIN二极管结构的方法，集成在一个器件上，可以极大地减少射频前端器件的数量，芯片面积得到大幅度缩减。
采用 pin 二极管结构射频前端一体化器件制备方法

[发明专利]多维栅控高线性N面GaN基射频功率器件及其制备方法-CN202310729525.8在审
发明人：宓珉瀚;温馨怡;周雨威;龚灿;王鹏飞;马晓华;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-06-19 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开了一种多维栅控高线性N面GaN基射频功率器件及其制备方法，包括：衬底，依次设置于衬底上的缓冲层、势垒层和沟道层；源极和漏极，位于沟道层上，源极和漏极间隔设置；氮化硅层，位于沟道层上，且位于源极和漏极之间，氮化硅层包括栅脚区域，栅脚区域暴露出沟道层；沟道阵列结构，沟道阵列结构的投影位于栅脚区域，沟道阵列结构包括多个间隔排布的刻蚀部分，刻蚀部分由刻蚀掉至少部分沟道层形成，或由刻蚀掉沟道层和至少部分势垒层形成；沿垂直于衬底的方向，刻蚀部分的投影为矩形或梯形；栅极，覆盖于沟道阵列结构上、以及部分氮化硅层上。本发明能够提供高频、高线性N面GaN基Fin/Fin‑like HEMT器件。
多维栅控高线性 gan 射频功率器件及其制备方法

[发明专利]一种半垂直GaN基场截止型IGBT器件及其制备方法-CN202111122654.8有效
发明人：张鹏;李萌迪;马晓华;郝跃;王凯 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-09-24 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种半垂直GaN基场截止型IGBT器件及其制备方法，该器件包括：衬底，依次设置在衬底上的缓冲层、场截止层、n‑漂移区以及p型GaN层；其中，p型GaN层两侧各设有一深沟槽结构，深沟槽结构起始于p型GaN层上表面，并向下延伸至场截止层的上表面，以将p型GaN层划分成两侧的p+集电区和中间的p基区，从而形成U型半垂直结构；p基区上方形成有n+GaN层，作为器件的n+发射区；n+GaN层中间设有沟槽栅结构；p+集电区和n+发射区上方分别淀积有金属电极，以形成器件的集电极和发射极。本发明提供的器件克服了采用传统IGBT结构制作垂直GaN IGBT器件时，内层p‑GaN无法激活的问题，并且将集电极从背部转移到正面，使IGBT器件的制造工艺变得简单，节省了成本并易于商业化。
一种垂直 gan 截止 igbt 器件及其制备方法

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