“栅异质结”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果203655个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]异质结电池、光伏组件电池串及其制造方法-CN202210182215.4在审
发明人：张治勋;周华明;石刚 -专利权人：通威太阳能（合肥）有限公司
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明涉及一种异质结电池、光伏组件电池串及其制造方法。异质结电池包括：电池片，所述电池片具有相对设置的正面和背面；丝印栅线，所述丝印栅线设置为银浆，所述丝印栅线设置于所述电池片的正面和背面上；以及金属网，所述金属网与所述丝印栅线连接并固设于所述电池片上。如此一来，金属网可当做主栅线和副栅线进行电流传输，丝印栅线除采集电流以外，主要被用来粘结固定金属网，可大大减少丝印栅线的使用量，降低成本，同时透光率高，且耐侯性能佳，此外，金属网的线径可以做大，导电性能优良
异质结电池组件及其制造方法

[发明专利]切片硅异质结电池及制备方法、太阳能电池组件-CN202110417599.9在审
发明人：王文静;徐晓华;龚道仁;姚真真 -专利权人：安徽华晟新能源科技有限公司
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本发明属于太阳能电池技术领域，具体涉及切片硅异质结电池及其制备方法、太阳能电池组件。该制备方法，包括对整片异质结电池进行切割的步骤，还包括：对切割后形成的切片硅异质结电池主体进行如下处理：将切片硅异质结电池主体置于氛围气体中，采用光注入退火方式在设定温度范围内，利用光源对且仅对切片硅异质结电池主体的切割表面进行处理；其中，切片硅异质结电池主体至少包括晶硅基底、本征非晶硅层、掺杂非晶硅层、透明导电层和栅电极。
切片硅异质结电池制备方法太阳能电池组件

[发明专利]双面发电的异质结太阳电池的电极设计及电池互联方法-CN202111148116.6在审
发明人：白宇;俞健;邱卿清;李君君 -专利权人：西南石油大学
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了双面发电的异质结太阳电池的电极设计及电池互联方法，其属于太阳电池技术领域，包括异质结太阳电池衬底；太阳电池入光面丝网印刷银电极；太阳电池背光面电极；太阳电池之间的互联。其特征在于，所述的异质结太阳电池背光面电极，包括：位于透明导电薄膜上的金属种子层，以及依次位于金属种子层上的传导层和焊接层。背光面电极与另一相邻所述异质结太阳电池的入光面电极栅线相连，实现异质结太阳电池的互联导通。双面发电的异质结太阳电池的电极设计及电池互联方法，通过沉积金属叠层来取代原来丝网印刷的Ag背电极，具有低成本制备背电极和实现电池互联的特点。
双面发电异质结太阳电池电极设计电池方法

[发明专利]一种优化铜电镀用种子层材料及薄膜线路制备的方法-CN202310287522.3在审
发明人：黄信二;黄煜翔 -专利权人：赣州市创发光电科技有限公司
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明的目是涉及一种优化铜电镀用种子层材料及薄膜线路制备的方法，首创使用溅镀低掺杂的铜合金薄膜(50‑200nm)在硅基异质结电池的透明导电膜(50‑150nm)上面，作为铜电镀金属化栅线所需的基础薄膜低掺杂的铜合金材料，有相似于纯铜的良好导电性,缩小铜材料的热涨冷缩特性,增加抗氧化性及耐候性,降低铜材料镀膜的粗糙度,增加与透明导电模的贴覆性，有助于后续铜电镀栅线(5‑20um)的制作,由于铜电镀栅线的密度高于网印低温银浆的栅线,所以导电性优于低温银浆，有助于提高异质结电池的转换效率,同时电镀铜栅线能降低硅基异质结电池的生产成本,利于大型的量产。
一种优化电镀种子材料薄膜线路制备方法

[发明专利]一种碳化硅/二硫化锡异质结光电晶体管及其制备方法和应用-CN202110251925.3有效
发明人：李京波;岳倩;高伟;张峰;张帅;郑涛 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2021-03-08 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L31/0336 文献下载
摘要：本发明属于紫外‑可见探测技术领域，公开了一种碳化硅/二硫化锡异质结光电晶体管及其制备方法和应用，该晶体管的结构为SiC/SiO2/SnS2纳米片/源电极和漏电极/栅极介电层六方氮化硼/顶栅电极石墨烯/栅电极，SnS2纳米片和SiC衬底接触形成异质结；该方法在清洗的SiC上沉积SiO利用激光直写技术获得SiO2窗口，将SnS2纳米片转移至SiC上形成SiC‑SnS2异质结，沉积金属得到源电极和漏电极，六方氮化硼作为栅极介电层，石墨烯作为顶栅电极材料，再光刻沉积金属制备栅电极，在150～250℃退火制得。该光电晶体管具有良好的栅压调控能力、较高的光灵敏度、较快的响应时间和较高的比探测率。
一种碳化硅硫化锡异质结光电晶体管及其制备方法应用

[发明专利]具有原位栅介质的AlGaN/GaN异质结器件及其制作方法-CN201410415562.2有效
发明人：张晓东;范亚明;蔡勇;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2014-08-22 - 公布日： 2018-07-03 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有原位栅介质的AlGaN/GaN异质结器件及其制造方法。该器件包括形成于衬底上的AlGaN/GaN异质结构及源、漏和栅极，且该异质结构上还原位外延生长有用作栅介质的BN薄膜或者BAlN薄膜。该制造方法包括在衬底上生长形成AlGaN/GaN异质结构的操作，以及将该异质结构置入外延生长设备，并输入氮源与硼源以及作为可选原料的铝源，从而在该异质结构上原位生长形成用作栅介质的BN薄膜或者BAlN薄膜的操作本发明在对器件结构无损伤的情况下，可以在器件材料外延时形成高质量BN或者BAlN栅介质，该栅介质具有高的介电常数，大的禁带宽度，利用此栅介质可以提高具有GaN/AlGaN介质结构的半导体电子器件的性能，降低栅漏电流，抑制电流崩塌效应和回滞现象，提高器件的整体性能。
栅介质异质结构薄膜异质结器件衬底半导体电子器件电流崩塌效应外延生长设备介电常数介质结构器件材料器件结构原位生长原位外延栅漏电流无损伤生长氮源禁带可选铝源硼源置入制造制作

[发明专利]多沟道鳍式结构的AlInN/GaN高电子迁移率晶体管及制作方法-CN201810710499.3在审
发明人：王冲;王鑫;马晓华;何云龙;郑雪峰;王允;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2018-07-02 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明涉及一种多沟道鳍式结构的AlInN/GaN高电子迁移率晶体管及制作方法，所述制作方法包括步骤：在衬底上生长N层AlInN/GaN异质结，其中N≥2；在N层AlInN/GaN异质结上进行刻蚀和台面隔离，形成栅鳍；在最上层AlInN/GaN异质结上方制作源电极、漏电极；在源电极和漏电极之间制作钝化层；制作三维FinFET栅结构的栅电极；制作互连引线。该晶体管及制作方法采用多沟道异质结结构和FinFET的三维栅结构，提高器件跨导的栅压放大范围，降低器件的关态泄漏电流和亚阈值摆幅，使器件具有良好的开关特性和线性度；异质结晶格近乎完全匹配，减小了面电阻。
制作异质结漏电极栅结构沟道三维高电子迁移率晶体管关态泄漏电流亚阈值摆幅异质结结构互连引线降低器件开关特性异质结晶鳍式结构电极台面钝化层面电阻线性度源电极栅电极制作源最上层晶体管衬底减小刻蚀栅压匹配放大隔离生长

[发明专利]具有AlGaN/GaN异质结的氮化镓横向晶体管及其制作方法-CN201910080209.6有效
发明人：段宝兴;王彦东;黄芸佳;杨银堂 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-01-28 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提出了一种具有AlGaN/GaN异质结的氮化镓横向晶体管及其制作方法。该器件的部分漂移区为AlGaN/GaN异质结；AlGaN/GaN异质结通过自发极化和压电极化效应在异质结界面处形成高密度二维电子气(two dimensional electron gas，2DEG)，二维电子气具有很高的迁移率，从而使具有AlGaN/GaN异质结的氮化镓新型横向晶体管具有很低的导通电阻。器件关断时，2DEG耗尽，同时在器件表面引入了新的电场峰，降低了横向晶体管栅边缘的高峰电场，提高了器件的击穿电压。
具有 algan gan 异质结氮化横向晶体管及其制作方法

[发明专利]基于全层异质结的低压高性能有机发光晶体管-CN202210031484.0在审
发明人：刘云圻;潘志超;郭云龙;刘凯;匡俊华;刘国才;郭安康;秦铭聪 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2022-01-12 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H10K50/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于全层异质结的低压高性能有机发光晶体管(OLETs)。该OLET采用全层异质结结构，自上至下依次包括漏电极、漏电极修饰层、电子传输层、发光层、源电极、源电极修饰层、空穴传输层、绝缘层、栅电极和玻璃衬底。该OLET采用非平面非对称电极的器件结构，栅电极采用高导电材料和高透光材料组成的双层异质结结构；绝缘层采用高介电常数材料和高疏水材料组成的双层异质结结构；传输层采用高电荷传输材料和能级匹配材料组成的双层异质结结构；发光层采用P型主客体掺杂和N型主客体掺杂的双层异质结结构。该全层异质结的OLETs，同时实现了低压、高亮度、高外量子效率、大开口率、高稳定性和性能均一的OLETs。
基于全层异质结低压性能有机发光晶体管

[发明专利]硅异质结太阳电池及其制备方法-CN201911398836.0在审
发明人：王伟;赵晓霞;田宏波;周永谋;宗军;李洋;杨文魁 -专利权人：国家电投集团科学技术研究院有限公司;国家电投集团新能源科技有限公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明提供了硅异质结太阳电池及其制备方法。该硅异质结太阳电池包括：基材，基材具有相对设置的正面和背面；铜薄膜电极，铜薄膜电极设置在整个背面的一侧；图形化的铜栅线电极，铜栅线电极设置在所述正面的一侧。相比正面电极和背面电极均是图形化的铜栅线电极，本申请中背面电极为整面的铜薄膜电极，无需将其进行图形化，即可以节省背面电极图形化等工艺流程和光刻掩膜的使用，从而有效地降低铜电极的制作成本，进而降低硅异质结太阳电的整体制备成本
硅异质结太阳电池及其制备方法

[发明专利]基于二维分子晶体异质结的双向光突触晶体管及其制备方法-CN202310167699.X在审
发明人：胡文平;朱晓婷;陈惠鹏;杨方旭;段树铭 -专利权人：天津大学
申请日： 2023-02-27 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L31/112 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于二维分子晶体异质结的双向光突触晶体管及其制备方法，双向光突触晶体管包括：栅极、绝缘层、捕获层、有源层、源极和漏极，所述栅极、绝缘层、捕获层和有源层平行设置并从下至上依次连接，所述源极和漏极平行设置并连接在所述有源层的上表面，其中，所述有源层为二维分子晶体异质结。本发明基于二维分子晶体异质结的双向光突触晶体管在正负栅压下光响应表现出双极性，即正栅压下表现出光抑制，负栅压下表现出光增强，其表现出优异的光响应度并且在弱光下可以表现出双向光突触行为，简化了器件制备工艺并且避免了不同光源的切换
基于二维分子晶体异质结双向突触晶体管及其制备方法

[发明专利]基于二维层状薄膜材料p‑g‑n异质结光电子器件-CN201511028062.4有效
发明人：缪峰;龙明生 -专利权人：南京大学
申请日： 2015-12-31 - 公布日： 2017-09-29 - 主分类号： H01L31/102 文献下载
摘要：基于二维层状薄膜材料p‑g‑n异质结光电子器件，所述的光伏探测器包括在基底上设有自下到上的结构衬底绝缘层，所述绝缘层包括二氧化硅、PMMA等柔性绝缘衬底；p‑型二维层状薄膜材料薄膜层，所述p‑型二维层状薄膜材料薄膜层叠放在一个确定层数的石墨烯上，n‑型二维层状薄膜材料薄膜叠放在上述石墨烯下，整个异质结器件层置于所述绝缘层上，石墨烯将两半导体层完全分隔开；所述顶栅绝缘层包括二氧化硅、三氧化二铝、二氧化铪等；顶栅金属电极层设置所述顶栅绝缘层上。所述的异质结探测器感器还包括基底，设置在所述绝缘层下面。
基于二维层状薄膜材料异质结光电子器件

[发明专利]ZnO/GaN异质结纳米线光开关及其制备方法-CN201811065138.4有效
发明人：刘志强;程成;伊晓燕;张勇;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2018-09-12 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H01L31/0296 文献下载
摘要：本公开提供一种ZnO/GaN异质结纳米线光开关及其制备方法，该ZnO/GaN异质结纳米线光开关包括：硅衬底、二氧化硅绝缘层以及ZnO/GaN异质结纳米线；二氧化硅绝缘层生长于硅衬底上；ZnO/GaN异质结纳米线设置于二氧化硅绝缘层上，沿其长度方向分为：ZnO纳米线和GaN纳米线，ZnO纳米线远离异质结界面的一端设置有源电极，异质结界面处设置有漏电极；GaN纳米线靠近异质结界面的一端与漏电极连接，另一端设置有栅电极。本公开提供的ZnO/GaN异质结纳米线光开关及其制备方法利用ZnO纳米线优良的光敏效应，采用GaN纳米线发出的紫外光激发ZnO纳米线，调节ZnO纳米线光电导，实现栅极对源漏电流大小的有效控制，达到制作异质结纳米线光开关的目的
zno gan 异质结纳米开关及其制备方法

[发明专利]T栅N面GaN/AlGaN鳍式高电子迁移率晶体管-CN201710636976.1在审
发明人：吴绍飞 -专利权人：吴绍飞
申请日： 2017-07-19 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种T栅N面GaN/AlGaN鳍式高电子迁移率晶体管。主要解决现有微波功率器件的最高振荡频率小，欧姆接触电阻大，短沟道效应严重的问题。其自下而上包括：衬底(1)、GaN缓冲层(2)、AlGaN势垒层(3)、GaN沟道层(4)、栅介质层(5)、钝化层(6)和源、漏、栅电极。其中缓冲层和沟道层采用N面GaN材料；GaN沟道层和AlGaN势垒层组成GaN/AlGaN异质结；栅电极采用T型栅，且包裹在GaN/AlGaN异质结的两侧和上方，形成三维立体栅结构。本发明器件具有栅控能力好，欧姆接触电阻小及最高振荡频率高的优点，可用作小尺寸的微波功率器件。
高电子迁移率晶体管欧姆接触电阻微波功率器件振荡频率异质结栅电极鳍式短沟道效应发明器件三维立体栅介质层钝化层沟道层缓冲层栅结构衬底可用

[发明专利]T栅N面GaN/AlGaN鳍式高电子迁移率晶体管-CN201710885208.X在审
发明人：刘梅 -专利权人：南京誉凯电子科技有限公司
申请日： 2017-09-26 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种T栅N面GaN/AlGaN鳍式高电子迁移率晶体管。主要解决现有微波功率器件的最高振荡频率小，欧姆接触电阻大，短沟道效应严重的问题。其自下而上包括：衬底(1)、GaN缓冲层(2)、AlGaN势垒层(3)、GaN沟道层(4)、栅介质层(5)、钝化层(6)和源、漏、栅电极。其中缓冲层和沟道层采用N面GaN材料；GaN沟道层和AlGaN势垒层组成GaN/AlGaN异质结；栅电极采用T型栅，且包裹在GaN/AlGaN异质结的两侧和上方，形成三维立体栅结构。本发明器件具有栅控能力好，欧姆接触电阻小及最高振荡频率高的优点，可用作小尺寸的微波功率器件。
高电子迁移率晶体管欧姆接触电阻微波功率器件振荡频率异质结栅电极鳍式短沟道效应发明器件三维立体栅介质层钝化层沟道层缓冲层栅结构衬底可用